关键词:
CMOS电压基准源
自偏置
泄漏偏置
工艺偏差
线性灵敏度
温度特性
摘要:
当前,随着物联网微型设备的发展,电压基准源作为电子设备中集成电路的基本模块,需要在非常有限的电源电压和功率下工作。此外,电压基准源还需要在工艺、电源电压、温度变化时能够提供稳定的输出电压。相比于使用双极型晶体管和大电阻的低功耗带隙电压基准源,CMOS电压基准源仅使用少数MOS器件,可以工作在更低的电源电压,具有更小的面积,并且其功耗可降至皮瓦级别。本文旨在全面回顾和探讨当前主流的超低功耗CMOS电压基准源技术。首先介绍其基本结构,针对超低功耗应用重点介绍自偏置和泄漏偏置结构,分析其工作原理及性能差异。然后,围绕基准电压的工艺偏差,线性灵敏度和温度特性,总结了目前已有的超低功耗CMOS电压基准源技术优化方案。最后,探讨了超低功耗CMOS电压基准源技术面临的挑战。