关键词:
二维钙钛矿(ThMA)2(MA)n-1PbnI3n+1
突触晶体管
低功耗
薄膜
兴奋性突触后电流
人工智能
摘要:
随着社会的发展,电能已成为不可或缺的资源,但电力系统面临着日益严峻的挑战,例如不断增长的需求和能源浪费,因此寻求更加高效和节能的解决方案至关重要。传统电子器件的限制促使了新型器件的研发,如突触晶体管,其存算一体化设计能显著降低功耗并提高性能,从而促进电力系统的可持续发展。钙钛矿材料具有优异的光电性能,相较于其他光电材料成本较低,成为了研究和应用领域的热门选择。基于此,本论文围绕着钙钛矿突触晶体管的设计与制备展开,通过对二维钙钛矿(ThMA)2(MA)n-1Pb_nI3n+1晶体管的实验和理论分析,研究其光电性能和突触功能,并探究其人工智能领域的应用,主要研究内容如下:
针对(ThMA)2(MA)n-1Pb_nI3n+1突触晶体管的设计与制备,深入了解二维钙钛矿材料及其性质,并成功优化了薄膜的制备工艺,确保了器件质量和稳定性。通过调整钙钛矿前驱体溶液配比,精确控制二维钙钛矿(ThMA)2(MA)n-1Pb_nI3n+1材料的结构,采用一步旋涂法制备薄膜。在实验中改进薄膜的成膜工艺,优化提高了薄膜的均匀性,减少缺陷,薄膜的成膜面积比从85.8%提升到96.9%。通过真空蒸镀仪在Si O2基底的钙钛矿薄膜上蒸镀晶体管的源漏电极,确保电极与钙钛矿薄膜之间的良好接触,成功制备出(ThMA)2(MA)n-1Pb_nI3n+1突触晶体管。
(ThMA)2(MA)n-1Pb_nI3n+1突触晶体管的测试与应用。经过对晶体管器件电学性能的测试,发现其呈现出优异的光电信息存储运算性能,还具有快速响应的能力,在光脉冲结束后能迅速恢复到基准状态,且在连续光脉冲作用下能保持相对稳定水平。在突触功能测试中成功模拟了兴奋性突触后电流,并通过调节光照刺激和栅极脉冲电压实现了突触行为的增强和抑制,使器件的突触行为更加灵活可控。深入研究了突触晶体管的工作机制,包括兴奋性突触后电流形成的机制和离子迁移的影响。通过施加多个不同栅极电压脉冲,成功地对器件兴奋性突触后电流尖峰处的电导值进行了权重提取。利用提取的权重成功进行了手写数字图像和手写汉字图像的识别实验,分别获得了93.4%和80%以上的识别准确率且每次操作的功耗仅为3.27 n J,相对其他突触晶体管具有显著的低功耗优势。