关键词:
低压差线性稳压器
低功耗
动态零极点补偿
高精度
摘要:
随着人工智能设备的快速发展,对电源管理类芯片需求逐渐上升,凭借其低功耗、低噪声、高稳定性的优势,低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator,LDO)在电源管理类芯片中脱颖而出。基于某公司市场产品定位需求,设计一款低功耗高精度LDO芯片电路,应用于超长待机时间的便携式电子设备中。
该芯片在输入电压1.7V~7.5V宽范围内,采用耗尽管做耐压管,实现高、低压下电路正常工作。针对低功耗LDO设计需求,设计MOS管工作在亚阈值区的基准电流源结构,输出23n A偏置电流,使LDO各模块电路工作在亚阈值区。同时,将过流保护与短路保护负载支路共用,在过温保护电路中嵌入软启动电路,降低支路电流。采用米勒补偿与动态零极点补偿相结合的方式,解决了低功耗LDO的稳定性问题,负载电容仅需要100p F,减小了芯片的面积。采用过压保护与米勒电容耦合方式,提高了低功耗下LDO的瞬态响应能力,最大可支持250m A负载电流。利用工作在亚阈值区的电压模带隙基准结构,产生零温度系数基准电压,保证LDO产生高精度输出电压。为了提高LDO的抗电源干扰能力,采用内部电源供电的方式对误差放大器及带隙基准模块进行单独供电。加入一种新型的防倒灌电路,避免电源接反时导致功率管损坏。
基于TSMC 0.18μm BCD工艺,进行芯片电路设计,利用virtuoso平台spectre工具进行电路参数仿真,结果表明,芯片过温保护阈值为158℃,温度迟滞范围31℃;芯片具有超低静态电流1.14μA,VINOUT+VDropout时,静态电流为642.717n A;关断电流小于764n A;低频下1k Hz频率处PSRR小于-75.968d B,具有较强的电源抑制能力;线性调整率小于0.52m V/V;负载调整率小于0.009m V/m A;压差电压小于135m V;1μs内负载电流由100μA跳变至250m A所引起的下冲电压为613m V,瞬态响应时间为0.19ms;1μs内负载电流由250m A跳变至100μA所引起的过冲电压为496m V,瞬态响应时间为0.231ms。同时,完成版图绘制及验证,LDO整体版图面积为532μm×547μm,通过提取寄生参数对版图进行后仿真,结果表明,压差电压小于144m V;线性调整率小于0.6m V/V;负载调整率小于0.0091m V/V;低频下1k Hz频率处PSRR小于-67d B;静态电流低至1.28μA以下,VINOUT+VDropout时,静态电流为637.489n A;关断电流小于762n A;1μs内负载电流由100μA跳变至250m A所引起的下冲电压为701m V,瞬态响应时间为0.25ms。后仿真结果与前仿真结果基本一致,仿真结果表明设计的LDO电路达到预期性能指标。