关键词:
65nm CMOS工艺
VCSEL
电流驱动器
光通信
摘要:
随着信息技术和网络的迅速发展,光通信已逐渐成为现代通信领域的首选技术。激光驱动器芯片作为光模块的核心组件,其市场需求和研究前景广泛受到国内外关注。由于SiGe工艺具有高特征频率,适用于高速电芯片的制造与应用。然而,与CMOS工艺相比,采用SiGe工艺设计制造的激光驱动器芯片成本较高。因此,为了满足国内高速激光驱动器芯片的市场需求,实现低成本的国产替代,针对局域网、高速数据中心和交换机等多模光模块应用场景,本文对垂直腔面发射激光器(Vertical Cavity Surface Emitting Laser,VCSEL)的驱动电路进行了研究,并设计了一款基于65nm CMOS工艺的高速低功耗VCSEL驱动器芯片。
目前,CMOS工艺的高速低功耗VCSEL驱动器芯片设计仍面临一些挑战:与SiGe工艺相比,CMOS工艺的特征频率较低,单位电流跨导较小。为实现相同的带宽和输出调制电流,需要消耗更多的芯片面积和功耗。为解决传统SiGe工艺驱动器功耗较高的问题,本设计采用了1.2V和3.3V的双电源设计方案来降低功耗。由于主通路中的放大级电路、限幅放大级电路等电路需要提供高带宽、低噪声的信号传输,因此采用了1.2V CMOS薄栅器件和1.2V供电方案,以保证传输速度的同时实现低功耗设计;而低压差线性稳压器电路和偏置电路等电路则采用了厚栅器件和3.3V供电方案,以保证驱动器的高增益。此外,本文提出了一种电阻峰化技术,在传统的有源负载差分电路中添加了一个电阻,引入了一个零点,使输出信号的幅频特性曲线出现峰化,起到拓展带宽的作用。相较于传统的有源负载差分电路,单级带宽提升了10GHz,带宽增益积提升了153GHz。针对传统限幅放大器增益低、面积大的问题,利用了反相器电路结构简单、增益高的特点,提出了使用电阻反馈的反相器作为限幅放大器的方案。在保证高增益的前提下,减小了芯片面积,相较于传统限幅放大器,有效提高了带宽增益积56GHz。此外,创新设计了带数字修调的多阶曲率补偿带隙基准电压源电路,实现了芯片在多工艺角和失配情况下稳定输出参考电压1.2V,温度漂移系数为0.959ppm/℃。以上的技术、方案和方法,使得本文设计的驱动器芯片能够满足高速多模光模块应用场景的需求。
本文完成了驱动器电路、版图设计、后仿真和芯片测试方案等工作,并实现了驱动器芯片优异的仿真性能指标。整体芯片面积为0.42mm2,后仿真结果表示,在3.3V电源电压下功耗约30mW,在10Gb/s数据传输速度条件下,输出眼图抖动小于3ps。