关键词:
压控振荡器
可变电容
低功耗
宽调谐范围
摘要:
以40 nm互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)工艺为基础,设计可变电容接入电路的方式,该电路由一组固定的可变大电容与3位开关控制的可变小电容阵列组成,能很好地抑制调谐增益的变化,并且在可变电容两端加入偏置,让其工作在容值变化较为合适的区间,使控制电压对调谐范围的利用率达到最优。测试结果表明,在电源电压为1.1 V的条件下,该压控振荡器的设计功耗为1.155 mW,版图面积仅为0.089 mm2。频率的调谐范围是4.08~5.62 GHz,中心频率在4.8 GHz时的相位噪声为-116.46 dBc/Hz@1 MHz,考虑调谐范围的性能系数(Figure of Merit,FOM)值为-200.03 dBc/Hz,具有良好的综合性能。