关键词:
亚阈值
超低功耗
低压差线性稳压器
摘要:
近年来,系统芯片(So C,System on Chips)被广泛应用于物联网节点设备,如可穿戴健康监测胸贴、电力终端计量设备等,这类设备对于降低系统功耗、增强续航能力存在迫切需求。低功耗系统通常要求数字电路工作在低供电电压的亚阈值模式,低压差线性稳压器(LDO,Low Dropout Regulator)作为电源管理系统中的重要组成部分,为So C提供稳定的电压,其性能将直接影响整个电路系统的表现。无片外电容LDO(CL-LDO,Capacitorless LDO)具有面积小、集成度高等优势,因此已成为LDO研究的热门方向。为了实现整体功耗的降低,本文对亚阈值电路的工作特性与原理进行了研究,提出了一种具有瞬态响应增强模块的超低功耗CL-LDO设计方案。本文的主要研究工作包括:(1)低功耗CMOS基准源往往需要通过引入MΩ级的大电阻实现,因此会占用较大的版图面积,本文在避免电阻以及BJT引入的情况下,设计了一款n A级的偏置电流源,实现Sub-1V的电压输出,所提出的全MOS亚阈值基准源,面积小,功耗仅为n W级。该基准电路能在0.6V-1.8V电压下正常工作,线性调整率为0.719m V/V;在-40℃-125℃范围,能输出350m V左右的基准电压,温度系数为30.06ppm/℃,电源电压抑制比为-66.06d B。(2)为了满足亚阈值So C电路的低功耗需求,设计的LDO无需引入常见电路中包含的分压电阻,通过将运放反馈端与LDO输出端直接相连,LDO的输出电压近似等于基准源所提供的极低基准电压,实现了超低功耗。本文使用的运算放大器在常见电路结构的基础上增加了反向交叉耦合的结构,通过构建反向电流增大了第一级运放的输出电阻,提高了运放的整体增益,通过合理设置主极点,避免了复杂的频率补偿电路与片外大电容,减小了面积。同时,针对低功耗LDO在快速响应方面存在的缺陷,设计了瞬态响应优化电路,在负载跳变时,更快地调节功率管栅极电压,改善了瞬态特性。电路基于SMIC 55nm CMOS工艺设计,后仿结果表明,设计的LDO在0.7V-1.8V输入电压下,能够较为稳定地输出0.35V左右的电压,线性调整率为2.121m V/V,负载调整率为0.146m V/m A,当负载在1μs内,从0.1m A跳变至5m A的情况下,下冲电压可低至30.70m V,瞬态恢复时间可以低至0.619μs。瞬态性能得到了提升。