关键词:
类脑神经计算
神经形态器件
纳流体忆阻器
人工突触
电动力学模型
神经网络
摘要:
基于新型存储材料器件的神经拟态类脑计算,通过计算手段模拟人脑的层级结构以及神经突触架构,有望从根本上突破传统的冯·诺伊曼计算架构在面对人工智能(artificial intelligence,AI)应用场景中呈指数增长的数据与训练量时产生的“存储墙”、“功耗墙”等瓶颈。而神经形态器件作为实现这一架构的重要载体,其动态开关、超低功耗、模拟式存储等特性可以被充分优化以构建不同突触以及神经元电路。作为底层硬件基础,基于新材料新结构的神经形态器件设计使其从物理机制的层面上表达出更高的可塑性,为其具象化模拟大脑底层突触或神经元功能与架构打下基础,也更能适配不同类脑计算任务下的软硬件要求。
不同于传统的基于电子或离子与电子耦合驱动方式,本文提出一种全新的基于二维六方氮化硼(hexagonal boron nitride,h-BN)纳米通道中电解质离子输运调控的纳流体忆阻器。通过对材料选择、器件制备和性能量测方法优化等方面改善提升器件的稳定性和可靠性,并进一步通过电动力学物理模型对器件机理、忆阻性能的提升进行解释与验证。同时,结合器件的动态模拟电导调制机制,进一步研究模拟生物神经系统中的突触可塑性以及信号传递方式,并结合特定训练任务应用检验器件特性。主要的研究成果如下:
在器件层面,运用少层h-BN材料对纳米通道表面进行修饰,其独特的物理、化学特性,结合特定的纳米通道结构,在施加电场时可以获得近一个量级的电驱动力提升。具体地,将少层h-BN材料转移至纳米通道表面后,其高浓度的水解表面电荷密度(最高可达约600 m C/m2)对比二氧化硅(silica,Si O2)约50 m C/m2的表面电荷密度,可使通道壁面感应出更多电荷,从而极大地增强纳米通道内的单一极性离子流;同时,二维材料独特的原子级平整表面使离子流在壁面处产生滑移,进一步提升整体离子流速。该器件的忆阻特性对比Si O2纳流体忆阻器有量级式提升,器件擦写功耗(~24 p J)减小10~3倍,阻变速度(~20 ms)提升约30倍,常温下阻态保持时间超过4 000秒,各项参数指标均远优于其它目前已报道的纳流体忆阻器。
在理论模型层面,通过搭建纳米尺度下的流体电动力学模型来模拟施加扫描电压时器件内部的动态电导切换过程,从而对器件物理机制进行解释,并进一步从底层逻辑优化器件性能。具体地,将电场、稀物质传递场、层流场进行多物理场耦合,并且在方程中考虑表面张力对弯曲液面进一步形变的限制。同时,代入h-BN的材料特性,包括设置滑移的固液面边界条件等,之后在微分的时间步长内求解电场下的准静态离子流过程,对应纳米通道中界面运动的位移变化,从而演示整个电导切换过程。根据计算结果,基于h-BN修饰后的纳流体忆阻器,其纳米通道内最高离子流速计算达到7μm/s,远超同样结构下的Si O2纳流体忆阻器离子流速(0.9μm/s)的μ同时,也为基于h-BN器件中大幅减小的操作电压提供理论支持。
在突触功能与神经形态的应用层面,本文从生物突触的实际功能以及作用环境出发,结合所提出的基于h-BN纳流体忆阻器特有的、与生物系统兼容的、基于液相环境的电解质离子运输导致的电导切换现象,来阐述运用基于h-BN纳流体忆阻器来模拟生物突触功能的天然一致性和可塑性。根据一些研究广泛的生物突触功能,本文运用基于h-BN的纳流体忆阻器模拟了生物突触中的长短时程记忆切换现象,并从多种信号触发方式出发,结合器件实际界面运动机制,从理论和实验上验证了观测到的这种记忆切换与实际生物突触功能的相关性,并验证了h-BN材料的引入对这一现象的加强作用;进一步,本文从该器件的长时程记忆出发,对实际突触的可塑性功能与存储功能进行了模拟,并进一步构建了普通卷积神经网络(convolutional neural network,CNN),以面向MNIST手写数字识别任务来检验其突触性能。最终将网络的识别能力提升到96.5%,并且大幅降低了器件操作功耗至24 pJ左右。