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关键词： 高温高湿   功率器件   静态参数   功率循环   封装可靠性   键合线  

摘要： 为探究高温高湿环境中功率器件芯片自发热现象对水汽入侵的抑制作用机理及其对功率器件静态参数和封装可靠性的影响，将器件分成三组进行功率循环测试对比实验。第一组器件直接进行功率循环测试；第二组器件经过60 ℃/85% RH环境储存1 000 h再进行功率循环测试；第三组器件在60 ℃/85% RH环境储存1 000 h期间导通电流令芯片自发热模拟实际工况（芯片结温为120 ℃），然后进行功率循环测试。由实验结果发现，水汽入侵会使功率器件的静态参数发生漂移，降低器件功率循环寿命。器件功率循环寿命降低的原因是水汽入侵腐蚀了器件键合线，影响了键合线可靠性。功率器件芯片自发热可以抑制水汽入侵，减小由水汽入侵导致的静态参数漂移及其对器件键合线的腐蚀作用。

关键词： 沟槽型MOSFET   双层外延   导通电阻   击穿电压  

摘要： 为了进一步优化中低压屏蔽栅沟槽型金属氧化物场效应晶体管（Shielded Gate Trench MOSFET，简称SGT结构）的击穿电压与导通电阻的折中关系。在额定电压为50-100 V的SGT MOSFET设计中，引入双层外延设计，通过改善沟槽附近的横向电场分布情况从而有效地优化器件的电学特性。本文阐述了双层外延SGT结构的工作原理及仿真设计，通过调整双层外延的厚度比与电阻率比得到最优值。经Sentaurus TCAD从工艺流程的角度仿真验证，与传统60V级SGT器件优化前相比，其优化后的击穿电压为70.16 V，在保证数据稳定性的基础下，击穿电压提高了6.9%，导通电阻Ron，sp降低了9.3%，其中Ron，sp最优值降低了12.8%，Baliga优值（BFOM）提高了25.8%。

关键词： beta-Ga2O3   diffusion   MOVPE  

摘要： In this work, the out-diffusion and uphill-diffusion of Mg inside (100) beta-Ga2O3 epilayers and substrates are reported. The Mg accumulates toward the (100) surface upon annealing under an oxidizing environment, whereas the concentration profile changes with annealing temperatures and durations. Furthermore, the out-diffusion of Mg from the substrate into the epilayer is observed at temperatures above 800 degrees C, which continues during the film growth. The substitutional-interstitial-diffusion (SID) mechanism is suggested to be the driving mechanism for the former, and the latter is related to the diffusion of mobile Mg interstitials. The accumulation profile of Mg can be used to identify the interface between the epilayer and the substrate. Furthermore, significant differences in device performance are observed for power transistors fabricated on annealed and non-annealed epitaxial beta-Ga2O3 wafers. Increased breakdown voltages of annealed samples are attributed to the Mg diffusion into the first few nanometers of the epitaxial layer close to the interface to the semi-insulating substrate, leading to compensation of residual dopants (donors) in that region.

关键词： 宽阻带带阻滤波器   传输零点   高选择性   HFSS  

摘要： 【目的】为了灵活控制带阻滤波器每个零点的位置，提高带阻滤波器的阻带带宽和过渡带的选择性。【方法】文章提出了一种高选择性宽阻带带阻滤波器。滤波器由两条路径组成，路径一由四分三波长的传输线构成，路径二由四分之一波长的传输线构成。在路径二上耦合四分之一波长短路谐振器和并联了四分之一波长开路谐振器，通过合理调节四分之一短路谐振器特征阻抗Z3、四分之一开路谐振器特征阻抗Z4的电长度θ3、θ4和四分之三电长度特征阻抗Z1、四分之一电长度特征阻抗Z2的特征阻抗比P，可以对四个零点的位置可以进行灵活控制，方便灵活调节阻带带宽和过渡带选择性。【结果】在路径一上产生了一个可控的传输零点，在路径二上，产生了一个可控的传输零点和两个额外的传输零点，路径二产生的两个额外传输零点，不仅扩宽了带阻滤波器的阻带带宽，并分别提高了高、低频段过渡带的选择性。总共产生了四个传输零点，并给出了四个传输零点准确位置的设计公式，可以对四个零点进行灵活调节。【结论】文章通过高频电磁仿真软件（HFSS）中建立了一个中心频率为1.75GHz，相对带宽为54%的带阻滤波器3D模型，仿真结果显示，20dB阻带范围1.3～2.3GHz，四个传输零点分别位于1.3、1，5、1.8、2.1GHz，低频段、高频段的衰减斜率分别为24dB/0.1GHz、15dB/0.1GHz。

关键词： 有源配电网   分布式电源   正序故障分量   不可测分支   5G  

摘要： 新能源多以分布式电源的形式接入配电网，对配电网的故障特征造成了影响，利用本地信息的传统三段式电流保护可靠性难以保证。同时，基于通信系统的纵联保护动作性能受不可测分支影响严重。提出了基于虚拟无功功率方向的有源配电网保护方案，首先定义了虚拟无功功率的概念，研究了故障发生时IIDG的虚拟无功功率输出特征；其次进一步分析了含不可测分支的有源配电网各支路的故障特性；然后利用5G通信技术和多代理技术构建配电网保护架构，在此架构上提出了基于虚拟无功功率方向的保护综合判据；最后在PSCAD/EMTDC平台进行仿真验证，说明了保护方案的有效性。

关键词： 模型   风切变   塔架高度   大叶片机组   等效风速  

摘要： 为掌握风电机组单机容量的快速增加下风速空间分布对机组输出功率特性的影响规律，首先建立了风速空间分布下风与叶元在不同位置的相互作用模型;然后通过积分与累加方法得出风轮扫略面内等效功率输出模型;并对模型进行降维度处理和关键参数影响分析，得到了关键参数对等效功率影响的定量化评估公式。完成了关键参数函数关系三维图绘制，为新机型最优化设计提供了量化工具。最后，通过权威认证软件整机仿真验证模型，结果表明，大叶片机组风速空间分布损失根据设计不同会在3%至6%之间，合理设计塔高可有效降低风速空间分布损失。

关键词： K-means聚类   电网区域功率振荡   发电机   模型   特征提取  

摘要： 针对电网区域功率振荡数据类型多、数量大，造成目标数据辨识难度较高的问题，提出基于K-means聚类非监督机器学习的电网区域功率振荡数据辨识方法。分析电力系统中原动机、调速器工作流程和不同类型振荡信号的轨迹特征，在K-means聚类中使用欧氏距离衡量数据点之间的距离，利用轮廓系数法确定K值，优化聚类过程，完成电网区域功率振荡数据的辨识。选择经典四机两区算例进行仿真测试，并设置不同类型的功率振荡。结果表明：所提方法可以精准辨识不同振荡类型的数据，验证了所提方法具有较好的辨识效果。

关键词： DC-DC变换器   对称式谐振腔   参数优化设计   高效率  

摘要： 针对传统DC-DC变换器在低压直流供电应用中副边电流过大，总体效率过低等问题，采用一种具有对称式谐振腔的双变压器LLC谐振变换器拓扑并提出一种LLC谐振变换器参数优化设计方法，该拓扑可使变换器在开关周期内输入电流连续并减小电流纹波，副边并联可均分输出电流，减小输出电流应力。为进一步减小变换器环路电流，提升变换器效率，建立变换器增益模型并分析励磁电感优化曲线，在考虑变换器极端工况条件下设计谐振腔参数初值，再建立变换器精确时域模型对参数进行优化。最后搭建了一台600W变换器样机，验证了理论分析的正确性及实际应用的可行性。

关键词： MOSFET   Integrated circuit modeling   Data models   Semiconductor process modeling   Logic gates   Accuracy   Transistors   Temperature distribution   Adaptation models   Simulation  

摘要： This article introduces the metal–oxide–semiconductor field effect transistor (MOSFET) electrical simulation dataset, MESD, an extensive collection of $I$ - $V$ and $C$ - $V$ characteristics data simulated across different foundries’ Berkeley short-channel IGFET models (BSIMs). The MESD dataset covers a range of bias voltages, temperatures, and MOSFET physical dimensions across several process technologies from 3 to 350 nm. We have detailed the design methodology used in the generation of the dataset and have outlined the structure and accessibility of the data. MESD is designed to serve as a standardized benchmark for evaluating and comparing MOSFET models, aiding semiconductor researchers and model developers in assessing the accuracy of their simulations against a robust set of controlled data. IEEE SOCIETY/COUNCIL  Circuits and Systems Society (CASS) DATA TYPE/LOCATION  Text; Shanghai, China DATA DOI/PID  10.21227/wa5a-r991

关键词： k-medoids聚类   变压器状态诊断   声纹特征   局部密度评估   自适应替代   混沌搜索  

摘要： 为了进一步提升碳约束型变压器运行状态的诊断准确率和诊断效率，基于改进k-medoids聚类理论提出了变压器状态异常诊断方法，将变压器运行状态划分为正常、预警、异常、故障四种状态作为k-medoids聚类目标。模型获得变压器运行状态大数据，其中声纹特征指标采用梅尔倒谱特征作为衡量变压器异常振动声响的标准，对变压器运行大数据基于其物理特性进行归一化和标准化，便于聚类模型输入，针对传统k-medoids聚类过程引入三项措施进行改进，分别为基于局部密度评估的初始聚类中心生成、自适应替代方向调整以及聚类更新的混沌搜索，通过改进措施优化初始聚类中心生成并提升寻优效率，避免寻优过早陷入局部最优聚类点，将某地区碳约束型电网变压器历史运行大数据划分为训练组和测试组，基于训练组来进行k-medoids聚类网络的优化，并将训练完成的k-medoids聚类用于测试组的变压器运行状态聚类和诊断，验证了所提出模型的正确性和有效性。