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关键词： 激光粉末床熔融   镍基高温合金   冶金缺陷   组织性能  

摘要： 采用高功率近平顶激光束进行GH4169镍基高温合金的高功率激光粉末床熔融（HP-LPBF）成形，研究了成形试样的冶金缺陷、显微组织以及力学性能。结果表明：通过调控激光体能量密度（不低于65 J/mm3），能够获得致密度超过99.80%的试样。HP-LPBF试样具有枝晶状显微组织，一次枝晶间距（1.8μm）比基于低功率高斯激光束的常规激光粉末床熔融（LPBF）技术成形时的更大，Laves相的体积分数（9.5%）则与常规LPBF技术相当。HP-LPBF试样具有以“<001>平行于构建方向”为主的立方晶体学织构特征，晶体择优取向趋势较常规LPBF技术更强，平均等效晶粒尺寸（331μm）超过常规LPBF技术一个数量级。HP-LPBF典型试样的拉伸强度（895 MPa）相当于常规LPBF技术的中下水平，延伸率（34%）相当于常规LPBF技术的较高水平。在致密度超过99.80%的前提下，成形效率（118.8～166.3 cm3/h）是常规LPBF技术的7倍以上。

关键词： MoS2材料   MOSFET器件   测试表征   退火效应   电学性能  

摘要： 文章采用机械剥离法在SiO2/Si衬底制备多层二硫化钼（MoS2）材料，通过电子束光刻和蒸发工艺制备MOSFET器件。使用光学显微镜、拉曼光谱仪和扫描电镜对多层MoS2材料进行测试表征，并使用半导体参数分析仪对MOSFET器件的电学性能进行测试分析。探索退火效应对器件电学性能的影响。

关键词： 动静脉内瘘   血液透析   细径血管   B超检查  

摘要： 目的 探讨术前B超检查血管直径大小对维持性血液透析（maintenance hemodialysis,MHD）患者建立自体动静脉内瘘（artetiovenous fistula,AVF）成功率的影响。方法 选择南宁市第二人民医院肾内科2021年7月—2023年7月收治的动静脉直径<2 mm的68例行MHD患者进行前瞻性研究，根据头静脉直径分为A组（直径≤1.0 mm,31例）、B组（1.0 mm<直径<2.0 mm,37例）。所有患者均接受围手术期B超检测，由同一组经验丰富的手术医师及助手完成腕部头静脉-桡动脉端侧吻合术。对比不同细径血管直径患者的临床特征，统计术后6周随访不同细径血管直径患者的AVF成功率；对比AVF成功组、失败组的临床特征；采用logistic回归分析细径血管建立AVF成功的影响因素。结果 A组、B组患者的头静脉直径、桡动脉直径、头静脉扩张性（t=-13.144、-2.412、-2.403）、肱动脉血流量（Z=1.989）、吻合口直径（t=2.102），差异有统计学意义（均P<0.05）。术后6周随访根据AVF建立情况分为成功组56例（成功率82.35%），失败组12例（失败率17.65%）。单因素分析结果提示，两组的头静脉管径、头静脉扩张性、静脉距皮距离（t=-2.934、-3.332、-2.122）、肱动脉血流量（Z=-6.125）对比，差异有统计学意义（均P<0.05）。logistic回归分析结果显示，头静脉扩张性（OR:1.074,95%CI:1.003～1.151）、头静脉管径（OR:1.586,95%CI:1.014～2.481）均为细径血管建立AVF成功的独立影响因素（P<0.05）。受试者操作特征（receiver operating characteristic,ROC）曲线分析结果显示，头静脉管径、头静脉扩张性的曲线下面积（area under the curve,AUC）分别为0.741、0.770 (P<0.05)。结论 术前B超检查血管直径对提高细径血管MHD患者建立AVF成功率有重要意义，头静脉扩张性和头静脉管径对细径血管建立AVF成功有重要影响。

摘要： 当今社会，能源结构调整进程加快，光伏发电在电力能源体系中的价值作用愈发突出。在当前形势下，技术人员应精准把握人工智能方法的核心应用方法，宏观审视其在光伏发电功率预测中的多维效用，综合运用多类型技术方法，全面提高光伏发电功率预测精准度。

关键词： 光学电流互感器   磁光玻璃电流互感器   全光纤电流互感器   温度   振动  

摘要： 以磁光玻璃电流互感器(MOCT)和全光纤电流互感器(FOCT)为主的光学电流互感器凭借其相较于传统电流互感器的体积小、重量轻、无饱和、抗电磁干扰等优点在高压电力系统、工业生产及科学研究中得到了广泛的应用。阐述了MOCT和FOCT两种主要类型的光学电流互感器的基本结构和测量原理，对比了两种类型电流互感器的优缺点。介绍了影响光学电流互感器长期稳定运行的温度和振动两个关键技术点的相关解决方案，并对国内外公司研制的相关光学电流互感器产品进行了比较。

关键词： 软解码算法   线性相位解调   旋转变压器  

摘要： 阐述旋转变压器因其抗干扰能力强、尺寸小巧、安装方便等特点，广泛应用于永磁电机、伺服电机等领域。虽然AD2S1205、AU6805等专用解码芯片能实现高精度解码，但其价格较高且需二次通信，增加了成本和系统延时。为此，分析旋转变压器的研究现状及常见软件解码算法，搭建实验平台并提出基于线性化的相位解码算法。通过与反正切算法对比，验证了该算法的可行性，为降低解码成本和提高系统响应速度提供了新思路。

关键词： 光伏发电   卷积神经网络   双向长短期记忆网络   注意力机制  

摘要： 为了准确预测光伏发电功率，提出一种基于卷积神经网络(CNN)、双向长短期记忆(BiLSTM)网络和注意力机制(Attention)的预测模型。首先使用皮尔逊相关系数分析法对输入特征进行筛选，然后使用CNN提取空间特征，随后将提取的特征序列输入双向LSTM层进行时序建模，并融合注意力机制分配权重以增强重要特征，最后由全连接层输出预测结果。实验结果表明：基于CNN-BiLSTM-Attention的光伏功率预测模型的预测精度达到99.97%,预测误差均在1%以内。相较于LSTM和CNN-LSTM-Attention模型，CNN-BiLSTM-Attention模型具有更高的预测精度，表现出一定的优越性和可靠性。

关键词： magnetic stimulation   nonlinear MOSFET model   power semiconductor switches   pulse circuits   pulse generator   Supercapacitors   transcranial magnetic stimulation (TMS)  

摘要： This paper presents the development of a new Matlab mosfet model specifically designed for RLC circuits. The key contribution is the formulation of a novel equation that accurately captures the device behavior across subthreshold, above-threshold regions and at threshold point, addressing limitations in existing models. The developed model treats the mosfet as a variable resistance element, with the resistance changing dynamically at each instant, enabling the solution of differential equations governing the RLC circuit. Curve fitting and refinement were conducted based on experimental results, leading to a close match between the simulations and experimental data. The model was tested with triangle, sinusoidal and quadrilateral gate voltages, and the simulation results show good match with the experimental data, demonstrating the model's accuracy. It provides a straightforward way to predict performance, making it easier to refine and optimize the design gate voltage before physical implementation. This work provides a solid foundation for mosfet modeling in oscillatory RLC circuits, which can be applied to a wide range of power electronics applications. © 2025 IEEE.

摘要： 2025年2月26日，在全球持续面临气候变化和环境可持续发展挑战之际，英飞凌发布《2025年GaN功率半导体预测报告》，希望利用包括硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）在内的所有相关半导体材料大幅推动各领域向低碳化和数字化转型。英飞凌在《2025年GaN功率半导体预测报告》中强调，GaN将成为影响全球半导体竞争格局的材料，将改变大众在消费、交通出行、住宅太阳能、电信和AI数据中心等领域提高能效和推进低碳化的方式。

关键词： 换流回路   死区时间   压接式IGBT   开关损耗均衡   三电平有源中点钳位  

摘要： 针对压接式IGBT组成的功率单元换流暂态时间优化及损耗平衡问题，依据产生损耗位置将三电平有源中点钳位单元的32种换流回路分为5种．为提高输出谐波特性，研究换流暂态过程进而优化切换暂态时间．利用4.5 V/3 A压接式IGBT制作了低杂感功率单元，设计双脉冲实验研究暂态电压电流变化规律．将开关暂态过程分成6种，并迭代优化死区时间．实验结果表明：死区时间优化后可以实现安全换流，换流过程的电压电流变化规律与理论分析一致．