课程文献中心 更多>>

关键词： 高压并联电抗器   匝间保护   串联谐振   防误动   巴特沃斯滤波器  

摘要： 高压并联电抗器（以下简称“高抗”）应用于带串联补偿装置（以下简称“串补”）长线系统时，暂态过程中产生的非周期分量可能导致匝间保护误动，影响系统稳定可靠运行。该文针对某母线高抗匝间保护误动案例，研究故障恢复过程中高抗电流低频分量产生机理，从判据的角度分析了低频分量对高抗匝间保护的影响，并在此基础上提出了一种匝间保护防误动措施。所提防误动措施在原有保护判据基础上，利用巴特沃斯滤波器对采样信号进行滤波处理，再计算其零序工频分量判别是否发生匝间短路故障，防止低频分量引起匝间保护误动。最后，基于PSCAD/EMTDC平台搭建案例系统的仿真模型，验证了所提母线高抗匝间保护误动机理及防误动措施的正确性和有效性。

摘要： 基尔霍夫电压定律是电路中电压所遵循的基本规律,是分析和计算较为复杂电路的基础,于1845年由德国物理学家基尔霍夫提出. 基尔霍夫电压定律是指在任何一个闭合回路中,各元件上的电压降的代数和等于电动势的代数和,即从一点出发绕回路一周回到该点时,各段电压的代数和恒等于零,即ΣU=0

关键词： SiC   MOSFET   短路耐受时间   短路保护   开尔文源极   驱动电路  

摘要： 为了提高SiC MOSFET的短路可靠性，在不同的母线电压、驱动电压、驱动电阻、主回路寄生电感以及栅极阈值电压参数下，对SiC MOSFET短路电流特性曲线进行测量，定量分析各个参数对短路电流的影响，为如何提高SiC MOSEFT的短路耐受时间提供解决思路。同时由于SiC MOSFET的短路耐受时间，决定着对其进行短路保护动作的最大时间，所以这些不同参数的设置直接影响着SiC MOSFET短路保护电路的设计。在传统SiC MOSFET短路保护策略中，利用开尔文源极与功率源极之间寄生电感产生的感应电压，配合RC滤波器进行短路保护，存在SiC MOSFET在硬开关短路和负载短路中，触发短路保护动作阈值不一致的问题，即导致短路保护失败。针对此问题，提出基于di/dt-PMOS的短路保护策略，保证了阈值的一致性。通过公式推导以及实验，结果表明基于di/dt-PMOS的SiC MOSFET短路保护策略的有效性。

关键词： 加速寿命测试   SiC MOSFET   栅氧化层退化   硬开关  

摘要： 受寄生电感或串联器件分压不均影响，SiC MOSFET可能承受偶发的、安全工作区（SOA）外的短时过电压硬开关应力，造成参数退化或器件损坏。而现有的功率器件可靠性研究主要集中于SOA内的长期静态工况，导致预期寿命与实际寿命偏差较大。该文研究过电压硬开关应力作用下两种不同额定电压的SiC MOSFET退化机制，并与栅极开关应力和静态过电压应力测试所得结果进行对比。由于栅氧化层退化，工作在第一象限的器件阈值电压Vth和导通电阻RDS（on）减小，栅极漏电流IGSS和漏极截止电流IDSS增加。同时，受阈值电压和跨导变化的影响，器件动态特性产生变化。对于工作在第三象限的器件，堆垛层错扩大造成其体二极管正向压降增加。结合不同过应力工况下的实验结果和TCAD（Technology Computer-Aided Design）仿真，明确器件栅氧化层退化的主要机制为高电场应力导致的热载流子注入，且阈值电压退化规律主要与开关次数及漏源电压相关。研究为器件在临界工况中的应用及变换器的裕量设计提供了理论支撑。

摘要： 法雷奥与全球知名半导体及电子元器件制造商罗姆达成合作,利用双方在功率电子领域的专业知识和技术优势,联合开发面向电机控制器的新一代功率模块.作为双方合作的第一步,罗姆将为法雷奥的新一代动力总成解决方案提供碳化硅(SiC)塑封模块"TRCDRIVE pack™".

关键词： Resonant converters   Trajectory   MOSFET   Mathematical models   Light emitting diodes   Bridge circuits   Voltage   Switches   Zero voltage switching   Topology   Circulating current   LCC resonant converter   secondary-side phase-shift-control (SSPSC)   semisynchronous rectification (S-SR)   state trajectory model   wide gain range   zero-voltage switching (ZVS) turn-on  

摘要： Secondary-side phase-shift-control (SSPSC) is an effective method to widen the gain range of resonant converter with pulse frequency modulation (PFM). However, SSPSC not only induces a large circulating current through MOSFETs in secondary side semiactive bridge but also makes these MOSFETs operate under hard switching, thereby diminishing efficiency. To address these issues in this article, a semisynchronous rectification (S-SR) scheme is proposed, and it is realized on LCC resonant converter with SSPSC and PFM (SSPS-PFM LCC). This scheme will not conflict with SSPSC, can avoid circulating current flowing through body diodes of secondary side MOSFETs, and realize ZVS turn-on of these MOSFETs, thus improving efficiency. First, the concept of S-SR is proposed. Second, a time-domain state trajectory model of SSPS-PFM LCC is built. According to this model, the mathematical relation of S-SR conduction angle with switching frequency (SF) and secondary-side phase shift angle (SSPSA) is derived, and a simple calculation method of S-SR conduction angle is designed. This enables the realization of S-SR scheme with no additional sensors and almost no additional controller computational burden. Finally, a SSPS-PFM LCC prototype is built to verify the effectiveness of the proposed S-SR scheme.

关键词： 戴维南定理   水光互补发电系统   柔性直流输电   暂态同步稳定性   等面积定则  

摘要： 研究了计及电流限制的水光互补发电经柔性直流送出系统的暂态同步稳定性。首先计及故障期间光伏逆变器与柔直整流器的限电流控制，基于戴维南定理推导了故障切除前水电机组送出有功功率的方程式。其次，基于等面积定则推导了送出系统临界切除角的解析表达式，并以临界切除角作为送出系统暂态同步稳定极限的关键指标，评估了光伏与柔直换流器饱和电流角参数取值和水光发电比例对送出系统暂态稳定性的影响，进而提出了一种提升系统暂态同步稳定性的最优控制参数整定方案。最后通过时域仿真验证了送出系统暂态同步稳定性影响因素的准确性以及最优控制参数整定方法的有效性。

关键词： 分布式光伏   超短期功率预测   相关性信息   数据隐私性   联邦学习   深度学习  

摘要： 准确的分布式光伏超短期功率预测对于分布式光伏售电商参与电力现货市场起到重要的信息支撑作用。现有方法大多采用集群信息共享的建模方法以提升功率预测精度，然而这些方法或需依赖数据直接共享，导致严重的数据隐私问题，或仅依赖模型交互共享，虽保障数据隐私性但因其共享信息量薄弱导致预测效果不佳。为此，本文提出了一种基于隐私保护导向与深度联邦学习的分布式光伏超短期功率预测。首先构建了基于双层信息交互的联邦学习框架，以各站间全局模型与全局特征交互的形式实现更丰富的信息共享，避免了数据直接交互以保障数据隐私。在此基础上，以注意力自编码作为本地预测模型，挖掘功率时序特征并将其与全局特征耦合为时空关联特征，通过有效挖掘利用时空关联信息，提升功率预测精度。最后，以河北某地区的实际分布式光伏数据进行仿真实验，证明了所提方法的有效性。

关键词： 高频   双调谐回路谐振放大   并联谐振   耦合振荡回路  

摘要： 为满足因复杂繁琐而在通信电子实验教学中缺席的高频双调谐谐振放大电路的教学需要，对高频双调谐谐振放大器中的电容并联双回路的耦合特性进行理论推导和数学分析，给出其归一化频率特性函数的二维、三维详细分析图，提出通频带具有连续与离散分布两种状态，并设计高频双调谐谐振放大器硬件实验电路进行验证其正确性。通过该实验电路，学生能透彻地理解高频双调谐谐振放大电路的原理及掌握电路设计方法。

关键词： FeFET   MFIS   MFISFET   MOSFET   analytical modeling  

摘要： The electrical characteristics of the ferroelectric field-effect transistors (FeFETs) are analyzed numerically and presented in this paper. The metal-ferroelectric-insulator-semiconductor field-effect transistor (MFISFET), among the primary structures, is taken into consideration. The nonsaturated hysteresis loop of the ferroelectric material is described by a novel analytical calculation for the relation of polarization against electric field (P-E). The combined impact of the nonuniform concentrations of electric field charge throughout the channel and the nonsaturated polarization of ferroelectric layers are considered to create a more realistic modeling. The proposed research work also provides an in-depth study of the electrical properties of the GAA-based Nanowire FeFET, exploring important variables including transconductance, subthreshold swing, as well as a threshold voltage. The analytical insights derived from the mathematical framework are consistent with the simulated results obtained with the ATLAS 3D simulator.