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关键词： 双馈风电机组   自适应频率支撑策略   频率响应模型   下垂控制  

摘要： 针对含双馈风机调频的系统频率响应模型不明确与转子有效旋转动能利用不充分的问题，提出一种基于双馈风电机组有效旋转动能的频率支撑策略。首先，基于传统系统频率响应模型建立了含双馈风机调频的系统频率响应模型，并推导计及风电渗透率下系统频率偏差域表达式，在不同阻尼比下分析双馈风机调频对系统频率响应特性的影响；其次，深入分析现有的计及双馈风机转子转速的频率支撑策略的优缺点；结合我国风电机组调频控制参数的规程要求，考虑双馈风机调频有效旋转动能，设计一种基于双馈风机有效旋转动能的自适应频率支撑策略；最后，基于IEEE 14节点电力系统模型，验证了所提策略在不同扰动、风速及风电渗透率条件下风机转子动能充分释放参与调频的优越性能。

关键词： 光伏功率   预测   区间二型模糊逻辑系统   灰狼优化算法   优化算法  

摘要： 针对短期光伏功率预测，在区间二型TSK模糊系统(Interval Type-2 Takagi-Sugeno-Kang Fuzzy Logic Systems， IT2 TSK FLS)的基础上，结合改进灰狼优化(Improved grey wolf optimizer， IGWO)算法策略，提出一种IGWO-IT2 TSK FLS方法。与一型TSK模糊逻辑系统方法相比，IT2 TSK FLS方法可以同时建模个体内不确定性和个体间的不确定性，在现有误差反向传播(Back Propagation， BP)算法训练的基础上，进一步将IGWO算法用于模型前件参数和后件参数的设计，以进一步提高模型的预测性能。通过对灰狼优化算法进行改进，引入早熟收敛判断机制、非线性余弦调整策略、Levy飞行策略，以提高算法的收敛速度和避免陷入局部最优的问题。将基于IGWO优化算法的IT2 TSK FLS方法应用于某地区的光伏功率预测实例中，在同等条件下，还与一型TSK FLS方法、基于BP算法、遗传算法，差分进化，粒子群优化、生物地理学优化、灰狼优化算法等不同IT2 TSK FLS方法进行比较。实验结果表明，所提出的IGWO-IT2 TSK FLS方法在性能上优于其他方法，显示出其有效性和应用潜力。

关键词： Electronic design automation  

摘要： This study optimizes 28 nm planar MOSFET technology to reduce device leakage current and enhance switching speed. The specific aims are to decrease subthreshold swing (S.S.) and mitigate drain-induced barrier lowering (DIBL) effect. Silvaco TCAD software is used for process (Athena) and device (Atlas) simulations. For the further development of MOSFET technology, we implemented our device (planar 28 nm n-MOSFET) with high-k metal-gate (HK/MG), lightly doped drain (LDD), multiple spacers (mult-spacers), and silicide. Simulation validation shows improvements over other 28 nm devices, with lower static power consumption and notable optimizations in both S.S. (69.8 mV/dec) and DIBL effect (30.5 mV/V). Copyright © 2024, The Authors. All rights reserved.

摘要： This study optimizes 28 nm planar MOSFET technology to reduce device leakage current and enhance switching speed. The specific aims are to decrease subthreshold swing (S.S.) and mitigate drain-induced barrier lowering (DIBL) effect. Silvaco TCAD software is used for process (Athena) and device (Atlas) simulations. For the further development of MOSFET technology, we implemented our device (planar 28 nm n-MOSFET) with high-k metal-gate (HK/MG), lightly doped drain (LDD), multiple spacers (mult-spacers), and silicide. Simulation validation shows improvements over other 28 nm devices, with lower static power consumption and notable optimizations in both S.S. (69.8 mV/dec) and DIBL effect (30.5 mV/V).

关键词： amplifier   gallium oxide   microwave frequencies   split recessed gate   TCAD simulations   wide bandgap semiconductors  

摘要： In this study, a split-recessed-gate Ga2O3 MOSFET has been proposed for high-frequency applications. Extensive simulations have been carried out using TCAD Silvaco to examine the analog characteristics as well as the critical high-frequency metrics of the proposed device. A comparison has been drawn with conventional recessed-gate beta-Ga2O3 MOSFET, and it is demonstrated that the proposed device outperforms the conventional device in terms of the high-frequency metrics due to its significantly lower parasitic capacitances and higher intrinsic gain. In addition, it was also demonstrated that the proposed device exhibits a substantial increase of 127.7% in the Johnson's figure of merit, significantly higher, i.e. 134.7% higher, than Baliga's high-frequency figure of merit, as well as a 3.25% increase in Baliga's figure of merit as compared to the conventional device. Furthermore, a two-port network analysis has been carried out for both the devices and it has been shown that the proposed device offers higher gain with a slight trade-off in the reflections at the input/output ports. The scattering parameters have also been extracted and used to perform the stability analysis. It was observed that the proposed device exhibits higher stability for the entire frequency range. Furthermore, a maximum gain amplifier was designed using the proposed device. An impressive gain of 11.04 dB was demonstrated at an ultra-high frequency of 3 GHz.

关键词： 大功率器件   准在线测试   应用特性   可靠性分析  

摘要： 高压大功率器件目前己广泛应用于各类大容量电力换流和控制装备中,在运行过程中面临复杂的电-磁-热-机应力,具有功率密度大、工况态势复杂的特点,开展高压大功率器件的特性测试有利于准确评估功率器件的可靠性,并指导变流器的优化设计.该文紧密围绕基于双脉冲的准在线测试方法,系统综述准在线测试在结温提取、老化表征、运行轨迹刻画、电磁云图分布等方面的应用情况和发展现状,梳理不同特性表征方法的优缺点及适用性,并进一步探讨在线运行工况下功率器件的实时状态监测和寿命评估方法.同时,面向第三代碳化硅半导体器件,深入讨论基于宽禁带材料电致发光原理的测评新方法,为后续高压大功率器件的可靠性评估提供指导和参考.

关键词： 三电平双有源桥DC-DC变换器   零电压开通   回流功率   双重移相   变压比  

摘要： 针对中点箝位三电平双有源桥DC-DC变换器存在回流功率及开关管损耗问题，提出一种零电压开通边界和范围内减小回流功率的优化控制策略。该控制策略在实现全部开关管零电压开通的前提下，减小回流功率。在双重移相控制下，分析三电平DAB变换器的工作原理，得到零电压开通范围，并且建立传输功率和回流功率的数学模型，分别在零电压开通边界和范围内对回流功率进行优化，最后通过仿真和实验平台验证了控制策略的有效性。

关键词： 微波等离子体   MPCVD   金刚石膜   数值模拟  

摘要： 微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）装置能够非常高效地产出高质量的金刚石薄膜，由于波长和腔体结构限制，传统2.45GHzMPCVD装置所沉积出的薄膜面积直径通常维持在50～70mm之间。以增大金刚石膜沉积面积为目标，通过对微波电场的仿真分析来优化和设计腔体尺寸，并对电子密度和温度的分布特性进行数值模拟，以保证等离子体能够均匀分布于沉积片上，将沉积直径扩增至90mm。模拟结果表明，当腔内微波源功率6000W，压力14.7kPa时，沉积片上可以产生电子密度和温度分别为1.76×1018/m3和4.7×104K的高密度且均匀的等离子体。

关键词： 输出功率   超宽带功率放大器   功率合成   Wilkinson功分器   多层混压板  

摘要： 针对信号发生器输出功率越来越高，而超宽带功率放大器输出功率和工作效率比较低的问题，本文提出一种平面微带功率合成技术。该技术主要采用超宽带Wilkinson功分器实现功率分配及合成。据此，本文采用多层混压板设计出一款超宽带功率合成电路：工作频率为6～20GHz，饱和输出功率大于32.5dBm，全频段合成效率大于70%。经实测验证：平面微带功率合成技术既可以提高输出功率，又可以将两个放大器分开，有效增大散热面积，保证电路的可靠性。

关键词： 溅射功率   二硫化钼涂层   结构形貌   电催化性能  

摘要： 以二硫化钼(MoS2)为代表的非贵金属产氢电催化剂因较高的催化性能在析氢催化方面引起广泛关注。本文采用磁控溅射法在泡沫镍（NF）基底上制备了MoS2催化涂层，研究了1000W、1500W、2000W和3000W不同溅射功率对MoS2涂层微观结构、组织形貌以及电化学起始过电位的影响。结果表明：溅射功率的改变会影响溅射离子能量从而影响MoS2涂层的结构形貌、相结构及电化学性能。不同溅射功率下MoS2涂层都呈现为蠕虫状生长且出现1T相成分，随着功率的升高表面形貌呈现沿 （100）晶面择优取向，在1500W时（100）衍射峰最强，涂层蠕虫状结构出现了很多细小的分支，涂层边缘暴露接触点位最多。通过电化学性能测试结果显示随着溅射功率的增大，MoS2涂层的电化学起始过电位先减小后增大，在1500W溅射功率下过电位最小，在10mA/cm2电流密度下其起始过电位值为148.5mV。