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关键词： 变压器   故障诊断   小样本   数据-机理驱动   虚实特征融合   频率响应分析  

摘要： 针对变压器绕组诊断的小样本场景,提出一种虚实特征融合的数据-机理驱动方法,通过引入仿真模型弥补实际样本特征不足的问题。提出虚实特征融合方法的原理,推导其基本公式,构建虚实特征融合的小样本故障诊断框架。搭建变压器绕组故障测试实验平台,采集包含不同故障位置、故障类型、故障程度的测试实验样本集,同时获得仿真模拟虚拟数据集。对比试验表明,所提数据-机理融合方法对多种智能算法在不同小样本程度下的诊断性能均有提升效果:在小样本程度为30%的小样本场景下,基于所提方法的平均诊断准确率提高了27.1%。针对虚实数据相似度对诊断结果的影响进行了探讨。

关键词： Ga_(2)O_(3)金属氧化物半导体场效应晶体管   栅场板   单粒子烧毁   TCAD仿真  

摘要： 设计了1种抗单粒子烧毁(single event burnout,SEB)效应能力较强的栅场板型结构Ga_(2)O_(3)MOSFET器件,并与平面型结构进行了对比,采用基于计算机辅助设计(technology computer aided design,TCAD)的商用半导体器件仿真模拟软件研究了2款器件发生SEB前后内部载流子浓度、电流密度等电学参数分布特性,深入研究了Ga_(2)O_(3)MOSFET器件发生SEB的机理及引入栅场板结构后SEB阈值电压增大的原因。在此基础上,对器件的结构进行优化,获得了抗SEB性能较好的结构参数。研究结果表明:2款Ga_(2)O_(3)MOSFET器件发生SEB的机理都是由于其内部难以实现p型掺杂,主要是电子导电,当器件处于关断状态时,栅极下方会形成耗尽区,而重离子入射碰撞离化产生的电子在耗尽区的积累会对衬底层中电子通道的开启具有显著影响。当器件发生SEB时,源极的电子会通过V型的电子通道流向漏极,使得器件发生短路,产生大电流并烧毁;与平面型Ga_(2)O_(3)MOSFET器件相比,引入栅场板结构的器件在沟道区域的峰值电场强度由2.9 MV·cm^(-1)降低至1.7 MV·cm^(-1),从而降低了重离子入射器件后,碰撞离化产生载流子的速率,另一方面,引入栅场板结构也扩大了耗尽区的范围,使得栅极的控制能力增强,将器件发生SEB的阈值电压从110 V提升至340 V;最后通过仿真优化SiO_(2)钝化层的厚度以及栅场板的长度,得到了抗SEB能力更强的器件结构参数,进一步将器件SEB阈值电压提升至380 V。

关键词： 型式试验   灭弧室   滤波器组   断路器   国家能源战略   外部专家   绝缘质量   电气装备  

摘要： 近日,由中国电气装备所属平高电气自主开发的550kV罐式滤波器组断路器完成全部型式试验,标志着该产品研制成功,平高电气已全面掌握滤波器组断路器研制核心技术。为确保电网的安全稳定运行,提升断路器的绝缘质量和灭弧室稳定性,平高电气积极响应国家能源战略需求,勇于担当,联合多部门成立专项攻关小组开展关键技术攻关,并邀请内、外部专家进行总体路线及方案评估。

关键词： 磷酸铁锂   硬碳   软碳   石墨   循环寿命  

摘要： 磷酸铁锂(LiFePO_(4),LFP)以低成本、高安全性、长循环寿命等优点在近些年来备受关注,然而市场上常见的LFP储能器件在0.1~2 C倍率的循环寿命为2000次左右。为了进一步开发高功率、长寿命的LFP储能器件,本文设计了容量为9 Ah的不同负极材料(硬碳/软碳/石墨)软包储能器件。对4 C大倍率循环性能进行探究,发现4000次循环后,硬碳和软碳用作负极的储能器件的容量保持率分别为83.0%、78.9%,优于石墨(51.6%)。通过XRD、EIS、容量增量法和电压微分法等手段进行分析,发现接触内阻和SEI膜内阻增加,以及结构变化造成负极中锂离子的消耗是容量衰减的主要原因。进一步探究石墨用作负极时循环寿命差的原因,发现石墨用作负极时库仑效率较低,工作温度较高,dQ/dV峰值在循环过程中发生更大的位移,峰强的降幅也较大。由于石墨的层间距为0.335 nm,小于软碳(0.360 nm)和硬碳(0.395 nm),在反复脱嵌锂过程中石墨更易发生结构变化,造成体积膨胀,因此循环后接触电阻和SEI膜电阻增长幅度较高,锂离子扩散动力学也更差。与石墨相比,硬碳和软碳用作大倍率LFP储能器件的负极活性物质时具有更长的循环寿命。

关键词： silicon carbide   short-circuit robustness (SC)   VD-MOSFET   P-type shielding layer  

摘要： This paper investigates the short-circuit characteristics of Silicon Carbide (SiC) Vertical Double-Implanted Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (VD-MOSFET) utilizing TCAD tools. Expanding upon the conventional VD-MOSFET structure, a novel 900 V SiC VD-MOSFET with two P-type shielding layers introduced in JFET region (PW-MOSFET), is proposed and designed. In contrast to the traditional VD-MOSFET, PW-MOSFET not only significantly improves short-circuit (SC) reliability but also optimizes static performance. Simulation results reveal that PW-MOSFET demonstrates notably superior SC performance at a DC link voltage of 600 V compared to the traditional VDMOSFET, with a 63% increase in Short-Circuit Withstand Time (SCWT) and a 25% enhancement in Baliga Figure of Merit (FOM). The key factor contributing to this performance enhancement is attributed to the advantageous role of the P-type shielding layers, facilitating adjustments in the current flow path, thereby suppressing saturation current and enhancing the reliability of short-circuit events. Furthermore, the issue of increased characteristic on-state resistance (Ron,sp) resulting from the introduction of the P-type shielding layers is addressed by augmenting the doping concentration in the JFET region.

关键词： 半导体厂商   罗姆   中国汽车行业   供应商   元器件   SiC   供货  

摘要： 全球知名半导体厂商罗姆(ROHM Co.,Ltd.,以下简称“罗姆”)于近日与中国汽车行业一级综合性供应商——联合汽车电子有限公司(United Automotive Electronic Systems Co.,Ltd.,以下简称“UAES”)签署了SiC功率元器件的长期供货协议。

关键词： 合同能源管理   变压器   节能降耗  

摘要： 为进一步挖掘供配电系统节能空间,引入效益分享型的合同能源管理模式,在原有供配电系统不变的前提下,应用新型电磁平衡、电磁感应及电磁补偿原理,采用动态调整稳定三相电压、电磁储能以及特有的柔性补偿调节技术,提高功率因素、消减谐波、降低涌流影响、实现智能稳压稳流,最终实现变压器的整体节能降耗,同时电能质量的提高,可延长设备的使用寿命。

关键词： 变压器   故障判别   检测措施  

摘要： 变压器是电力网中最重要的枢纽设备之一,其安全稳定的运行和实时数据检测具有重要意义。分析了变压器故障产生的多种原因,针对这些原因提出一系列切实有效的预防和检测措施,以保证电网的安全运行。

关键词： ECU支架   频率响应分析   强度   结构优化  

摘要： 发动机ECU支架主要用于安装和固定发动机ECU,确保ECU在车辆行驶过程中不会受到外部振动和冲击的影响,因此ECU支架设计的合理性非常重要。以某车型ECU支架为研究对象,应用Hypermesh进行前处理,Nastran软件作为求解器,对ECU支架进行频率响应分析,结果显示支架在40.16 Hz时构件最大应力达到459.1 MPa,远超材料的屈服强度,不满足强度要求。对支架进行结构优化设计,对优化后的方案进行强度校核,结果显示:强度满足要求。该分析方法可以为支架类零件设计提供参考依据。

关键词： 急救护理   急救治疗   车祸创伤   颅脑外伤   抢救成功率  

摘要： 分析急救护理对车祸创伤致颅脑外伤抢救成功率的影响。方法 从2022年1月到2023年12月内选择20例车祸外伤致颅脑损伤的患者进行研究,将其分为对照组与观察组,各10例,分别使用常规护理与急救护理。对患者神经功能缺损评分、抢救成功率等指标进行对比。结果 观察组神经功能缺损评分低于对照组,抢救率更高,且该组患者在格拉斯哥昏迷评分等方面对比上也均更占有优势,p<0.05。结论 急救护理应用于车祸致颅脑外伤患者的急诊治疗中可有效提升患者的抢救成功率,帮助患者改善神经功能。