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关键词： CMOS amplifier   Electronic circuits for signal processing   gm=ID methodology   Integrated circuits   MOSFET  

摘要： En este trabajo se presenta el an´alisis y dise˜no de amplificadores diferenciales CMOS usando la aproximaci´on de primer orden y dimensionando los transistores con la metodolog´ıa gm=ID. Se muestra el dise˜no de cuatro amplificadores usando par´ametros de una tecnolog´ıaCMOS 130 nm, y mediante simulaci´on spice se verifican conceptos b´asicos de desempe˜no y el cumplimiento de especificaciones. La comparaci´on del desempe˜no de los amplificadores dise˜nados, en la s´ıntesis de un filtro activo pasa-bajas, se hace para mostrar que los par´ametrosfundamentales de desempe˜no de cada amplificador, afecta el desempe˜no esperado del circuito bajo dise˜no, mostrando que el amplificadorCMOS no es de prop´osito general sino que la aplicaci´on aprovecha las caracter´ısticas del amplificador o, alternativamente, el amplificador sedise˜na para satisfacer los requerimientos de la aplicaci´on. Finalmente, si bien cada arquitectura se dimensiona usando las mismas especificacionesgenerales de desempe˜no, tambi´en es verdad que cada una presenta un desempe˜no global espec´ıfico y ´unico. Estas diferencias puedenobtenerse y entenderse con simulaci´on spice, toda vez que se usan adecuadamente los recursos de la herramienta de simulaci´on. Todos losresultados obtenidos son a temperatura ambiente. Descriptores: Circuitos electr´onicos para procesamiento de se´nales;CMOS;circuitos integrados;MOSFET;metodolog´ıa gm=ID. This paper presents the analysis and design of CMOS differential amplifiers using the first-order approach and sizing the transistors with thegm=ID methodology. The design of four amplifiers using 130 nm CMOS technology is shown, and through spice simulation basic conceptsof performance and compliance specifications are verified. The comparison of the performance of the designed amplifiers, in the synthesis ofan active low-pass filter, is made to show that the fundamental performance parameters of each amplifier, affects the expected performance ofthe circuit under design,

关键词： 有源电力滤波器   瞬时值比较   谐振抑制  

摘要： 有源电力滤波器(APF)是一种应对电网谐波污染的有效手段。此处提出了一种基于瞬时值比较的电流型APF控制方法。在此基础上,针对APF的控制方式引起电流谐振的现象,通过检测电网电压、网侧及负载侧的电流,采用网侧电压谐波和电流谐波双重阻尼反馈控制,使得有源滤波装置避免发生谐振,获得最理想的谐波补偿效果。仿真和实验结果证明了所提电流型APF控制方法的有效性。

关键词： 电网   无功功率   优化调整  

摘要： 本文首先分析化工厂电网无功功率的特点及其对电网运行的影响,指出了无功功率不平衡可能导致的电压波动、设备损耗增加和电能质量下降等问题;其次阐述当前无功功率优化调整的常用方法,包括静态无功补偿、动态无功补偿和基于智能算法的优化策略等。在此基础上提出一种结合化工厂电网特性的无功功率优化调整策略。

关键词： K-means++   多维测度   变压器   负荷矩   双层模型  

摘要： 针对现有多点分布式光伏电源接入配网后形成区域能源系统的变压器规划设计控制问题,考虑配网中高层建筑负荷、分布式光伏的容量大小、空间位置构建源荷多维测度分析模型;利用统计分析对分布式光伏的四季出力功率数据,片区负荷的用电数据进行处理,得到分布式光伏与负荷的四季时序曲线;采用K-means++算法对负荷区进行三维分区,以负荷矩作为基本测度;并考虑区域内负荷大小、距离、使用率等影响因素,结合分布式光伏电源的时间特性及接入位置等多维测度,研究了三维负荷矩测度的优化计算;利用粒子群优化算法对该模型进行求解,确定变压器位置与容量,采用变压器优化配置双层模型对变压器位置及可控性进行评估与分析;算例结果表明,本研究在多维测度内能够降低变压器优化容量下综合经济成本,变压器位置更接近分区的实际负荷中心。

关键词： V波段   GaN   功率放大器   单片微波集成电路   威尔金森   功率合成  

摘要： 设计了一款V波段GaN功率放大器单片微波集成电路(monolithic microwave integrated circuit,MMIC),该功率放大器采用130 nm的GaN高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor, HEMT)工艺。该功率放大器MMIC由两个功率放大器子电路和威尔金森功分器构成,设计中每个子电路均采用三级放大的拓扑结构,并通过高低阻抗微带线实现输入、输出及级间的阻抗匹配。该功率放大器MMIC的饱和输出功率为37 dBm(5 W),功率附加效率峰值达到22%。

关键词： 保险服务   专用变压器   财产保险   中小企业   供电公司   试点企业   运维   山东烟台  

摘要： 2024年10月16日,国网山东烟台供电公司与英大泰和财产保险股份有限公司试点开展“保险+运维”业务,推出企业专用变压器“一站式”保险服务方案,并完成首批意向客户签约,为中小企业专用变压器客户提供专业的运维服务和高效抢修服务。

关键词： 电容式电压互感器   红外测温   绝缘电阻  

摘要： 介绍两起35 k V电容式电压互感器异常分析与处理,一起为现场红外测温发现C相油箱温度异常,另一起为二次电压异常后停电检查,发现互感器绝缘电阻异常。及时发现并诊断分析及处理电容式电压互感器温度异常和绝缘电阻异常,为电力系统安全运行提供保障。

关键词： 工业建筑   总平面布置   竖向设计   交通流线  

摘要： 主要论述行业环境快速变迁的背景下,新工业厂区总图设计的核心内容、规划流程及其动态性设计理念与方法。文章提炼性地介绍了进行总图设计时应遵循的关键要点,旨在通过科学合理地总体规划设计和过程协调管理,有效地推动工业厂区建设项目实现高效有序的建设和运营。以便于优化资源配置,确保项目既满足当前生产需求,又能具备未来发展的灵活性与扩展性。

关键词： 遗传神经网络   雨雪光伏功率   高比例异常数据   分布置信度  

摘要： 在天气、设备以及多个因素的影响下,大部分光伏功率易出现异常。因此,该文提出基于遗传神经网络的光伏功率高比例异常数据检测方法。分析光伏功率高比例异常数据聚集特征,并利用遗传神经网络架构确定光伏发电条件概率分布。结合最小化估算区间原理,在确定高比例异常光伏概率分布情况下,估计光伏概率所在区间。利用遗传算法调整神经网络权值,确定神经细胞异常分数以及离群点异常分数平均值,从而判断当前数据是否为高比例异常数据,并得到光伏功率高比例异常数据检测结果。实验结果表明,该文方法能够有效检测出异常数据,误差小,实际应用效果好。

关键词： 快脉冲直线型变压器   开关电容一体化   初级放电支路   低电感  

摘要： 开关电容器组成的初级放电支路是快脉冲直线变压器(FLTD)的基本单元,在输出电流幅值和前沿不变的前提下,降低单元回路电感可有效减少放电支路及气体开关的使用数量,从而提高FLTD的整体可靠性。因此,设法降低初级支路电感是FLTD关键技术。基于开关电容一体化技术研制了一台低电感FLTD初级放电单元,采用环形高压脉冲电容器作为能量储能元件,其工作电压100 kV,电容量39.6 nF,内电感8.8 nH。实验测试了初级放电单元的工作特性,结果表明:在±50 kV工作电压下,初级放电单元的短路电流幅值40 kA,前沿50 ns,回路电感为101 nH;在±80 kV工作电压下,初级放电单元对匹配负载的输出电流幅值为30 kA,前沿66 ns。