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关键词： 匝间短路   瓦斯保护   电流变化   匝间绝缘   差动保护   短路电流   过负荷运行   速断  

摘要： 变压器匝间短路是一种较为常见的变压器故障,了解和掌握变压器匝间短路的常见原因和判断方法,对于提高变压器安全稳定运行水平具有重要意义。1变压器匝间短路的常见原因1.1运行环境差绝缘材料的老化速度与工作温度直接相关,因此,当变压器散热不良或长期过负荷运行时,绕组匝间绝缘材料的运行温度会随之升高,加之匝间的散热能力相对较弱,绕组将会在高温环境下持续运行,极易导致间短路较轻微时,仅短路的匝间会有较大短路电流,而电源侧提供的电流变化并不大,因此,速断、差动保护可能不反映,仅瓦斯保护会动作。

关键词： 断路器   微机防跳   机构防跳   寄生回路  

摘要： 本文针对变电站变压器断路器出现的跳跃现象,分析了微机防跳和机构防跳的原理和适用场景,对于两种防跳方法同时运行时出现的相互干扰问题,提出了基于消除寄生回路和基于回路定时复位的两种改进方法,可以有效解决两种防跳方法串联工作时产生的寄生回路和死循环问题,同时还能提高变电站的工作稳定性。

关键词： 低通滤波器   GaAs   集成无源器件   高阻带  

摘要： 射频低通滤波器是射频电路的重要组件之一,它基于电感和电容的特性,具有阻止高频信号而通过低频信号的作用。基于GaAs集成无源器件技术,使用ADS仿真软件,在滤波器设计中的特定位置使用不同品质因数(Q值)的电感,最终设计实现了一款性能优良的高阻带抑制低通滤波器。测试结果表明,在通带DC~17 GHz内,滤波器插入损耗≤2.28 dB,回波损耗≥14.5 dB,其带外抑制在22 GHz处达到23 dB,在26~50 GHz处≥43 dB,芯片尺寸为1.4 mm×0.55 mm×0.1 mm,该滤波器性能优异。

关键词： QoS Flow   性能   成功率   监测   优化  

摘要： QoS Flow建立成功率是评估网络性能的重要指标之一。当QoS Flow建立成功率较高时,意味着网络能够更好地满足应用程序和用户的需求,提供更稳定、更快速的数据传输服务。通过对QoS Flow建立成功率的监测和分析,可以更好地了解网络资源的分配情况,并根据实际情况进行优化,提高网络资源的利用效率。对于用户而言,QoS Flow建立成功率直接关系到其使用网络应用程序的体验。高QoS Flow建立成功率可以为用户提供更快速、更流畅的网络服务,满足用户的需求。因此,QoS Flow建立成功率对于网络性能的提升、应用程序质量的保障、网络资源的优化、问题的发现和解决以及满足用户需求都具有重要的意义。

关键词： 电容式电压互感器   铁磁谐振试验   测控装置  

摘要： 电容式电压互感器的铁磁谐振试验,需要对试验波形进行分析处理,人工处理比较繁琐,耗时较长。针对这一问题,本文介绍了一种电容式电压互感器铁磁谐振试验测控装置,可对短路开关进行控制,自动采集和分析试验波形,自动存储试验结果和波形数据,。将该装置用于实际电容式电压互感器进行铁磁谐振试验中,结果显示,测控装置比人工处理波形省去了人工处理波形的时间,提高了工作效率。

关键词： 干扰对消   扰中侦   中断概率   性能分析   功率优化  

摘要： 为了定量描述干扰对消性能对扰中侦系统的影响,提出了非理想干扰对消条件下干扰-侦察中断概率的概念,推导了干扰-侦察中断概率性能闭式表达式,并进一步给出了理想干扰对消情况下的渐进中断概率表达式。基于所推导性能闭式表达式,求得了使干扰-侦察中断概率最小化的最优干扰功率。利用蒙特卡罗仿真验证了推导结果的准确性和最优功率的正确性。结果表明,干扰-侦察中断概率随着干扰对消比增大而减小,但随着干扰功率和发射功率的增大先减小后增大;最优干扰功率随着发射功率的增大而逐步增大,但最优干扰-侦察中断概率性能随着发射功率的增大而趋于常数。

关键词： PCS变流器   谐振控制   LLCCL滤波器  

摘要： 在新能源分布式并网系统中,通常采用无源低通滤波器对变流器产生的高频谐波进行有效衰减。滤波器的滤波特性好坏直接决定着系统性能和体积,发展高功率密度变流器需要进一步提高滤波器的高频谐波衰减效果。对此,提出采用LLCCL型并网滤波器,其不仅能对开关频率处谐波实现陷波效果,同时具有LCL滤波器对高次谐波的高衰减特性;提出采用滤波电容串联阻尼电阻来实现对LLCCL滤波器谐振频率的抑制,同时利用PR控制器及相位补偿算法抑制低频谐波。仿真和实验均验证了所采用的滤波器以及控制策略可以有效抑制系统谐振,降低并网电流和电压的谐波含量。

关键词： 大功率   固体继电器   电路设计  

摘要： 本文介绍一种大功率交流固体继电器的工作原理和电路设计方法,重点介绍了输入(恒流)电路设计和过压保护电路设计。

关键词： 麦克斯韦方程组   计算电磁学   高功率电磁   人工智能(AI)   智能电磁计算  

摘要： 以麦克斯韦方程组为理论基础,计算电磁学在电磁预测、故障诊断等高功率电磁领域取得了显著进展。近年来,随着人工智能(artificial intelligence,AI)技术的发展,其强大的数据拟合和非线性学习能力使得其在高功率电磁计算领域获得了广泛关注,为解决数据限制、计算负担等若干高功率电磁领域的研究瓶颈提供了新的可能。本文讨论了AI在高功率电磁计算领域的若干研究成果,并对该领域的发展进行了展望。

关键词： 氮化镓   异质结   二维电子气   高电子迁移率晶体管   氮化镓单片功率集成   p沟道  

摘要： 宽禁带、高临界击穿电场和高饱和电子速度的材料优越性,以及铝镓氮/氮化镓(Al GaN/GaN)异质结能通过极化不连续性在其界面极化诱导出具有高浓度、高迁移率的二维电子气并制备出高电子迁移率晶体管,使氮化镓器件正成为下一代功率和射频应用领域的新型高性能电子器件。氮化镓基单片功率集成技术是减小寄生电感影响、提升集成电路开关速度、降低系统功耗和实现系统小型化的关键技术。该文围绕氮化镓单片功率集成技术,对p/n双极性沟道异质结外延结构、单片异质集成、全氮化镓集成电路和p沟道器件关键技术的研究进展进行了全面分析。