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关键词： 变压器损耗   节能   经济运行   配电变压器  

摘要： 随着5G通信网络商用及数字经济的爆发,通信信息产业(ICT)已成为国民经济和社会发展的基础性产业,ITC机房对电力能源的需求也将快速提升。而配电变压器在满足ICT机房安全、稳定用电需求的同时,其自身能耗损失总量十分可观。变压器节能降耗潜力巨大,不仅是贯彻国家政策要求、承担社会责任的需要,也是减少企业成本开支、提升企业管理水平、增强企业核心竞争力的需要。

关键词： 功率耗散   栅极驱动   散热分析   耗散功率   集成电路   结温   MOSFET   功率损耗  

摘要： 高频率开关的MOSFET和IGBT栅极驱动器,可能会产生大量的耗散功率。因此,需要确认驱动器功率耗散和由此产生的结温,确保器件在可接受的温度范围内工作。高压栅极驱动集成电路(HVIC)是专为半桥开关应用设计的高边和低边栅极驱动集成电路,驱动高压、高速MOSFET而设计。《高压栅极驱动器的功率耗散和散热分析》白皮书从静态功率损耗分析、动态功率损耗分析、栅极驱动损耗分析等方面进行了全面介绍。

关键词： 功率系数   超高压输电线路   单相接地   故障检测   特征提取  

摘要： 在判别单相接地故障性质时,识别故障位置是一个重要步骤。设计一种基于功率系数的超高压输电线路单相接地故障位置识别方法。该方法能够计算超高压输电线路单相接地故障下的功率系数,实现对负载损耗来源的量化。在实际负载损耗情况下,将线路等价为一个暂态等值电路,并实施输电线路的暂态分析,提取线路单相接地故障的暂态特征。基于多特征加权灰靶决策,设计超高压输电线路单相接地故障位置识别模型,实现单相接地故障的位置识别。测试结果表明,该方法的故障位置识别误差和平均故障位置识别时间都较短,具有一定的有效性。

关键词： 分布式光伏   功率预测   深度学习   模式识别   概率预测  

摘要： 分布式光伏功率不确定性的量化评估对于配电网安全稳定运行具有重要意义.考虑到不同出力波动模式下功率特性差异显著,为得出适应功率波动模式的预测模型并对功率不确定性进行精细化评估,提出一种分布式光伏集群发电功率波动模式识别与超短期概率预测方法.首先,综合卫星云图和光伏功率数据,通过出力波动的特征提取构建波动模式识别模型,实现对波动规律的挖掘.在此基础上,通过分类建模考虑不同波动模式的可预测性差异及波动模式与预测误差的关联关系,使预测区间宽度能更好地适应预测误差分布特征.由此实现对不同波动模式下功率不确定性的精细化考虑,从而提高概率预测精度,为电网调度提供更多参考,削弱分布式光伏功率强波动性对电力系统的影响.

关键词： 绝缘体   硅功率半导体   单芯片   集成技术  

摘要： 绝缘体上硅功率半导体单芯片集成技术是目前制作芯片的主要技术之一,使用该项技术生产的芯片体积小、损耗低,虽然技术难度高,但是在单封装形式下,智能功率大幅提升。通过对半导体单芯片的介绍,分析绝缘体上硅功率半导体单芯片集成工艺模式及集成工艺平台,并利用发射极、漂移区、集电极优化技术,通过检测半导体单芯片的可靠性、稳定性以及灵敏度,测试绝缘体上硅功率半导体单芯片集成技术的应用效果。

关键词： 大功率短波发射天线   偏向开关   控制原理   存在问题改进   维护经验  

摘要： 本文介绍了短波发射天线场地偏向开关电气控制系统的结构,详细阐述了偏向开关的控制原理,对偏向开关运行中存在的问题进行了分析,并进行了相应的改进,交流了偏向开关的维护经验。

关键词： Sub-100 nm DG-MOSFET   gate-oxide dielectric   high-frequency   inverter   metal work function  

摘要： This paper presents simulation analysis of an inverter made from non-aligned double gate field effect transistors (NADGFETs) in Sub-100 nm regime. The inverter consists of n-channel NADGFET and p-channel NADGFET device with a channel length of 40 nm and 50% non-alignment between gate and source/drain. The response of the inverter was tested by a combination of gate dielectric constant (k) and metal work function (phi). Three gate dielectrics namely, SiO2 (k = 3.9), Si3N4 (k = 7.2), HfO2 (k = 24), and three metal work function namely tungsten (phi = 4.5 eV), molybdenum (phi = 4.75 eV), gold (phi = 5 eV), were considered in the NADGFET inverter. This paper defines a k phi index as characterising parameter to explore the best response from inverter configuration with minimum propagation delay, and minimum power consumption at super-high frequency. The paper proposes to analyse the NADGNFET device, in term of ION current, ION/IOFF ratio, cut-off frequency, and gate delay. And observes that low k material with moderate metal work function gives best response. The work then simulates the inverter and group the results into voltage transfer curve (VTC), transient response, and power dissipation category. The result shows that when inverter was subjected to high frequency, all the k phi combination responds good, however when the inverter was subjected to super-high frequency, the low value of k phi combination performs well. Thus, the result concludes that SiO2-M-2 combination will be best selection to get minimum propagation delay and dynamic power dissipation by the inverter. The test strategy presented in this paper on the basis of k phi index can serve as benchmark to test inverter device at super-high frequency.

关键词： 半导体器件   碳化硅   栅氧可靠性   功率循环   栅偏试验  

摘要： SiC MOSFET在车载逆变、充电设备上应用前景广阔,随着国家能源战略的转型升级,其市场规模有望进一步扩展。栅氧可靠性是SiC MOSFET最受关注的问题之一,但传统试验方法在应用于新产品时面临有效性低、时效性差的问题,本文讨论了3种可用于栅氧可靠性快速评估的试验方法,总结了不同方法的试验原理、典型试验现象,讨论了各方法的适用性,介绍了包括阈值电压、栅极漏电流的特征参数退化现象和提取方法。

关键词： 光电二极管   OPA2846   AD9220   光功率计  

摘要： 为了实现多参数激光告警中激光在不同波长、不同方向下光功率的准确测量,设计了一种光功率检测电路。该电路主要由光电探测模块和A/D采集模块两部分组成。光电探测模块由光电二极管和运放OPA2846组成,A/D采集模块是由AD9220模数转换电路和FPGA接口电路共同构成的。来袭的连续激光经过光电探测模块将光信号转化为电压信号,电压信号经过A/D采集模块后转换为数字信号,通过接口电路传到FPGA,FPGA再根据激光告警系统获得的来袭激光波长和方向对光功率进行修正和显示,同时用光功率计进行定量标记,在满足光电二极管的线性响应范围内,可得出光功率与采集到的电压值之间呈线性关系。在不使用外置光衰减片的条件下,该电路实现了不同入射角在400 nm~1700 nm光谱范围内、0~60 mW功率范围内对光功率的测量,与标准功率计测得的结果对比误差小于0.5 mW。

关键词： 绝缘电阻   失效分析   内部水汽   电化学迁移  

摘要： 对某型导弹电源系统上应用的一种直流电源滤波器进行故障分析,通过X光检测、电性能测试、开封检查、能谱分析、高加速寿命试验(HAST)等方法,发现滤波器绝缘电阻异常是由内部多余物和水汽共同引起的电化学迁移造成的,通过建立故障树逐步分析的和定位失效原因,探究其失效机理,并通过试验进行验证,最后针对此类问题提出有效的控制措施,可对提升此类滤波器的可靠性提供参考。