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关键词： 永磁同步电机   伺服控制系统   双惯量弹性负载系统   双线性变换法   频率辨识   陷波滤波器   归一化估计算法   陷波参数自整定  

摘要： 针对传统陷波器进行永磁伺服系统共振抑制时需设置多个陷波器或手动设置陷波参数等问题，文中提出了一种基于自适应陷波滤波器的永磁伺服系统在线共振抑制方法。分析双惯量弹性负载系统，推导并给出电机惯量等关键参数与机械共振频率的关系。设计了基于双线性变换法的可调陷波宽度及深度陷波滤波器，采用归一化估计算法辨识系统的共振频率，并将其自整定陷波滤波器的宽度和深度系数。为验证所提方法的正确性，搭建实验平台并进行实验测试。结果表明，在采用所提方法进行共振抑制性能测试时，共振频率辨识精度为1.87%。在引入自适应共振抑制陷波器前后，电机转速稳态误差从6.0%减少到2.8%。当出现两个共振点时，陷波器参数在1.28 s内及时更新，第2个共振频率的辨识精度为2.10%。在引入自适应共振抑制陷波器前后，电机转速稳态误差从1.6%减少到0.7%，验证了所提算法的有效性和优越性。

关键词： 神经动力学   功率谱   临界转迁   早期预警信号  

摘要： 在神经系统中，脑疾病的发生往往对应着神经系统的临界转迁与神经元的异常放电，因此对临界转迁的早期预警信号（EWS）的研究有助于预测神经元的放电行为，从而预防脑疾病的发生．传统EWS，如自相关系数、方差等指标，虽然能对动力系统的分岔点进行早期预警，但其无法对分岔类型进行区分．而基于功率谱的EWS可以有效预测分岔点并且区分分岔类型，且在气候及生态模型上的预测效果良好．本文将基于功率谱的EWS应用在神经元系统中，先后考察了Morris-Lecar和Hindmarsh-Rose模型神经元放电所对应的四种余维一分岔点前的临界现象，分别计算了传统EWS和基于功率谱的EWS，并进行了对比分析．结果表明基于功率谱的EWS能有效地预测神经元放电，并且能够对不同神经元的I型兴奋和II型兴奋作出区分．本研究对神经系统的临界转迁的预测有着重要的指导意义，对神经系统疾病的诊断和治疗有着重要的启示作用．

关键词： 220kV   重瓦斯继电器   油流涌动  

摘要： 变压器作为电力系统网络中的重要组成部分,其运行使用工况优劣程度深深影响着电力网络安全运行.本文以某起 220kV变压器在空载投运过程中引起重瓦斯保护动作为案例展开误动过程分析,并针对性提出了现场情况的改进措施和整改措施,旨在保障供电可靠性以及电力系统运行的稳定性.

关键词： 变压器油下图像增强   Retinex   通道补偿   多尺度加权  

摘要： 针对变压器油下图像存在颜色失真、亮度低和细节失真问题，该文提出一种多尺度加权Retinex变压器油下图像增强算法。首先，为了缓解变压器油下图像颜色失真问题，提出一种混合动态颜色通道补偿算法，根据拍摄图像各通道的衰减状态对衰减通道进行动态补偿。然后，为了解决细节失真问题，提出一种锐化权重加权策略。最后，该文创新性采用金字塔多尺度融合策略对不同尺度Retinex反射分量和相应权重图进行加权融合得到变压器油下清晰图像。实验结果表明所提算法可以有效解决变压器油下图像复杂退化问题。

关键词： MOSFET   Logic gates   Threshold voltage   Temperature distribution   Surface roughness   Rough surfaces   Temperature measurement   Silicon carbide   Scattering   Inverters   CMOS devices   digital ICs   high temperature   silicon carbide (SiC)   wide temperature range  

摘要： This article reports the influence of temperature on digital ICs fabricated in 4H-SiC CMOS process technology. The performances of CMOS devices were compared and analyzed at different drain voltages from 25 $<^>{\circ}$ C to 500 $<^>{\circ}$ C. The current-output capability of n-channel MOSFET improves with increasing temperature up to 500 $<^>{\circ}$ C, while that of p-channel MOSFET reaches an optimum at nearly 350 $<^>{\circ}$ C. The current-output capability of n-channel MOSFET is limited to lower than that of p-channel MOSFET below a temperature point when the drain voltage rises, due to the velocity saturation of electrons. Furthermore, the value of temperature point increases with higher drain voltage. A typical inverter was characterized and analyzed in detail based on the characteristics of CMOS devices. The fall/rise time and high-to-low/low-to-high propagation delay time show a similar temperature characteristic of the drain current of n-and p-channel MOSFETs, respectively. Compared to fall and rise times, the high-to-low and low-to-high propagation delay times intersect at a higher temperature because of the different drain voltages when extracting parameters. The temperature characteristics, including the oscillation frequency of ring oscillators and the output current of gate driver, were also analyzed through the performances of CMOS devices.

关键词： 电动汽车   大功率充电   电池热管理   充电时间  

摘要： 为提高动力电池在大功率直流充电状况下的充电效率，提出一种基于充电桩热泵系统的电池热管理系统，以某款电动汽车的动力电池为例，研究该热管理系统在-20，-10,0,20和40℃5个不同工况下大功率直流充电的温度特性和充电时长问题。使用数值仿真软件对系统进行建模并分析，结果表明，电桩式电池热管理系统响应快、效率高，且最高温度可控制在50℃以下。在低温0，-10和-20℃工况下，相较于原车载式电池热管理系统，可分别为动力电池节约10.6%,17.9%和24.6%的充电时间；在20℃和40℃工况下可节省1.4%和6.0%的充电时间；对比动力电池各阶段所用的充电时间，所提出的系统主要是比原系统减少了电量0～20%范围内的充电时间。

摘要：

As metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) devices approach their dimensional scaling limits, 3D structures such as gate-all-around FETs (GAAFETs) have been introduced to improve the electrical characteristics of transistors by increasing the effective channel width. In modern logic devices with a GAA structure, in-situ doped epitaxial silicon is grown on recessed source/drain (S/D) regions using selective epitaxial growth (SEG) process. However, the SEG process poses a competitive disadvantage in terms of complexity and cost. To simplify the integration process, we propose a method for forming S/D without relying on SEG. In this study, we investigate the formation of S/D using nanosecond laser annealing process in devices with multilayer channels. Three pairs of Si/Si_0.7Ge_0.3 multilayer films were deposited on Si (100) substrates using ultra-high vacuum chemical vapor deposition (UHVCVD). After deposition, boron and phosphorus dopants were implanted into the structure. Samples were then subjected to nanosecond laser annealing under various conditions using a krypton fluoride (KrF) pulse laser. Finally, we obtained recrystallized and doped films that function as S/D. Transmission electron microscopy (TEM) confirmed the microstructure of recrystallized films as function of increasing laser power density. Additionally, the dopant distribution was analyzed using secondary ion mass spectrometry (SIMS). High resolution X-ray diffraction (HR-XRD) was employed to examine the strain behavior in the films. Results indicate that the nanosecond laser annealing process is a viable method for forming S/D in devices with Si/SiGe multilayer channels.

Acknowledgements

This work was supported by the Joint Program for Samsung Electronics at Yonsei University and the Technology Innovation Program (20010598) funded by the Ministry of Trade, Industry & Energy (MOTIE).

关键词： 价值导向预测   光伏功率预测   组合预测   双层优化   自组织映射   光储电站  

摘要： 光储电站运行包含光伏功率预测与资源优化调度两部分，通常首先以预测精度最高为目标进行光伏功率预测，再基于预测曲线进行光储电站优化调度。然而，优化调度问题的目标函数值与光伏功率预测误差具有非线性、非对称关系，在相同的预测误差水平下，以精度最高为目标的光伏功率预测结果并不一定使得光储电站运行收益最大。对此，提出了面向光储电站运行收益提升的光伏功率价值导向预测方法。首先，构建包含光伏功率预测与电站运行的双层优化问题，上层为光伏功率日前预测模型训练问题，下层为给定光伏功率预测模型下的光储电站日前投标与日内运行两阶段优化调度问题。然后，将上层预测问题变形为组合预测形式，预测模型参数设置为权重系数，设计了基于迭代优化的预测模型参数求解方法。最后，采用实际光伏电站数据以及电价数据进行算例分析，并与以预测精度最高为目标的光伏功率预测方法进行对比，验证提出方法在提升电站运行收益方面的有效性。

关键词： 无差拍控制   鲁棒稳定性   测量噪声抑制   混合预测   硬件在环测试平台  

摘要： 在工程化实现过程中，常规无差拍电流跟踪控制实际上演变为差一拍控制，导致有源电力滤波器谐波补偿性能的下降。本文在分析系统延时对数字控制影响的基础上，综合采用自适应前向线性预测和重复预测算法提前2个采样时刻预测谐波补偿参考电流，以系统动态是否发生为依据，设定两种预测算法切换的判别条件。为了提前一拍预测逆变器输出电流，同时有效抑制测量噪声，逆变器电流预测环节同时使用待补偿谐波参考电流和输出电流历史数据作为输入。无差拍控制高度依赖主电路数学模型，对模型准确性高度敏感，抗噪声干扰能力较差，为此本文分析了主电路输出滤波电感和电阻参数发生偏移情况下所提预测型无差拍控制的稳定性，进一步分析了电流和电压测量噪声在系统中的传递情况。最后，本文对三种预测型无差拍控制进行了仿真和实验对比研究，验证了本文所提混合预测型无差拍控制算法的有效性。