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关键词： 矿热炉   低压补偿   谐波治理   有功功率   无功功率  

摘要： 本文针对矿热炉低压补偿技术在铁合金行业应用中涉及的无功补偿量计算方法、矿热炉短网无功功率占比和大电流导体集肤效应进行了理论分析,同时针对矿热炉谐波治理问题,提出根据谐波检测结果判定是否需要治理和设计必需的滤波装置。最后提出了矿热炉低压补偿设计的基本原则。

关键词： 分布式光伏发电站   功率因数   无功补偿  

摘要： 针对分布式光伏电站并入油田电网后造成功率因数降低的问题,对造成功率因数降低的原因进行分析,提出相关的无功补偿方法和解决措施,为后续电网运行确保功率因数通过考核提供参考。

关键词： 超大容量变压器   局部过热   漏磁分析  

摘要： 油浸式超大容量变压器外部件局部过热发生典型部位,主要集中在大电流引线附近,是由大电流产生的磁通所造成的。本文作者通过应用三维模型仿真技术,控制结构件中杂散损耗,防止局部过热,并通过试验进行验证,对于过热部位给出相应的解决方案。

关键词： 振动与波   加筋板   横向振动   弹性边界   傅里叶级数   功率流  

摘要： 从能量传输角度开展弹性边界约束条件下加筋薄板结构振动特性研究。加筋薄板结构振动系统横向振动位移采用边界光滑傅里叶级数展开,在加筋薄板端部引入平动约束弹簧与旋转约束弹簧,通过设置约束弹簧的刚度数值模拟任意边界条件。基于能量原理描述弹性边界约束加筋薄板结构振动系统的总势能、总动能与外激励做功项,结合瑞利-里兹方程得到系统的标准特征方程,弹性边界约束加筋薄板结构的振动响应特性可以通过求解标准特征方程得到。通过数值算例,验证本方法在求解弹性边界约束下加筋薄板结构振动特性的准确性,探究加强筋位置、高宽比以及边界约束弹簧刚度对系统振动特性、能量流响应的影响规律。本方法具有快速收敛、高效、高精度的特点,可为研究弹性边界约束加筋薄板结构动力学行为提供有效分析手段。

关键词： 红光半导体激光器   大功率   腔面灾变性光学损伤   双区电极  

摘要： 针对大电流下前腔面不稳定导致出现灾变性光学损伤(COMD)的问题,提出一种双区电极的半导体激光器,并对该结构激光器的COMD阈值、峰值功率、阈值电流、光谱稳定性及翘曲效应进行研究。在相同工艺条件下测试了单一电极结构和双区电极结构半导体激光器的COMD阈值、峰值功率、阈值电流、波长红移速度等参数。结果表明:在同等工艺条件下,主增益区阈值电流为80 mA,阈值电流降低20%,在窗口区15 mA电流的驱动下,双区电极的半导体激光器对比单电极半导体激光器COMD阈值能够提高13%、峰值功率能够提高12%,同时减少了波长红移并改善了翘曲效应。

关键词： 小电流接地故障   滤波器   PPO算法   强化学习   故障特征提取  

摘要： 小电流接地系统因其经济性和简单性在10kV及以下的配电网中被广泛应用,但系统发生单相接地故障时及时准确地定位故障线路是一个复杂且具有挑战性的任务。带通滤波器通过选择性地通过特定频段的信号,能够有效地抑制工频谐波和高频噪声,保留故障特征信号,可以有效提升基于暂态量的首半波选线算法的准确率。基于强化学习PPO算法通过大量仿真及真型试验录波数据来优化带通滤波器的参数,提升小电流接地系统中接地故障选线算法的精度与可靠性。研究结果显示,通过强化学习优化得到的带通滤波器参数可有效提取故障特征信号,研究结论为小电流接地故障滤波器设计提供了可靠的决策依据。

关键词： PHEV   功率分流   综合能耗  

摘要： 通过Matlab/Simulink软件建立了功率分流式PHEV车辆动力学仿真模型,并对各种工况下发动机、TM电机、ISG电机、电池的瞬时响应特性展开了研究,在此基础上提出了基于等效综合能耗最低的动力分配策略。计算结果表明:应用此动力分配策略选取发动机、ISG电机、TM电机的最佳配合,整车的综合能耗率得到显著降低。

关键词： 变压器   局部放电   测试程序  

摘要： 判断变压器绝缘是否存在缺陷的方法主要有局部放电测试法,文章介绍了局部放电的原理,详细分析局部放电测试准备工作、系统校准、测试步骤等内容,设计搭建了变压器局部放电测试系统平台,并在测试平台上进行局部放电测试对比分析,能够满足变压器局部放电测试要求,对开展变压器局部放电测试有现场指导意义。

关键词： 可靠性   热载流子注入(HCI)   轻掺杂漏极(LDD)   器件退化   寿命预测  

摘要： 集成电路器件密集化导致电场梯度增大和电流密度集中,加剧了热载流子效应,电热性能退化。本文聚焦热载流子注入(Hot carrier injection, HCI)效应对器件可靠性的影响问题,通过研究N型轻掺杂漏极金属氧化物半导体场效应晶体管(N-type lightly doped drain metal-oxide-semiconductor field effect transistor, LDD NMOSFET)的寿命试验,深入分析了中栅应力区HCI对器件关键电学参数的影响,并与低栅应力区的退化模式进行了对比。结果表明,线性漏极电流的退化率高于饱和漏电流,但退化幂律小于饱和漏电流;在相同应力下不同电学参数的退化率不同,其中最大跨导的退化率最高。基于测试数据构建了LDD NMOSFET电学参数随应力时间变化的关系,提取模型参数,确定了寿命预测模型,并外推出了不同应力电压下的器件寿命。