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关键词： 非正交多址接入   同时透射和反射的智能可重构表面   能量效率   功率   相移  

摘要： 对于同时透射和反射的智能可重构表面(STAR-RIS)辅助的上行非正交多址接入(NOMA)系统，提出了一种最大化能量效率的方法。首先构建最大化能量效率的优化问题，优化参数为基站波束赋形、STAR-RIS相移、用户功率和时间分配；然后通过推导波束赋形与STAR-RIS相移等参数之间的关系和用户所需的最低功率，简化该优化问题；最后，用迭代的方法交替优化STAR-RIS相移、功率分配和时间分配，在每次迭代过程中用半正定规划法优化STAR-RIS相移、Dinkelbach算法优化功率、函数极值法优化时间分配。仿真结果显示，在时间切换协议中时间分配对能量效率影响较小，STAR-RIS相移对能量效率影响较大。

关键词： 电网模拟器   线性自抗扰   滤波器滤波  

摘要： 针对目前新型电力系统中测试电力电子设备在各种工况下运行情况的需要，提出利用线性自抗扰技术控制的策略，研究具有线路阻抗模拟功能的电网模拟器。在此基础上，为了对各次谐波进行分离控制，利用改进后的滤波器组进行电网电压的分离滤波，达到独立的阻抗模拟及谐波输出的效果。仿真和实验证明，提出控制策略有较好的输出效果。

关键词： Bio-FET system   extended-gate   MOSFET   pH tests   biofunctionalization   IgG  

摘要： Measuring urine pH and metabolite concentrations is crucial for detecting potential health issues like urinary tract infection, kidney failure, and metabolic disorders. To address this issue, we are working on the development of a Bio-FET system, a biosensor based on field-effect transistors. This system utilizes a microfabricated gold electrode to detect not only urine pH but also specific biomarkers. As a pH sensor, the developed system shows a good response, with a corresponding sensitivity of 2.20 µA/pH. For biomarker detection, the system successfully detected immunoglobulin G, with antigen–antibody binding causing a measurable change of approximately 4 µA.

关键词： 直流微电网   分布式二次控制   一致性算法   电压补偿   功率分配   影响因素  

摘要： 【目的】针对直流微电网中的多分布式电源（distributed generator，DG）采用传统下垂控制时，难以实现多DG的负荷精确分配、母线电压稳定，以及考虑DG的容量安全运行等控制目标，提出了一种孤岛直流微电网电压调节与功率分配分布式控制策略。【方法】首先，通过理论推导，分析母线电压跌落偏差和电流校正偏差，设计统一控制器，其能补偿传统下垂控制引起的母线电压跌落的同时实现负荷功率的精确分配。引入电流限幅环节以确保各DG输出电流不超限。并结合所提出的控制策略对微电网系统进行稳定性分析，最后，使用MATLAB/Simulink软件搭建仿真模型加以验证。【结果】结果显示：所提单控制器策略可以保证母线电压持续稳定在额定值，实现负荷功率的高精度分配，且系统不受负荷功率波动的影响，可通过电流限幅环节设置最大限幅电流从而保证DG输出电流不超限，稳定性分析环节证明该系统稳定且不受下垂系数以及截止频率变化的影响。【结论】结果表明：所提母线电压补偿、负荷功率分配统一控制器策略能有效实现多个控制目标，能够减轻系统通信压力，减小操作复杂度，实现微电网高效稳定运行。

关键词： MOSFET   4H-SiC   bias temperature instability (BTI)   hole trap   hole trap   MOSFET   hole trap   nitric-oxide (NO) annealing   nitric-oxide (NO) annealing   time- dependent dielectric breakdown (TDDB)  

摘要： Reliability challenges persist with silicon carbide metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (SiC MOSFETs) in power electronic applications due to low oxide quality. There are still some issues, such as low mobility, bias temperature instability (BTI), and low lifetime in it. Nitric-oxide (NO) postoxidation annealing is a key technology to achieve high mobility. In this study, we investigate how different annealing processes impact the time-dependent dielectric breakdown (TDDB) reliability of SiC MOSFET devices and explore the reasons for changes in device lifetime under NO passivation. Through X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and secondary ion mass spectrometry (SIMS) profile analysis, the element distribution and chemical bonds under various annealing conditions were tested. A clear conclusion shows that the trap density and distribution are main reason affecting the device long-term reliability. The study reveals that different defect distributions lead to differing degrees of impact ionization and electron tunneling in the TDDB. Notably, high temperature with short-time NO annealing under the same oxidation significantly increases the long-term reliability of SiC MOSFET devices without reducing the device mobility or deteriorating the BTI effects.

关键词： 开关电源   MOSFET损耗   Buck   导通损耗   开关损耗  

摘要： 为实现汽车集中式域控制器高性能芯片的开关电源的功率损耗计算，分析了金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的导通和关断过程，对Buck型开关电源的MOSFET损耗进行理论分析及公式推导，针对开关损耗部分进行了实例计算和仿真验证。结果表明，计算结果与仿真结果趋于一致，所提出的方法可为开关电源MOSFET的选型提供参考。

关键词： MEMS   GaAs MMIC   检测芯片   双通道   微波性能   灵敏度  

摘要： 设计了一种基于GaAs MMIC技术的双通道X-波段MEMS微波功率检测芯片，建立了MEMS固支梁的等效力学模型，并基于此对双通道微波功率检测芯片的微波性能、过载功率和灵敏度性能进行理论研究，得到双通道微波功率检测芯片的微波性能、过载功率和灵敏度性能与结构尺寸之间的关系。固支梁和热电堆的结合，在增强热电堆的抗过载能力的同时，提高系统的过载功率和灵敏度。测试结果表明，该检测芯片在8～12 GHz频段的回波损耗约为-10dB；10 GHz时，电容式检测通道灵敏度为2.4 fF/W，热电式检测通道灵敏度为24.9 mV/W。该研究对微波功率检测芯片在不同功率检测场合的应用提供一种解决方案。

关键词： 宽带   扩展连续F类   Doherty功率放大器   带通滤波   后匹配网络  

摘要： 本文提出了一种具有高效集成滤波特性的宽带高效率Doherty功率放大器的设计。载波功率放大器采用扩展连续F类设计，耦合微带线滤波器结构用于后匹配设计。这种滤波结构的终端由级联在一起的微带线组成，以增强带外抑制效果。这种结构不仅提高了效率，而且拓宽了带宽。使用10W GaN HEMT器件设计和实现了Doherty功放，验证了其宽带特性。在1.6～2.4 GHz频段内，实现了7.7～9.9 dB的饱和增益和43.1～44.7 dBm的饱和功率，在功率回退6 dB和饱和功率时的漏极效率分别为50.1%～58.8%和59.9%～73.3%。

关键词： 高压直流输电   送端电网   暂态特性   换相失败   暂态过电压   直流优化控制  

摘要： 针对换相失败及恢复过程中影响整流器消耗无功功率的主导因素不明及暂态过电压问题，首先基于交直流无功交互耦合机理，建立整流器无功消耗量与直流电气量的数学模型，得出在换相失败及恢复期间直流电流的变化对整流器消耗无功功率起主导作用的结论，而直流电压的影响较小且可被忽略；其次，建立直流电流为主导因素的整流侧换流母线电压计算公式，以不超过送端交流系统耐受暂态过电压能力为目标，推导建立了换相失败及恢复过程中整流侧直流电流指令值表达式，提出抑制换相失败恢复过程中暂态过电压的直流控制策略，最后，基于PSCAD/EMTDC平台中的CIGRE标准模型搭建测试系统，验证了不同故障电抗和不同故障持续时间下理论分析的正确性及暂态过电压抑制的有效性。