关键词:
晶界工程
微合金
纯铜
电导率
热稳定性
摘要:
利用晶界工程对Cu-Ti-S微合金化纯铜组织结构进行调控,并结合电子背散射衍射(EBSD)和光学显微镜(OM)分析了晶界工程处理对导电性和热稳定性的影响与作用机理.结果表明,晶界工程处理(每道次工艺为:冷轧20%→再结晶退火530℃×10 min→水冷,循环4道次)可显著提高微合金化纯铜的晶粒尺寸热稳定性,并保持高导电性能.经0道次和4道次晶界工程处理试样的电导率分别为58.66、58.89 MS/m,在900℃×30 min高温加热后的晶粒尺寸分别为129.52、50.76 μm,有效抑制了晶粒长大.这主要与晶界工程处理增加了Σ3n CSL晶界比例有关,特别是Σ3 CSL晶界比例,具有低的晶界能量和迁移率.