关键词:
槽波导
Bragg光栅
滤波器
反向耦合器
起偏器
摘要:
波导布拉格(Bragg)光栅作为硅基集成光子器件的重要组件之一,具有高反射率、制作工艺简单、不受自由光谱范围限制等优势,被广泛的用于各种有源、无源器件的设计中。然而,受常规波导导波机制的限制,在220 nm的绝缘体上硅(SOI)平台上,仅靠侧壁刻蚀实现具有小尺寸、大带宽、平坦响应的Bragg光栅仍然是一个挑战。槽波导可实现纳米尺度的光场局域增强,且提供了更多的结构边界,为具有强光场相互作用的侧壁光栅设计提供了更多的自由度。本文面向硅基光电子芯片关键的偏振敏感问题,研究将Bragg光栅和槽波导进行互补融合,实现了具有高反射系数的强光栅,基于此设计了多个用于片上偏振控制的高性能滤波器件,实际制作了器件,并测试验证了设计。本文的主要内容和创新点如下:
1.利用槽波导的局域光场增强作用设计实现了具有高反向耦合系数的偏振依赖的Bragg光栅,该光栅对TE模式具有宽带的反射窗口,而TM模式可低损耗的通过。提出利用槽波导结构调控局域光场使TE模式带隙重叠放大,实现了具有宽带平坦响应的Bragg光栅。理论仿真显示其在131 nm(1476 nm~1607 nm)的波长范围内,TE模式反射率超过96%,同时TM模式的透过率高于98%。基于该光栅结构,进行了模式转换和耦合结构设计,分别实现了低插入损耗(IL)的TE反射器和TM通起偏器。在标准的220 nm-SOI晶圆上制作了器件,并对其性能进行了测试。测试结果显示,反射器在83nm(1505 nm~1588 nm)的带宽范围内IL低于1 d B、消光比(ER)高于30 d B,平均反射率在-0.5 d B左右;起偏器在1484 nm~1584 nm波长的100 nm工作带宽范围内器件ER高于30 d B,IL低于0.8 d B,并且在整个工作范围内起偏器ER和IL变化平稳,测试结果验证了设计的有效性。此外,基于此光栅的串联结构设计了一种应用于折射率传感的陷波滤波器,仿真结果显示其灵敏度达到401.4 nm/RIU。
2.利用槽波导独特的模式和色散特性,设计实现了一种常规纳米线波导和槽波导的反向光栅耦合器,该器件可将纳米线波导中输入的TE模式耦合至槽波导中,而输入的TM模式会穿过耦合区从纳米线波导中输出,从而实现偏振分束功能。相比于其它偏振分束器,本设计可同时具备模式转换和偏振分束的功能。此外,反向耦合光栅结构在色散补偿中也具有应用潜力。理论仿真结果显示,该器件在74 nm(1514 nm~1588nm)的工作带宽内,TM模式ER高于20 d B,IL低于1 d B,反向耦合TE模式在99nm(1497 nm~1596 nm)的工作带宽内,ER高于44 d B,IL保持在1 d B以下,且在工作带宽内反射谱平坦。实验表明了该器件的性能与仿真结果高度一致,TE模式在90nm(1510 nm~1600 nm)的工作带宽内,ER高于20 d B,IL低于1 d B,同时TM模式在55 nm(1584 nm~1529 nm)的带宽范围内IL低于1 d B,ER高于20 d B。