关键词:
超表面
光栅
光学囚禁
摘要:
超表面的设计与应用是近年来光学领域的热点之一,也是一个涉及物理、材料、光学、量子信息等多个方向的跨学科研究领域。超表面可以精确控制入射光场的相位、偏振、振幅等参数。因此,超表面在量子态切片实验平台的研究过程中具有非常重要的应用前景。本文的主要研究内容如下:
基于传播相位理论和等效介质理论,设计了一种三维环形超表面。用蓝失谐光作为入射光,形成聚焦的空心光束来储存碘(I2)分子。利用有限元分析软件确定周期性结构单元和超表面的各项参数,并计算空心聚焦光环的光场强度,计算出I2分子在光场中的偶极势、偶极力和范德瓦尔斯力,从而证明所设计的环形超表面可以捕获I2分子。首先,选择周期宽度为110 nm的二氧化硅(Si O2)作为基底,硅(Si)柱作为基底上的周期性结构元件。通过有限元分析,对硅柱高度在100~150 nm、占空比为10%~90%的范围进行扫描,得到高透光率和高相位覆盖的硅柱高度,且使相位值在覆盖到-~范围内,测定的硅柱高度为132 nm,并得到相位值与占空比的函数关系,将大于或小于-的相位值映射到-~的范围内。再次,将81个周期结构元件按二维方向排列,总宽度为8.855μm,通过相位值与占空比的函数关系确定这些位置所需的离散相位值,从而确定周期结构单元在不同位置的硅柱宽度,形成二维单元结构阵列,使入射光向焦点汇聚。期望焦距为5.5μm。最后,添加1.045μm无结构单元的Si O2衬底,结构单元的二维阵列总长度为9.9μm。以无结构单元的末端为圆心,旋转一周形成三维超表面环形阵列。当波长为300 nm的径向偏振光从基底方向入射时,在焦平面处将形成空心环,期望半径为5.445μm。入射光穿过结构单元阵列后,会聚成空心聚焦光束。经过仿真模拟,得到的实际焦距为5.6μm,误差为1.8%。在焦平面处,半径为5.438μm,误差为0.13%。空心环的宽度为0.54μm,空心环的最大光强比最小光强提高了39.2倍。I2分子的最大偶极势深度约为340μK,最大偶极力约为2.9×10-20 N,比I2分子的重力大7×10~3倍,且超表面与I2分子之间的范德瓦尔斯力不足以影响I2分子的光约束,可以满足I2分子的捕获要求,实现光存储。