关键词:
碳注入
热扩散
吸附能
石墨烯-铌酸锂复合结构
直接制备
光波导特性
摘要:
作为一种由单层碳原子排列成蜂窝状晶格的二维系统,石墨烯具有线性色散关系和独特的电子能带结构,这使得自2004年石墨烯首次被成功制备以来就一直备受关注。在电学方面,石墨烯具有极高的载流子迁移率;在光学方面,从可见光到红外波段的宽光谱范围内,石墨烯都具有高的透射率并且透射能力基本不随波长变化。与此同时,石墨烯的碳-碳共价键使其成为机械强度最高的材料之一。石墨烯的优异性质使其在光电、微纳、柔性材料等方面都有着巨大的应用潜力,有望在现代光电子技术领域引发一场革命。石墨烯的应用必须基于石墨烯/衬底结构,近年来虽然有大量相关的研究报道,但这些研究主要集中在石墨烯/SiO2(Si)结构上。当前,也有少量的学者将衬底目标转向了光学晶体,其中,石墨烯/铌酸锂(LiNbO3,LN)结构是最有发展前景的组合之一。LiNbO3作为一种代表性的铁电体,因其全面的性质,被誉为“光学硅”。石墨烯/LiNbO3结构的复合性质自2010年前后开始有学者研究,主要是利用LiNbO3在常温下的自发极化性质,研究其对于石墨烯化学势的影响,进而调整石墨烯的性质,比如石墨烯表面等离子体激元(SPP)的形成和传播。最近,本课题组的Liu等人将化学气相沉积(CVD)法制得的单层石墨烯转移到薄膜LiNbO3衬底上,发现单层石墨烯的覆盖对于LiNbO3薄膜中的导模具有很好的限制作用。当前对于石墨烯/LiNbO3组合性质的研究正处于初期探索阶段,已经有一些优异的性质被挖掘出来,未来也仍然具备巨大的研究潜力。要研究石墨烯和LiNbO3相结合的性质,首要的一点就是石墨烯/LiNbO3结构的制备。目前主要的石墨烯制备工艺包括微机械剥离法、热解SiC、氧化还原法和CVD法,CVD法因为具有可以大面积制备质量比较高的石墨烯,并且可以实现石墨烯到多种其他衬底材料转移的优势而成为商业上最常用的方法。但是,由于CVD法具有对宿主材料的溶解度有所要求、不能够精确控制石墨烯的层数、对碳的利用率低、需要很高的加热温度等先天不足,一些对此能够补偿或改进的制备方法也在不断尝试,其中包括近些年来出现的离子注入法制备石墨烯的报道。虽然离子注入法制备石墨烯相比于CVD法还远不够成熟,但是离子注入法具有对被注入材料的碳溶解度没有要求、可以通过对注入剂量的精确控制实现对合成石墨烯层数的控制、对碳的利用率高等原理上的先天优势。目前采用的离子注入法主要是对于Ni箔、Cu箔或者是对SiO2/Si衬底上沉积的Ni薄膜、Cu薄膜进行碳离子注入,在优化的实验条件下可以生成较好品质的石墨烯薄膜,但在光电材料LiNbO3衬底上的石墨烯直接制备尚未见报道。针对这一研究现状,首先我们围绕着采用碳离子注入法在LiNbO3衬底上直接合成石墨烯进行了一系列的探索性研究。一方面,碳离子注入法具有原理上的先天优势,特别值得注意的是该方法可以借助Ni膜、Cu膜的图形来限定石墨烯的形状,这尤其适用于石墨烯-LiNbO3器件的制备;另一方面,直接合成避免了石墨烯转移时造成的石墨烯缺陷的引入。此外,我们还采用湿法转移的方法制备了石墨烯-LiNbO3复合结构,在对这一新型复合结构的导光特性进行初步的实验研究的基础上,我们对其导光性能进行了模拟和分析,对石墨烯-LiNbO3复合结构的潜在应用提出了新的思路。本论文主要进行了以下四个方面的工作:一、研究了采用离子注入法注入的碳在LiNbO3中的热扩散行为,为碳离子注入(将碳离子直接注入目标衬底,然后退火处理以使碳析出成键)在LiNbO3表面直接合成石墨烯提供了理论依据,并为随后实验参数的选择与确定奠定了基础。二、碳离子被注入到由沉积的催化金属层和LiNbO3衬底组成的样品中,通过优化注入参数使注入的碳分布在金属膜与LiNbO3衬底的界面附近。然后对样品进行热退火处理,最后去掉金属膜。使用上述方法,无论是采用Ni还是Cu作催化金属,最终都在LiNbO3表面直接合成了石墨烯薄膜。其中,采用镀Cu膜的方式更是在LiNbO3表面上直接合成了面积为几百平方微米的多层石墨烯。我们首次在LiNbO3表面无需转移地直接合成了石墨烯,此方法不仅与传统的半导体工艺兼容,而且由于制备的石墨烯分布受限于金属膜的形状,如果与图案化的金属膜相结合,有望在LiNbO3等衬底上直接制备任意形状的石墨烯,这为石墨烯-LiNbO3器件的制备创造了极为有利的条件。三、要在LiNbO3衬底上获得分布均匀且形状规则的石墨烯薄膜,金属层与LiNbO3衬底之间结合的稳定是必要和前提条件。在实验中我们发现,沉积有Ni金属层的LiNbO3样品在经过热退火后产生了金属层局部分离的现象,为此仿真研究了 LiNbO3衬底和沉积Ni层在经过不同目标退火温度的热处理过程中,两者之间吸附能的变化。最终,确定了最佳的退火温度范围,在此范围内,金属层与LiNbO3衬底的结合