关键词:
量子点发光二极管
内光提取结构
纳米球
光散射
摘要:
量子点发光二极管(QLED)具有色纯度高、工作寿命长、制备成本低、稳定性好等优点,有望发展成为新一代照明和显示技术,虽然QLED器件的内量子效率已经接近100%,但由于器件中存在多种光损耗,比如,波导模式、表面等离子体激元模式以及基底模式光损耗,导致QLED器件的最大外量子效率(EQE)被限制在20%左右,其中器件内的波导模式光损耗约占36.7%,并且促进在器件中的光最终转化为热,降低QLED器件稳定性,不利于高性能QLED器件的构筑和实际应用。因此,发展高效的QLED器件光提取技术,对提升QLED器件出光效率和稳定性具有重要意义和应用价值。在器件内部嵌入光栅、表面波纹等微纳米结构,能够降低氧化铟锡(ITO)ITO电极与有机层界面处光的全反射,提取器件内的波导模式光,是提高QLED器件内光提取效率的有效方法。但常用的微加工技术制备内光提取结构的方法如光刻、蚀刻等,还存在工艺较为复杂,强角度依赖性,器件电学性能降低等问题。本论文通过一步旋涂技术,在功能层界面处嵌入聚苯乙烯(PS)纳米球和介孔二氧化硅(Si O)纳米球改变功能层界面结构,该内光提取结构能改变出射光线传播路径,提取QLED器件中波导模式光,从而提高QLED器件的出光效率。通过改变纳米球在聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)空穴注入层的占空比、粒径及折射率等参数,研究了纳米结构对薄膜光学性质、器件电学性质及电致发光性能的影响及其调控规律,大幅提升了内光提取效率,其中绿色器件的外量子效率提高了67%,为提高QLED器件的发光性能提供了一种高效的方法。本论文的主要工作内容分为以下两部分:(1)嵌入PEDOT:PSS薄膜中的无序纳米球对薄膜性能影响研究了粒径为30、50和100 nm的PS纳米球对空穴注入层PEDOT:PSS和空穴传输层聚[(9,9-二辛基芴-2,7-二基)-共-(4,4′-(N-(4-仲丁基苯基)二苯胺)](TFB)薄膜形貌的调控作用,其中粒径为30和50 nm的PS球不会影响量子点层结构,而粒径为100 nm的PS球会改变量子点层形貌;研究了固含量为5 wt%的30和50 nm PS球溶液与PEDOT:PSS溶液的体积比对量子点薄膜光致发光性能的影响规律,当溶液体积比为5.7%时,50 nm PS球可以将红、绿、蓝三色量子点薄膜的光致发光强度分别提升43%、39%、23%;探索了嵌入功能层的PS球的粒径对器件电学性能的影响,其中粒径为30和50nm的PS球不会对器件电学性能产生较大影响,而粒径为100 nm的PS球在器件中会造成严重的漏电流。(2)纳米球内光提取结构对器件发光性能的调控作用研究了嵌入功能层的PS球的粒径对QLED器件电学性能和电致发光性能的调控作用,其中粒径为50nm的PS球可将绿色QLED器件的峰值EQE提高47%,达到14.4%;分析研究了固含量为5 wt%的50 nm PS球溶液与PEDOT:PSS溶液的体积比对QLED器件性能的调控作用,当溶液体积比为5.7%时,PEDOT:PSS膜中PS球占空比为4.1%,内光提取结构能够将绿色QLED器件的峰值EQE提升67%,达到16.36%;接着探究了50 nm PS球对红、蓝色QLED器件性能的影响,当溶液体积比为5.7%时,PS球占空比为4.1%,可将红色器件的峰值EQE提高35%,达到24.76%,当溶液体积比为7.0%时,PS球占空比为6.2%,可将蓝色器件的峰值EQE从4.88%提升到5.73%,提高了17%。分析了嵌入功能层的纳米结构对器件发光角度特征的影响。研究了低折射率(1.46)的介孔Si O纳米球内光提取结构对蓝色器件性能的影响,当50 nm介孔Si O溶液与PEDOT:PSS溶液的体积比为4.3%时,可进一步提高蓝色器件的峰值EQE,从4.27%提升到5.63%,提高了32%。