关键词:
硅基集成光子器件
偏振分束器
倾斜光栅
桥带波导
摘要:
硅基集成光子器件具有超高的通信带宽、低廉的材料成本、优良的光电混合集成特性以及与互补金属氧化物半导体工艺相兼容的特点,在性能、成本、能耗和尺寸等方面占据独特的优势,其在光通信、光互连、光传感等领域应用广泛。由于硅与包覆层材料的高折射率对比度,相关硅基波导器件存在很强的偏振依赖特性,从而导致偏振相关损耗以及相应的波导色散较大。硅光偏振控制和操纵对硅基集成光子器件的实际应用至关重要。偏振分束器可将正交偏振的横电模(TE)与横磁模(TM)分离到不同的路径。现有的硅基偏振分束器多基于定向耦合器、多模干涉或马赫曾德尔干涉结构设计,存在带宽窄、尺寸大等问题,不利于实现光子芯片的高密度集成。为了提高硅光偏振分束器的相关性能以及器件集成度,需要进一步开发低损耗、宽带宽与高制造容差的结构紧凑型偏振分束器。微纳光栅波导结构具备平坦的色散和较低的群速度偏移,利用亚波长光栅可灵活调控介质等效折射率,有效改善定向耦合器带宽窄和耦合距离长的问题,亦可灵活操纵光束传播特性。基于此,本论文研制了一种基于倾斜纳米光栅结构的硅基宽带偏振分束器,提出一种浅刻蚀光栅型硅基偏振分束器,并实现了一种基于桥带结构的小尺寸与低损耗的硅基偏振分束器。本论文分别对相关偏振分束结构进行了理论分析、数值模拟、制备测试和性能表征。具体的研究内容与成果如下:(1)搭建了硅基波导芯片相关的仿真和测试平台。使用脚本绘制出偏振分束器的物理模型,对不同结构的光束传输特性和电场分布进行数值模拟。优化设计偏振分束器的结构参数。对制备的波导芯片,搭建耦合测试系统,可分别进行表面光栅和波导端面耦合,利用偏振控制器控制入射光的偏振态,使用位移平台操作光纤进行耦合实验,结合CCD与成像物镜对芯片与光纤的耦合位置进行实时观察。(2)设计并制备了一种基于倾斜纳米光栅的紧凑型硅基偏振分束器。通过计算条形波导与倾斜光栅波导中的模式有效折射率实现TM模式的相位匹配。采用粒子群算法优化波导尺寸,在交叉端口处达到94.4%的TM光的耦合效率。使用时域有限差分法优化光栅倾角,在倾斜角度为20°时得到最佳的器件性能,可实现23.76d B的消光比以及低于0.2 d B的插入损耗。同时该结构具有良好的制造公差,在波导宽度变化范围为±10 nm内,消光比大于17.5 d B,插入损耗低于0.56 d B。尽管制备的器件结构与理论设计参数存在一定误差,但该结构仍可实现19.84 d B的消光比,并在1525-1605 nm的波长范围的消光比超过10 d B。该器件耦合长度仅为6.8μm,最小线宽为200 nm,与商用加工平台的工艺相兼容。(3)提出了一种基于浅刻蚀光栅的小尺寸硅基偏振分束器。通过在非对称定向耦合器表面浅刻蚀一层亚波长光栅结构,并灵活地改变光栅周期、占空比与宽度对波导内两种模式的有效折射率进行调制,实现TM偏振态的交叉耦合,并抑制TE偏振态的耦合。该结构可理论实现21.07 d B的消光比以及低于1.52 d B的插入损耗,并可在1525-1605 nm的波长范围实现超过10 d B的消光比。实际制备的器件由于刻蚀光栅的深度、周期和占空比的偏差,在1565 nm波长处可实现12.96 d B的消光比。优化设计参数与制备工艺,可以进一步提升器件性能。(4)研制了一种低插入损耗的桥带结构硅基三波导型偏振分束器。TM模式满足相位匹配条件,通过桥带结构以较低的插入损耗耦合至交叉端口,而TE光由于相位失配仅从直通端口输出。该结构可实现24.37 d B的消光比且插入损耗低至0.51d B。同时,该结构具有良好的制造容差性,当波导宽度或厚度的变化范围为±10nm时,其消光比均大于15 d B,插入损耗均低于1.17 d B。该器件耦合长度仅为19μm,具备小尺寸与高消光比的优势。实际制备的器件可在1580 nm波长下实现20.4d B的消光比。由于制造工艺的偏差,测试性能有所下降,但在1525-1605 nm的波长范围内仍可实现超过10 d B的消光比,应用前景广泛。