关键词:
光器件测量
光矢量分析
高精度
宽带
大动态范围
摘要:
光子芯片的突破创新和研制生产不仅决定于设计和制造工艺,还依赖于测量手段。只有对光子芯片的多维参数进行高精度测量,才能对芯片设计和加工参数进行快速优化迭代。光矢量分析技术是测量多维(幅度、相位等)频谱响应的有效手段,现已成为光子芯片创新突破和研制生产的重要支撑。然而,光子芯片显著的耦合损耗和片上插损要求光矢量分析具备大动态范围,从而精确获取光子芯片的频谱响应。本文提出了基于受激布里渊散射的大动态光矢量分析技术,采用理论分析、数值仿真和实验验证相结合的方式,开展了受激布里渊散射提升光矢量分析动态范围的研究,有效提升了测试系统的动态范围。研究内容具体如下:建立了受激布里渊散射提升光矢量分析动态范围的数学解析模型,理论分析研究了受激布里渊散射提升基于光单边带扫频光矢量分析和基于调制相移法光矢量分析动态范围的机理,建立了受激布里渊散射增益与动态范围提升量之间的数学关系。结果表明,采用受激布里渊散射可有效提升光矢量分析的动态范围,还可以有效抑制非线性误差,提高测量精度。提出了面向基于光单边带扫频光矢量分析的动态范围提升技术。采用受激布里渊散射增益谱放大光单边带扫频信号的+1阶扫频边带,提升信号的边带抑制比,进而实现动态范围的提升。实验结果表明,光单边带中+1阶扫频边带放大了31.48 d B,动态范围提升了17.53 d B。此外,得益于+1阶扫频边带的增益,信号的边模抑制比得到提升,有效降低了非线性激励出的高阶边带引入的测量误差。提出了面向基于调制相移法光矢量分析的动态范围提升技术。采用受激布里渊散射增益谱放大强度调制信号的+1阶边带,同时采用损耗谱抑制-1阶边带,将强度调制信号转换为高边带抑制比的光单边带信号。+1阶边带的增益可有效提升动态范围,-1阶边带的抑制可消除大色散器件测量时的功率衰落。实验结果表明,+1阶边带放大了34.05 d B,-1阶边带抑制了22.85 d B,边带抑制比达56.90 d B,动态范围提升了14.01 d B。此外,还开展了基于受激布里渊散射的光矢量分析仪器化研究。所研制的原理样机测量范围覆盖C波段,动态范围大于67 d B,幅度测量精度优于±0.15 d B,时延测量精度优于±0.5 ps,相位测量精度优于±3°。综上所述,本文提出的基于受激布里渊散射的大动态光矢量分析技术,有效提升了光矢量分析的动态范围,可为光子芯片的突破创新和研制生产提供有力的支撑。