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关键词： 烟雾病   伪连续动脉自旋标记成像技术   出血   血流动力学   磁共振成像  

摘要： 目的基于伪连续动脉自旋标记成像(pseudo-continuous arterial spin labeling,pCASL)技术探讨成人烟雾病出血后脑血流动力学改变。材料与方法将首都医科大学附属宣武医院2016年12月至2019年4月收治的32例出血型或缺血型成人烟雾病患者共计38个阳性征象半球作为研究对象,其中出血半球21个、缺血半球17个,均在发病3个月内进行pCASL检查,在半卵圆中心层面及阳性征象层面选取病变周围区域、同侧额叶、颞叶进行感兴趣区测算获得pCASL-脑血流量(cerebral blood flow,CBF)、pCASL-动脉脑血容量(arterial cerebral blood volume,aCBV)、pCASL-动脉通过时间(arterial transit time,ATT)数值,出血组和缺血组组间比较,采用两独立样本t检验和Mann-Whitney U检验。结果(1)出血型大脑半球共计21个,病变周围测算aCBV、ATT及CBF分别为(1.01±0.22)mL/100g、(1.53±0.98)s和(37.88±6.19)mL/(100 g·min),额叶测算aCBV、ATT及CBF分别为(1.23±0.31)mL/100g、(1.55±0.15)s和(47.03±13.78)mL/(100 g·min),颞叶测算aCBV、ATT及CBF分别为(1.28±0.30)mL/100g、(1.54±0.12)s和(51.91±13.96)mL/(100 g·min);缺血型大脑半球共计17个,病变周围测算aCBV、ATT及CBF分别为(1.11±0.24)mL/100g、(1.46±0.35)s和(49.27±14.13)mL/(100 g·min),额叶测算aCBV、ATT及CBF分别为(1.17±0.30)mL/100g、(1.51±0.37)s和(43.17±14.63)mL/(100 g·min),颞叶测算aCBV、ATT及CBF分别为(1.21±0.35)mL/100g、(1.50±0.40)s和(49.25±20.85)mL/(100 g·min)。(2)出血型与缺血型相比,病变周围区CBF值显著减低,差异有统计学意义(P<0.05),aCBV及ATT差异无统计学意义,额叶及颞叶pCASL灌注差异无统计学意义。结论出血型烟雾病患者pCASL上脑灌注较缺血型烟雾病更低,pCASL可以检测成人出血型烟雾病患者的血流衰竭程度,监测周围额颞叶细微的缺血变化,为进一步通过监测血流动力学情况预警再出血发生提供研究基础。

关键词： 量子力学  

ISBN: (纸本)9787513346986

关键词： 3d过渡金属氧化物   自旋有序   磁化   磁致弹性   自旋二聚体   脉冲强磁场  

摘要： 3d过渡金属氧化物中存在晶格、自旋、电荷与轨道之间强相互作用,从而表现出丰富的磁性质。因此磁特性研究是探索3d过渡金属氧化物中复杂相互作用,特别是自旋序等物理参数的重要途径之一。脉冲强磁场具有磁场强度高和扫场速率快等特点,结合极低温条件为研究3d过渡金属氧化物自旋序及相互作用提供了重要的实验手段。本文利用脉冲强磁场主要研究四种3d过渡金属离子对的磁有序,通过磁化、介电、磁致伸缩和磁力显微镜等实验手段,探索温度、磁场及化学掺杂（无序）等对四种3d过渡金属离子对的自旋序的影响。主要研究内容如下: 一、采用光学浮区法生长LuFe2O4（LFO）单晶,实验研究了LFO单晶磁化、磁致弹性、磁热效应、磁畴动力学行为、介电行为和电场调控下的磁化行为。磁化研究表明LFO的Fe2+-Fe3+亚铁磁有序温度为240 K,在2 K温度,13.5 T磁场诱导产生↑(Fe2+)↑(Fe2+)↑(Fe3+)↓(Fe3+)↓(Fe3+)↑(Fe2+)亚铁磁长程有序。磁力显微镜（MFM）首次在实空间观测到4.5 K和稳态强磁场（最高达16 T）下LFO单晶的磁畴变化,从微观角度直接证实亚铁磁短程到长程有序态的产生和演变过程,为理解和探索其铁电性和磁电耦合提供了直接的微观证据;伴随该相变,磁弹和磁热都表现出相应的变化,表明在LFO中自旋序-轨道-晶格之间的协同作用;基于磁致伸缩机制和LFO三角几何阻挫结构,构建了相变过程中Fe2+-Fe3+三角几何形状的畸变和可能产生磁电耦合的微观模型。 二、采用助熔剂法成功制备了Ba1-xSrxCuSi2O6（x=0,0.05,0.1,0.2,0.3）系列单晶样品,并利用稳态和脉冲强磁场系统研究了其磁化行为。研究结果表明,母相Ba CuSi2O6和掺杂样品均表现出明显的三重激发态到单重基态的磁化特性,随着掺杂量从0到0.3,其转变温度从31.87 K降至29.48 K。由于Sr2+离子的掺入导致晶格参数发生了改变,降低了自旋二聚体内的相互作用J0,导致自旋二聚体玻色-爱因斯坦凝聚（BEC）的临界磁场Hc1从22.89 T（x=0）降低至20.76 T（x=0.3）。通过在非磁性A位掺入非磁性Sr2+离子有效调控了Cu2+-Cu2+自旋二聚体的自旋序及相互作用,有助于理解和揭示自旋二聚体量子磁性材料在微观世界的本质特征。 三、采用光学浮区法生长Sr3Cr2-xNbxO8（x=0.025,0.05,0.075,0.1）单晶样品,利用稳态和脉冲强磁场研究Nb5+离子对Cr5+-Cr5+自旋二聚体的磁特性的影响。研究结果表明,Cr5+-Cr5+自旋二聚体从三重激发态到单重基态的转变温度T2′从38.08 K（x=0.025）增大至43.67 K（x=0.075）。然而当掺杂量为0.1时,T2′降到39.95 K。实验结果说明由于Nb5+离子掺杂造成二聚体内原子间距减小,进而使得自旋二聚体内的相互作用J0增大。同时该增大行为与掺杂对二聚体的稀释效应之间有明显的竞争。此外,Nb5+离子掺杂部分破坏了自旋二聚体Cr5+-Cr5+离子对,导致自旋二聚体的有序度降低,使得临界磁场Hc1随着掺杂量的增大从28.75 T增大至29.48 T。电子自旋共振（ESR）研究结果表明掺杂对各向异性能D和g因子产生调制作用,随着掺杂量的增加出现了先增大后减小的变化。通过在磁性B位掺入非磁性Nb5+离子有效调控了Cr5+-Cr5+自旋二聚体的自旋序和相互作用,也为新量子态探索提供了清晰的物理图像。 四、研究了低温和脉冲强磁场下Li2MnSiO4中Mn2+-Mn2+反铁磁序的磁化行为,并绘制了该材料低温下完整的磁相图。研究结果表明,在～52 K以下,Li2MnSiO4处于铁磁态,温度降低到TN～42 K以下,体系转变为反铁磁态。在外加磁场作用下,Li2MnSiO4呈现出弱铁磁性（倾斜反铁磁）,是由于锰离子的混合价态(Mn3+-Mn4+)引起的。随着外加磁场进一步增加,Li2MnSiO4表现出强的反铁磁性,当磁场增加到27 T时,反铁磁转变为铁磁态。饱和磁化强度（～3.1μB/f.u.）表明锰离子处于低自旋态t2g4eg1（↑↑↑↓↑）。实验将锂电池正极材料（Li2MnSiO4）的使用扩展到可能的强电磁环境（如外太空强电磁环境）,由于磁相变的存在,在低温和强磁场环境下使用时可能出现性能的衰减和不稳定性。

关键词： 光子自旋霍尔效应   多元线性回归   随机森林   外尔半金属   α-Li3N  

摘要： 自光子自旋霍尔效应被发现以来,就引起了科学界的广泛关注,因其广泛应用于量子信息、光谱芯片、纳米光子器件、生物传感器、精密测量等领域。然而,光子自旋霍尔效应非常弱,怎样将其增强是非常必要的。拓扑半金属是近年来发现的一种拓扑材料,其与光子自旋霍尔效应的结合仍处于初期阶段,尤其是被称为“三维石墨烯”的外尔半金属和最近理论上被预言的节线半金属α-LiN,它们在光电器件方面具有重要的应用前景,因此本文采用外尔半金属和α-LiN型拓扑半金属来研究光子自旋霍尔效应的调控机制。本文首先通过统计方法和机器学习探究影响光子自旋霍尔效应的主要因素,然后结合相关的物理理论探究极大增强光子自旋霍尔效应的调控机制,最后提出一种测量光子自旋霍尔效应的可行性实验装置。相应的工作及研究成果如下:在对光子自旋霍尔效应影响因素的探究中,本文采用多元线性回归、传统的多元非线性回归和随机森林回归进行研究,结果表明:无论哪种拓扑半金属,随机森林回归的拟合效果都是最优的,拟合优度达0.85以上。此外,通过变量重要性评价结果得出:在外尔半金属模型中,物理量入射角、γ/ω和介电常数是影响光子自旋霍尔效应的主要因素;在α-LiN型拓扑半金属模型中,物理量入射角是影响光子自旋霍尔效应的主要因素。在光子自旋霍尔效应调控机制的研究中,本文结合机器学习探究中得出的主要影响因素和相关的物理理论进行分析,并得出光子自旋霍尔效应的调控机制。在外尔半金属的研究中得出:介电常数接近零的材料作为基底可以有效地增强光子自旋霍尔效应;光子自旋霍尔位移通常出现在菲涅耳反射系数具有局部极小值的情况下,且当物理量ω/ω=0.979和θ=73时,面内(或横向)光子自旋霍尔位移的最大位移为入射光波长的471(或55.8)倍。在α-LiN型半金属的研究中得出:光子自旋霍尔位移的最大值出现在带间吸收的高能侧,并随着入射角或介电常数的增加而出现红移;压缩晶格应变使光子自旋霍尔位移的峰值(或谷值)表现出蓝移。上述研究结果为深入理解拓扑半金属中的光子自旋霍尔效应提供了理论依据,同时也可为利用光子自旋霍尔效应检测拓扑材料的晶格应变或拓扑相变提供新思路或新方法。

关键词： 金刚石氮空位色心   腔量子电动力学效应   超辐射   微波激射  

摘要： 氮空位色心(Nitrogen-vacancy center,NV center)是金刚石晶格中氮原子和紧邻的空位形成的点缺陷结构。带负电的NV色心具有独特的自旋和电子能级结构,其自旋在室温下具有长的量子相干时间,并可通过光学手段对其量子态进行初始化和读出。因此,NV色心作为一种典型的固体量子比特在量子传感、量子信息等领域得到了广泛地应用。其中,金刚石NV色心系综和微波谐振腔构成的复合系统备受关注。利用该杂化体系,人们在极低温的环境中实现了各种腔量子电动力学(Cavity Quantum Electrodynamics,C-QED)效应,如超辐射脉冲现象、拉比振荡和拉比劈裂现象。然而,低温操作环境极大地限制了C-QED效应在量子传感等方向的应用。此外,利用类似的复合系统,人们在实验上实现了室温下的连续微波激射,其有望解决原有微波激射器所需的超高真空、极低温、强磁场环境,可进一步推进微波激射器在微波通讯、时间基准、医学和射电天文学等领域的应用。虽然,微波激射属于C-QED效应的一种,但目前对其机制的研究并不深入,NV色心自旋与微波谐振腔间的集体耦合及其导致的超辐射对微波激射的影响仍不清楚。因而,我们有必要从理论上探究如何利用金刚石NV色心实现室温下的C-QED效应,并研究超辐射现象对微波激射的影响。在本硕士论文中,我们围绕上述两个问题进行深入的理论研究,现将相关研究成果简述如下:1)如何实现室温下基于金刚石NV色心的C-QED效应?为解决这个问题,我们构建了描述金刚石NV色心和微波谐振腔系统动力学的量子主方程,引入光泵浦导致自旋冷却的有效描述,利用平均场理论对该方程进行了求解。研究表明室温下由于自旋-晶格弛豫过程导致NV色心自旋系综处于低对称的Dicke态,其和微波谐振腔耦合较弱,无法实现C-QED效应;利用光泵浦导致自旋冷却过程,可抵消自旋-晶格弛豫,使自旋系综处于高对称Dicke态,增强其与微波谐振腔的耦合,从而实现了室温下拉比振荡、拉比劈裂以及受激超辐射等C-QED效应。另外,控制冷却速率可以控制自旋系综与谐振腔的耦合强度,可用于研究集体弱耦合到强耦合转变对室温C-QED效应的影响。2)NV色心自旋系综与微波谐振腔间的集体耦合如何影响基于金刚石NV色心自旋的微波激射?为解决这个问题,我们考虑强磁场下NV色心自旋塞曼劈裂,结合光泵浦机制实现自旋能级布居数反转。我们将自旋的非相干泵浦有效描述引入量子主方程中,利用平均场方法对其进行求解,研究了自旋的非均匀展宽、自旋数目、温度、频率失谐对微波激射的影响。研究表明:在室温下通过对多于1014自旋进行速率为千赫兹的非相干泵浦,可以产生微波激射和超辐射过程共存的微波超辐射激射,其对应辐射线宽可小于亚毫赫兹,且该超窄线宽辐射不会被NV色心系综的非均匀展宽破坏。

关键词： 自旋轨道耦合   量子阱   自旋电子学   二维材料   谷电子学  

摘要： 传统半导体量子阱作为准二维系统,沿其生长方向呈现很强的量子限制效应,在量子调控、光电转换、器件设计等方面具有广泛应用,如半导体激光器、发光二极管、自旋电子器件等。同时,该类异质结构中(如Ga In As/Al In As量子阱)一般具有明显的自旋轨道耦合效应。自旋轨道耦合将电子的自旋自由度与轨道自由度通过有效磁场耦合在一起,进而使自旋的电学调控成为现实。自旋轨道耦合一般包括Rashba和Dresselhaus两种类型,是实现诸多自旋电子器件必须考虑的核心因素,前者来自系统的结构反演不对称,可以通过外加门电压、掺杂等手段进行调节;后者源于材料本身的体反演不对称,其强度主要取决于量子阱的束缚强弱(如阱高)。随着对传统半导体准二维系统中自旋轨道耦合效应研究的不断深入,新型二维材料(如过渡金属硫化物(TMDC))中自旋和谷相关的物理性质更是在一定程度上引起了科学家们的广泛关注。在单层TMDC材料中,由于空间反演对称性破缺,两个不等价的能谷(即和′谷)具有非零的磁矩。并且,材料中的强自旋轨道耦合效应引起谷完全相反的自旋劈裂,这导致电子自旋自由度与谷自由度的相互锁定,使得材料遵循自旋和谷相关的光学跃迁选择定则。此外,基于能谷的磁矩属性,可以通过磁场对其进行操控,一方面,垂直(面外)磁场导致谷塞曼效应;另一方面,平行(面内)磁场可使激子的亮态与暗态发生混合,使得暗态也可以发光。半导体异质结构中的自旋轨道耦合效应与新型二维材料中的谷极化磁学响应均为当前自旋电子学、谷电子学、材料科学领域研究的前沿与热点。本论文围绕传统半导体准二维系统中的双带Rashba自旋轨道耦合(第二章)以及单层TMDC中激子和带电激子在外磁场下的谷动力学行为(第三、四两章)均做了系统研究,具体内容如下。在第一章中,我们简要介绍了半导体材料的发展情况、半导体准二维系统以及自旋轨道耦合效应(含Rashba与Dresselhaus)与应用等;讨论了单层过渡金属硫化物的材料性质以及激子、带电激子的自旋与能谷构型;突出了自旋轨道耦合效应和谷极化磁学响应的研究意义。在第二章中,基于传统半导体阶梯量子阱,我们构建了电子的双带Rashba自旋轨道耦合模型,并通过自洽求解泊松方程与薛定谔方程确定了带内、带间自旋轨道耦合效应。通过调节外加门电压或阶梯阱内的势垒高度,一方面,实现了双带Rashba自旋轨道耦合的常规调控,即两个子带的Rashba系数符号相同且随外加门电压的变化趋势一致;另一方面,发现了Rashba自旋轨道耦合的非常规调控,此时两个子带的Rashba强度随门电压呈相反的变化趋势,这对实现自旋轨道耦合的选择性调控具有重要意义。并且,在非常规调控的图景下,两个子带Rashba系数的符号也是相反的,这为在阶梯量子阱中实现持续斯格明子晶格提供了可能[***.117,226401(2016)]。此外,对于带间自旋轨道耦合,虽然其强度几乎不随门电压变化,但却诱导了能带的交叉与反交叉行为。在第三章中,针对单层过渡金属硫化物,我们建立了垂直磁场下激子与带电激子的谷动力学模型,确定了光致发光强度和谷极化率对磁场的依赖关系。计算表明,激子和带电激子的谷极化磁学响应分别呈现X形和V形,与Aivazian等人的实验结果一致[***.11,148(2015)]。我们发现激子与带电激子截然不同的谷极化磁学响应源于带电激子的精细结构。在第四章中,我们探讨了平行磁场下亮激子与暗激子的混合机制,构建了平行磁场和倾斜磁场下激子与带电激子的谷动力学模型,研究了暗激子与暗带电激子的发光性质。我们计算的暗激子与暗带电激子发光强度与Zhang等人的实验结果吻合[*** 11,148(2015)]。同时,我们亦对暗激子与暗带电激子在倾斜磁场下的谷极化率进行了理论预测,并讨论了磁场倾斜角度对谷极化磁学响应的影响。在第五章中,我们对本论文作了总结与展望。上述工作阐明了传统半导体准二维系统中的带内与带间Rashba效应,明确了自旋轨道耦合的常规调控与反常规调控;对于新型二维材料,确定了垂直磁场下单层TMDCs中激子与带电激子的谷塞曼劈裂,揭示了平行磁场下暗激子与暗带电激子的发光性质,相关结果可为自旋调控、谷调控以及新型自旋与谷电子器件的设计和开发起到指导和推动作用。

关键词： 各向异性电输运   拓扑霍尔效应   自旋涨落   斯格明子   反常霍尔效应   临界分析   量子临界点  

摘要： 自20世纪50年代大规模分离纯稀土元素以来,镧系元素及其化合物在应用以及基础研究方面受到越来越广泛的关注。镧系元素具有电子轨道范围较小也较为局域的4f电子,所以它被轨道范围更大的5p和5s电子屏蔽。多达7个未配对电子的构型加上可能存在的强自旋轨道耦合,可以形成巨大的磁矩,从而产生了目前最强的商用永磁体——钕铁硼合金。人们对稀土元素化合物进行了大量的研究,这主要是因为它们的行为在大多数情况下与组成元素的性质有很大的不同。除了丰富的晶体结构、电子基态和复杂的磁相图外,还观察到许多新奇的物理现象,如非费米液体行为、量子临界行为、量子临界区域较强的自旋涨落以及室温下稳定存在的斯格明子磁泡等。另外,在不具有4f电子的过渡金属化合物中,也存在着非费米液体行为以及强的自旋涨落等。研究稀土化合物和过渡金属化合物中自旋涨落对物性的影响,也是十分有趣的。为了进一步理解具有4f电子的稀土化合物以及过渡金属化合物中的新奇物性,在本文中我们主要介绍了关于以下几种材料的磁性及电输运性质的研究,其中包括:在Eu基化合物EuCd2Sb2和EuCuSb中各向异性的磁性行为以及电输运行为,并发现由拓扑磁结构以及拓扑能带导致的巨大拓扑霍尔效应;在稀土化合物PrMn2Ge2中研究了面间磁各向异性以及多种磁性相的竞争——这也可能是导致其在室温下存在稳定斯格明子的主要原因;在过渡金属化合物α-Co5Ge3中研究了由自旋涨落及无序导致的非费米液体行为以及反常霍尔效应。基于以上内容,本论文主要包括以下四个工作:第一部分主要介绍了 EuCd2Sb2单晶的各向异性磁性和输运性质。EuCd2Sb2在不同磁场下的电阻率及磁性结果表明其内部存在较强的铁磁涨落。并且我们在反铁磁转变温度TN上下都观察到了巨大的拓扑霍尔效应,这可能是由非平庸的贝里曲率以及多种磁性相竞争引起的量子临界点导致的。比热测试结果也揭示了在TN以上短程磁有序的存在。大的Kadowaki-Woods 比值可能是由长程反铁磁序与短程铁磁涨落之间的磁临界点引起的。而且电子顺磁共振的数据也进一步表明了铁磁涨落的存在。为了改变EuCd2Sb2的磁基态及调控其费米能级的位置,我们掺杂了 Yb元素并研究了掺杂样品的电输运和磁性质。结果表明掺杂Yb以后,EuCd2Sb2的磁基态的确受到影响,但是对输运性质的影响还需要更深入的分析和研究。第二部分,我们研究了可能具有斯格明子的中心对称材料EuCuSb的磁各向异性以及各向异性的拓扑霍尔效应。磁化率数据表明低温下EuCuSb具有两个反铁磁转变点,并且存在着铁磁关联。各向异性的电输运数据表明,不同磁场方向下EuCuSb具有不同的磁结构,进一步说明样品存在各向异性。同时我们也在电输运结果中发现,EuCuSb存在反铁磁自旋涨落,并且可能存在量子临界点。最后,我们测试了面内的霍尔电阻率ρxy,发现其存在拓扑霍尔效应,这可能是由于非平庸的拓扑磁结构和拓扑能带导致的。特别的是,面间霍尔电阻率ρxz在变磁相变区间还具有回滞的拓扑霍尔效应,其机理尚不明确,需要进一步研究。第三部分主要介绍了在室温下存在稳定拓扑自旋结构的PrMn2Ge2单晶的临界行为以及其各向异性的磁性质。磁化强度和磁熵数据表明,磁场方向不同,PrMn2Ge2具有不同的磁相互作用。通过临界分析我们得知,PrMn2Ge2中存在多种磁相互作用相互竞争,介于长程和短程有序之间,不能用单一的磁性模型描述。这些相互作用与强的磁各向异性结合,可能是PrMn2Ge2在室温下形成斯格明子磁泡的主要原因。第四部分我们研究了巡游铁磁金属α-Co5Ge3的磁性质以及输运性质。在低温下(≤30 K),我们观察到一个与铁磁态共存的自旋涨落相。反常的电阻率随温度的变化行为揭示了非费米液体行为的存在,这是由自旋涨落和无序引起的。并且随着外磁场的增加,α-Co5Ge3的自旋涨落被抑制,从而使费米液体行为恢复。当T≤30 K时,一个非常规的反常霍尔标度关系ρxyA ∝ ρxx6.9被观察到,我们猜测这可能是由自旋涨落或Co原子缺位引起的强烈无序导致的。

关键词： 射流清管器   自旋结构   天然气管道   清管效果   沉积物运移  

摘要： 为了确保天然气管线安全高效地工作,定期开展清管作业是必要的。传统清管器面临清管速度过快、清管效能低下、沉积杂质聚集而造成管路阻塞等问题。射流清管器虽然因为旁通流道的存在,可以降低清管运行速度,但其对清除含硫沉积物的理论和实验研究较少,且清扫效果未能达到预期。为了进一步推动射流清管器的工程应用,本文综合运用理论分析和室内实验的方法,设计研制了新型自旋射流清管器,并对水平清管实验系统中自旋射流清管器的运动特性、旋转特性以及沉积物的清扫运移规律进行了细致的研究。 通过广泛而深入的对国内外文献的调研,明确的清管器的研究现状。目前大多数针对天然气管道内射流清管器的研究都是着力于积液的清除,且结构大多是直通式的射流清管器。针对此现状,本文提出了新型自旋式的射流清管器,基于气体射流带动旋转和滚轮机械带动旋转的两种原理,分别完成了切向型和滚轮型自旋射流清管器的结构设计。并通过理论受力分析,完成了两类自旋射流清管器旋转运动模型的建立,研制并加工了两类四种自旋射流清管器。 搭建了可视化清管器实验系统,进行了大量的室内实验,研究了在单气相和气固两相的不同管道工况下,自旋射流清管器的运动特性、旋转特性以及清扫效果。阐述了驱动气体流量、旁通率、喷头结构对清管器运动速度、速度波动、管道沿线压力、旋转角度以及沉积物运移规律之间的相互影响。研究表明:自旋射流清管器在管线内的速度波动及压力波动比直通式射流清管器的更加平缓,呈现出良好的运行稳定性。随着旁通率的增大,自旋射流清管器的旋转角度增大。单气相时,综合运动速度、旋转角度变化情况来看,3%是圆盘结构射流清管器的最优旁通率。沉积物的运移规律完全受驱动气速及旁通率的影响。在驱动气速较大时,其运移规律呈现出三段式分布:被吹散-积聚-被吹散。不同管道工况下,自旋射流清管器的一次清扫效率均达到了95%。 本文从理论和实验两个方面分析了清管器结构参数对清管特性的影响,指导了自旋射流清管器的设计及应用,对保障管道安全运行有着重要意义。

关键词： 动作表象   动作练习   初级运动皮层   动作诱发电位   配对联合刺激   经颅磁刺激  

摘要： 目的：两个刺激间间隔为25 ms的配对联合刺激(PAS25)能够诱发初级运动皮层发生类似长时程增强(LTP)的突触可塑性变化，且激活的皮层内环路与运动学习激活的皮层内环路相同，基于此，本研究尝试探讨动作表象(MI)和动作练习(MP)等运动学习方案是否能够有效增强或减弱随后PAS25诱发的类似LTP效应，以及皮层内抑制环路在运动皮层类似LTP效应调节过程中作用。方法：选取12名健康的大学生作为研究对象，以PAS25作为运动皮层类似LTP效应的诱发方案，以MI和MP作为运动学习方案，采用经颅磁刺激技术分别测量单独PAS25,MI结合紧跟着PAS25(MI-PAS25),MP结合紧跟着PAS25(MP-PAS25)干预前，干预后即刻、20、40、60分钟的动作诱发电位(MEP)、短时程皮层内抑制(SICI)和长时程皮层内抑制(LICI)的变化。结果：右手拇短展肌测量结果表明，与单独PAS25相比，MI-PAS25干预后即刻、20、40、60分钟时MEP显著增强，MP-PAS25干预后即刻、20分钟时MEP显著降低。MI-PAS25方案干预后20分钟时SICI显著小于MP-PAS25方案，而两者在LICI上没有差异性。右手第一桡侧骨间肌测量结果表明，MEP、SICI、LICI在所有方案间均没有差异性。结论：MI增强了随后PAS25诱发的运动皮层类似LTP效应，而MP则阻碍了随后PAS25诱发的运动皮层类似LTP效应。MI和MP对随后PAS25诱发的类似LTP效应调节的差异性与SICI密切相关。