关键词:
反常霍尔效应
磁性阻尼
DM相互作用
Rashba效应
磁性拓扑绝缘体
摘要:
在实际工程结构的服役过程中,由于非21世纪,是电脑手机为代表的信息化时代,更是大数据爆发增长的时代。然而随着5G时代的到来,数据传输的能力大大加强,接踵而至的便是海量数据的存储与处理问题,这也是现而今各国重视芯片技术革新的原因之一。无论是SRAM,DRAM为主导的存储器,还是各式各样的CPU处理器,都是以半导体产业为主,磁性介质为辅。电子作为基本粒子,不仅有电荷属性,还有自旋属性。半导体产业更多地利用电子电荷的一些特性。而对于电子自旋相关的特性,还有待于对磁性材料的研究和探索,这也是未来集成度更高电子器件开发的一种方向。作为自旋电子学商业化的典范,巨磁电阻效应(GMR)首先在磁性硬盘读取技术中获得应用,并推动磁记录技术的跨域式发展。但随着先进磁介质和技术的发展,巨磁电阻效应的时代仅仅存在了十年,基于隧穿磁电阻效应(TMR)的磁性隧道结器件迎头赶上,这是由于隧穿磁电阻效应高达1000%。作为凝聚态物理的一个重要研究方向,自旋电子学应运而生,它包含非常丰富物理内涵。围绕自旋电子学若干内容,本论文展开了如下的研究与探索:1,L1 Fe Pt(001)外延薄膜中界面反常霍尔效应的研究。为了深入理解磁性材料中反常霍尔效应的机制,我们选取了直流磁控溅射生长的具有面外垂直磁各向异性L1 Fe Pt(001)外延薄膜为研究对象,使用四探针电学测量方法同时测量横向和纵向电阻。通过分析温度依赖的反常霍尔效应,发现反常霍尔电阻率与纵向电阻率之间能很好地用标度关系=(6+(7描述。且a,b都与薄膜厚度的倒数1/(9成线性关系,其截距和斜率分别对应体与界面的贡献。用同样的方法测量了L1相的铁钯(Fe Pd)(001)合金外延薄膜,也发现了相似的现象。总之,界面对称性破缺导致其对反常霍尔效应的界面贡献。2,在钴镍(Co Ni)磁性合金中能带填充效应调控磁性阻尼因子。为了揭示磁性阻尼的本征贡献,我们在Sr Ti O(STO)(001)衬底上生长了无序合金CoNi(002)外延薄膜,并以此为研究对象。因为Co和Ni金属有不同的3d电子数,因此有望通过改变合金成分连续调控Co Ni费米面位置以及附近的态密度,进而调控其磁性阻尼系数。通过时间分辨磁光克尔效应(TRMOKE)测量了磁性阻尼因子,利用密度泛函理论(DFT)计算了电子结构。结果发现,磁性阻尼因子和费米面附近的态密度随着合金成分的改变具有相似的变化趋势。我们实验上证明通过能带填充效应能够有效调控磁性阻尼因子,这有利于自旋电子学器件的研制。3,Dzyaloshinskii-Moriya interaction(DMI)控制非共线反铁磁MnSn外延合金薄膜的手性。手性自旋电子学材料相对于无手性的材料,更具有耗能低,效率更高的特点。而传统意义上手性自旋电子学的研究主要集中于铁磁材料。由于反铁磁材料相对于铁磁材料具有翻转速度快,抗干扰能力强的特点,所以研究非共线反铁磁的自旋手性非常重要。非共线反铁磁的自旋手性不但依赖于自身的物理性质,而且依赖于界面DMI。为此,我们比较并研究了非共线反铁磁MnSn(11-20)单层外延合金薄膜和MnSn/Pt双层膜中反常霍尔效应。当MnSn(d)/Pt中MnSn厚度d减小时,反常霍尔电阻率由负变正。为了进一步验证上述分析,进而对MnSn(10nm)/Pt进行了变温测量,发现温度变低时,反常霍尔电阻率由正变负。已有的理论研究表明,反常霍尔电导率的符号由自旋手性的符号决定。因此,上述实验结果表明界面DMI和MnSn体效应使得自旋手性具有相反的符号,且相互之间存在竞争。由于低温下自旋热扰动变小,界面DMI变大,自旋手性和反常霍尔电阻率低温下反号。同样,MnSn厚度变小导致DMI变强时,自旋手性和反常霍尔电阻率变号。总而言之,通过界面DMI有效地改变了反铁磁的自旋手性,导致反铁磁反常霍尔信号符号的变化,这有利于反铁磁自旋电子学器件的应用与发展。4,磁性拓扑绝缘体的电场调控。拓扑绝缘体表面态为提高自旋流与电流转变效率提供新的机遇,而拓扑表面态中Rashba自旋轨道耦合效应起主要作用。作为一种重要的物理现象,低温下电子无序系统,弱局域化电子的相干背散射以及自旋轨道耦合引起的弱反局域都会导致电导率/电阻率的负/正的量子修正。通过对低温下磁电阻曲线分析可以得到Rashba自旋轨道耦合因子。因此,通过对Cr掺杂的(BiSb)Te(0001)磁性拓扑绝缘体外延薄膜的低温磁电阻效应测量有望获得Rashba自旋轨道耦合因子。我们测量了样品低温下磁电阻效应,发现弱局域效应。利用Iordanskii-Lyanda-Geller-Pikus(ILP)模型对测量结果分析,得到自旋轨道耦合产生的自旋散射时间。实验发现自旋散射时间和电子散射时间成反比例关系,说明Dyakonov-Perel(DP)自旋散射起主导作