关键词:
自旋轨道力矩
自旋轨道耦合
自旋霍尔效应
自旋霍尔磁电阻
摘要:
随着自旋电子学的飞速发展,利用电子的自旋属性已逐渐成为了新一代信息存储和传递的手段。基于巨磁电阻效应(giant magnetoresistance,GMR)与隧穿磁电阻效应(tunneling magnetoresistance,TMR)的自旋电子学器件在硬盘读出磁头和磁随机存储器中已实现了大规模应用。随着人们对自旋电子学器件的工作效率、热损耗与结构简化等方面的要求越来越高,越来越多的研究者对基于自旋轨道力矩(spin-orbittorques,SOT)效应的新型自旋电子学器件开展了研究。不同于GMR与TMR效应,SOT器件并非利用一个较大的外磁场翻转磁性材料的磁矩,而是通过一个微小的电流实现对器件电阻态的调控,从而简化了自旋电子学器件的结构并降低了整体能耗,为实现工业上的器件生产与集成奠定了良好的基础。因此,关于SOT器件的研究已成为了自旋电子学近年来的研究热点之一。本论文系统地研究了 FePt合金薄膜与Fe基多层膜中的自旋输运性质,包括对具有不同化学有序度与不同厚度的L10FePt薄膜的SOT和反常霍尔效应(anomalous Hall effect,AHE)的研究;以及关于 Fe/Pt 与 Fe/CuOx双层膜中Fe层厚度变化对自旋霍尔磁电阻(spin Hall magnetoresistance,SMR)和SOT影响的研究。得出的主要结论如下:(1)以MgO为衬底,在不同生长温度下制备了 3 nm厚的L10FePt薄膜,并实验构筑出SOT器件,研究了无序度对这种超薄L10FePt薄膜中SOT的影响。随着生长温度由350℃升至450℃,L10 FePt薄膜的化学有序度增加。我们发现SOT只能诱导L10FePt薄膜中部分磁矩的翻转,且其磁矩翻转比例与无序度密切相关。无序度较大的L10 FePt薄膜几乎可以实现完全的磁矩翻转,而随着薄膜有序度的增加,L10 FePt薄膜的磁矩翻转比例变小。同时,我们发现传统计算自旋轨道力矩有效场的方法不能完全适用于L10 FePt薄膜。结合磁光克尔显微镜和AHE的测试结果,我们认为在超薄的L10FePt薄膜中,无序度对L10 FePt的自旋输运有重要影响,即在更无序的样品中可以产生更大的自旋流,其原因可能归因于L10 FePt中斜散射的贡献,且无序可以决定畴壁的形成以及畴壁运动过程中自旋流的产生。同时,我们以相同的方法在SrTiO3(STO)衬底上制备了具有不同生长温度的3 nm厚的L10FePt薄膜,并进行了 SOT的研究,得出的结论与MgO衬底上生长的L10 FePt中SOT的结论一致。(2)制备了不同厚度的L10FePt薄膜及其SOT器件,研究了厚度对L10 FePt薄膜中SOT的影响。研究表明,对于具有较高化学有序度的L10FePt薄膜,随着其厚度由8nm增加至16nm,SOT诱导的磁矩翻转比例变小。经过分析,我们认为这是由于不同厚度的L10 FePt薄膜具有不同的界面应力和不同大小的晶粒尺寸所导致的。在相对较薄的薄膜中的晶粒尺寸小,会降低磁畴形核的能量势垒,从而提高磁矩的翻转比例,这表明对于L10 FePt薄膜中SOT的研究应该考虑更多因素。另外,我们在不同生长温度下制备了 8 nm厚的L10 FePt薄膜,发现化学有序度的增加可以提高SOT诱导的磁矩翻转比例,这与3 nm厚的超薄样品随无序度的变化趋势正好相反。这说明当L10 FePt薄膜达到一定厚度时,其中的SOT与L10相结构密切相关。因此,无序度仅在超薄L10 FePt薄膜的SOT中起主导作用;而对于较厚的L10 FePt薄膜,其成分梯度可能起着主导作用。进一步,我们利用密度泛函理论计算证明,因为L10FePt中具有强自旋轨道耦合,即使SOT诱导磁矩翻转过程会受到无序度、界面应变和成分梯度等复杂因素的影响,但L10 FePt通过自旋霍尔效应仍可以产生较大的自旋流。(3)制备了 Fe/Pt、Fe/CuOx与Fe/Al2O3三种双层膜结构的SOT器件,研究了 Fe/Pt(5 nm)与Fe/CuOx(5 nm)双层膜中随Fe层厚度变化的SMR与SOT。研究表明,当Fe层的厚度为3 nm时,Fe/CuOx中的SMR大于Fe/Pt中的SMR。随着Fe层厚度由3 nm增加到10 nm,两种样品的SMR在电流分流作用的影响下均有所降低,而Fe/CuOx双层膜中的SMR减小的幅度更明显,说明Fe/CuOx中自旋流的来源对电流的分流作用更为敏感。而对于Fe/Al2O3双层膜,由于其自旋轨道耦合可忽略,几乎无自旋流产生。通过谐波测试,我们在Fe/Pt和Fe/CuOx双层膜中都观察到了相当明显的SOT,证明在Fe/CuOx双层膜中有自旋流的产生。我们还进一步研究了 Fe/CuOx双层膜中较强自旋流的起源,排除了界面作用的影响,确认了 CuOx的