关键词:
磁子阀
Fano共振
逆自旋霍尔效应
磁声相互作用
摘要:
随着科技的发展,计算机及电子设备均处于高速迭代的时期,对计算机的运算速率和存储密度的要求进一步提高,因此对晶体管制程工艺的要求愈来愈苛刻,如今成熟的晶体管工艺已达到七纳米,原子极限及量子效应的瓶颈逐渐凸显,继续迭代新制程工艺面临更大的挑战。近年来,利用电子的内禀属性自旋进行信息传输,为打破摩尔定律提供了新的发展方向。其中,采用磁性绝缘体为主的自旋电子器件,可借助磁子以波动的形式进行长距离高效的信息传输,且由于不存在净电荷的移动,使得器件功耗大幅度衰减。因此开发磁子阀为核心的自旋电子器件,实现具有磁子自旋的存储与逻辑器件,引起广泛关注。为了进一步优化磁子阀结构器件,本文以磁性绝缘体异质结为基本单元,进行了新的探索和尝试,主要集中在如下两个方向:首先对磁子阀的性能进行了系统的研究,通过其本身结构的不对称破缺性,将磁子阀磁化动力学与Fano共振相结合,实现了磁子的Fano效应。而后,结合磁子-声子之间的相互作用,实现由声子介导的自旋信息传输并结合自旋泵浦、自旋霍尔及逆自旋霍尔等测试手段研究了钇铁石榴石(YIG)/钆镓石榴石(GGG)异质结的自旋输运特性。对实现以磁子为信息载体的低功耗高性能自旋电子学器件,具有十分重要的意义。首先,本文对已有的相关理论及背景进行了介绍。从磁性能量角度入手,介绍磁化动力学理论,对磁化进动过程进行了分析,并详细阐述了铁磁共振相关理论与Fano共振相关理论模型及应用,自旋流的产生与探测机制。为之后对磁子阀结构的自旋输运及动力学研究提供了理论基础。并对本文所使用的样品制备及测试技术进行了介绍。其次,对新型磁子阀结构YIG/Au/YIG的制备工艺及方法进行了研究。通过改变Au层厚度得到不同结构类型的磁子阀单元,其中包括YIG/Au纳米颗粒/YIG、YIG/Au纳米柱/YIG等。对不同类型的磁子阀单元进行了详细的表征,包括TEM、XRD、Raman、XPS,对磁子阀的微观结构模型、晶体结构以及声子振动模式、元素价态进行了详细的分析及探讨。通过UV-visible测试研究了YIG/Au/YIG磁子阀的光学性能,通过其透射谱及反射谱,计算得到其光学带隙的变化,发现随着Au层厚度的增加,光学带隙逐渐降低。然后,对YIG/Au/YIG磁子阀随Au层厚度变化的磁化动力学特性进行了系统的研究。并成功在Au层为60 nm的磁子阀中观察到了磁子Fano共振现象。通过耦合振荡器模型,描述了Fano共振的来源。并通过对铁磁共振吸收峰的数值拟合提取了Fano因子,发现可以通过Fano因子定义铁磁层间相互作用的方向。最后,为了进一步探索基于纯自旋流的磁子自旋器件,制备完成YIG/GGG/Pt异质结薄膜并进行了自旋输运相关研究。通过脉冲激光沉积获得的GGG薄膜呈现以(111)晶向为主的多晶薄膜,且具有不同结构体所对应的拉曼峰。以此为基础,研究了在不同厚度GGG间隔层条件下的逆自旋霍尔效应,探索声子自旋输运的可能性。在YIG/GGG/Pt异质结中,通过逆自旋霍尔测试系统成功探测到GGG层厚度在100 nm以内的逆自旋霍尔信号,且随着GGG薄膜厚度的增加,声子介导的自旋输运在100 nm以内呈幂指数型衰减。