关键词:
二维材料
铁磁共振
自旋轨道矩
自旋轨道矩效率
磁化动力学
摘要:
自旋电子学,是一门同时利用电子电荷属性和自旋属性的交叉学科,而自旋电子器件,如磁随机存储器(MRAM)和逻辑器件,在未来高效数据存储和计算技术中,具有很大的应用潜力,已在现代自旋电子学研究中引起了广泛关注。电流驱动磁矩使得MRAM和其它自旋电子器件一样,都是依赖于自旋流对磁矩的有效操纵,突破了磁场的非局域性造成的磁场驱动磁矩器件的低性能和高能耗的缺陷。研究发现,利用纯自旋流产生的自旋轨道矩(spin-orbit toqrue,SOT)是实现低功耗、高密度、快速的磁化翻转的有效途径,因此利用自旋轨道矩对磁矩的有效操纵,并构建具有高电荷流到自旋流转换效率的体系,是未来新型自旋存储器件的核心技术方向,也是现代自旋电子学研究领域的热点问题。自旋轨道矩研究大多集中在具有强自旋轨道耦合作用的多层复合薄膜体系,传统自旋源材料一般采用具有强自旋轨道作用的重金属,优质软磁常被选为复合薄膜体系中的磁性层。而由于自旋流转换率低等局限,亟需开发可产生更高SOT效率的自旋源材料体系,其中二维材料(two dimensional,2D)由于具有特殊的晶格结构和丰富的界面特性,自旋轨道矩的产生机制和表现形式都更为多样化,已成为近年来自旋轨道矩研究领域的热门方向。基于以上背景,我们以非磁层/铁磁层(NM/FM)双层异质结为基础,展开了一系列磁动力学自旋轨道矩研究。其中非磁层采用二维半导体晶体ZrSe,ZrSe具有强自旋轨道耦合作用,且其晶格结构具有对称性破缺的特点,铁磁层采用面内易磁化且高频共振场较低的镍铁合金(NiFePy)。本文主要研究结果概括如下:1.首先我们利用机械剥离、磁控溅射及微纳加工技术制备了边界清晰的优质ZrSe(7.6 nm)/Py异质结器件,对比于重金属体系Pt/Py,ZrSe(7.6 nm)/Py异质结的磁化阻尼因子非常小,这间接说明了二维超薄原子层ZrSe的界面特性使得在其上生长的Py薄膜的均匀性高且磁性良好。同时,ZrSe作为半导体,与铁磁性的Py存在阻抗失配的情况,导致界面势垒的产生,很难有自旋流从Py注入到ZrSe中,因此界面自旋泵浦效应对磁化阻尼因子的贡献近似为零。此外我们还发现,当微波流沿着ZrSe的低对称轴施加时,该异质结体系会出现一个由于ZrSe晶体结构对称性破缺导致的面外类阻尼矩分量。通过线型模型计算我们得到ZrSe(7.6 nm)/Py体系的自旋流转换效率为2.67,自旋霍尔电导率高达377.1×10~3((?)/2e)(Ωm)。为了进一步探究体系自旋轨道矩的来源,我们改变了ZrSe厚度并进行测试,分析结果表明,体系的自旋轨道矩主要来源于体自旋霍尔效应带来的自旋流的扩散传输。2.将超薄Cu层插入ZrSe/Py界面中,我们发现体系的面内单轴磁各向异性和面外类阻尼矩分量都有明显的变化。根据ZrSe/Cu(t )/Py共振场的角度依赖性关系,我们发现Cu厚度的增加抑制了ZrSe诱导的磁性层Py的面内磁各向异性,同时也削弱了类阻尼自旋轨道矩的面外分量。当Cu厚度达到2 nm时,ZrSe/Cu(t )/Py中的面外类阻尼矩几乎完全被抑制。此外,我们发现自旋轨道矩效率随着Cu厚度的变化基本保持稳定,表明ZrSe/Py体系中界面对自旋轨道矩效率的贡献较小,进一步佐证了ZrSe中体自旋霍尔效应对SOT效率的重要贡献。3.磁性层厚度依赖性测试结果表明,ZrSe/Py(t )体系的磁阻尼因子随着Py厚度的增加而逐渐减小。外加直流调控结果显示,ZrSe/Py体系的共振线宽和共振场均随着直流大小变化而变化,通过计算我们得出直流诱导的面外类阻尼的等效场分量H为0.120 Oe/m A,类场的等效场分量H为0.193 Oe/mA。