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关键词： 电影特效   昭和怀旧文化   历史书写   山崎贵  

摘要： 本论文以日本特效导演山崎贵为中心，聚焦于日本“昭和怀旧”文化现象及相关论述，并将它们放置在日本“平成”与“昭和”的历史维度中，再度追问何谓“昭和怀旧”。以此，主要从以下四个方面展开论述。第一，在特摄电影史的脉络中，聚焦于山崎贵在成为导演之前的创作经历并加以考察，试图窥见山崎贵的早期创作特点。第二，以《永远的三丁目的夕阳》为中心，对“永远的三丁目的夕阳”三部曲的影像、叙事以及人物形象等进行分析。追踪“昭和怀旧”产生的时代原因，阐释“昭和”的三层意味。回答“昭和”何以“怀旧”的问题。第三，在日本海战电影的框架中，以山崎贵的另一部冠以“永远”之名的《永远的0》为中心，对山崎贵的海战电影加以讨论，进一步阐释“眼泪”的“政治学”的问题。以此，打开“昭和怀旧”或“前昭和怀旧”的另一个面向，揭示战争电影表象下的主流历史书写。第四，在日本“治愈系”文化的视域下，以《哆啦A梦：伴我同行》为中心，讨论山崎贵的“治愈系”电影的内在结构与意义。山崎贵的漫改电影既是创造商业收入的创作策略，也是其借助CG特效技术制作，向动画界“渗透”的野心之举。　　基于此，笔者试图完成山崎贵的导演论，分析“昭和怀旧”的电影表象，来思考“昭和怀旧”成为“治愈”的手段或方法的合理性，并对日本主流电影中的历史书写提出批评。

关键词： 扰动薛定谔方程   多解性   变分方法   存在性  

摘要： 本文主要通过变分方法,研究几类扰动薛定谔方程的多解性.全文共分为四个章节.　　在第一章中,介绍关于扰动问题的研究背景及文献中已有的相关研究成果.在此基础上,给出本文所要研究的问题以及所得的几个主要结果.　　在第二章中,研究一类扰动的超二次薛定谔方程的多解性.在其非线性项满足相对较弱的超二次增长性条件的情形下,得到该类方程有限多个非平凡解的存在性.　　在第三章中,对一类局部有定义的扰动薛定谔方程的多解性进行研究.当其中的非线性项与扰动项分别具有局部次二次条件以及较弱的局部增长性条件时,证明这类方程具有有限多个负能量的小解.　　在第四章中,对一类带局部扰动项的次二次薛定谔方程的多解性进行研究.当假设其扰动项满足某种较弱的局部增长性条件时,证明该类方程也存在着有限多个负能量的小解.

关键词： 布里渊散射   自旋波   非互易   模式杂化   磁性薄膜  

摘要： 磁性材料中电子自旋的有序进动可以产生自旋波,自旋波作为能量和信息传输的载体,相比传统的电子器件具有更小、更快和功耗更低的特点,在自旋电子学领域有广阔的应用前景。由自旋进动方程的手征性决定,某些自旋波显著的特点就是非互易性。因此有望基于自旋波的非互易性设计基于自旋波的信息传输和处理的器件。本文主要围绕自旋波及其模式杂化中的非互易行为开展研究。主要通过布里渊散射(BLS)的波矢分辨功能探测磁性纳米薄膜材料中的自旋波并研究频率色散和模式分布的非互易。得到了以下创新性成果:1.在双层磁性薄膜中发现了静磁表面自旋波(MSSWs)巨大的非互易现象。Co/FeNi双层膜中,FeNi薄膜下界面传输的MSSWs频率随波矢的增加而减小,即群速度为负,传输行为类似于后向体自旋波。发现了FeNi薄膜上下界面MSSWs的频率非互易随波矢的增加而增加,非互易最大可以到4 GHz左右,分析后发现这种现象是由两层磁性薄膜之间的偶极相互作用引起的。2.发现了FeNi单层磁性薄膜中两种自旋波的非互易杂化。在厚度合适的FeNi磁性薄膜中同时观测到了MSSWs和垂直驻波(PSSWs)的传输,通过改变表面波的波矢,实现了这两种模式自旋波的杂化。并且发现这两种自旋波的杂化具有很强的非互易性,即杂化后在FeNi薄膜的上界面抑制了PSSWs的传输,下界面抑制了MSSWs的传输。微磁学模拟和实验共同证实了这种非互易杂化与材料的厚度、饱和磁化强度、交换常数的关系。3.发现了YIG/FeNi双层磁性薄膜中非同步且非互易的磁振子杂化。YIG/FeNi双层磁性薄膜中观测到MSSWs和PSSWs的杂化。但是由于YIG和FeNi层之间的静磁相互作用,导致FeNi层中MSSWs频率产生频率差。因此随着波矢的增加,FeNi层的上下界面杂化非同步。杂化后在FeNi薄膜的上界面只有MSSWs的传输,抑制了PSSWs的传输。相反在薄膜的下界面只有PSSWs的传输,抑制了MSSWs的传输,即杂化产生了非互易现象。可以通过改变FeNi层的厚度,调控杂化时的波矢范围。

关键词： 非厄米SSH模型   自旋轨道耦合   体边界对应关系   拓扑不变量  

摘要： 拓扑量子态的研究是近年来凝聚态物理领域的热门课题,相比于厄米哈密顿量非厄米哈密顿量能够有效地刻画多种物理体系,非厄米系统中具有许多独特的特性,其中由非厄米趋肤效应引起的,导致系统体边界对应的失效是其主要特性,它导致了系统在开放边界条件下零能模的出现点和周期边界条件下的带隙闭合点不重合,开放边界条件下的本征态是局域在边界上的局域态而不是拓展态,相对应的非厄米拓扑边界态也无法由布洛赫哈密顿量中的拓扑不变量来刻画。因此提出引入一个复波矢量来构造广义布里渊区从而恢复非厄米系统的体边界对应关系,然而数值计算需要巨大的计算量来支持。受非厄米趋肤效应和非厄米Aharonov-Bohm(AB)效应之间相关性的启发,本文构建了具有自旋轨道耦合的一维非厄米Su-Schrieffer-Heeger(SSH)模型的拓扑等价模型,利用其拓扑等价模型来研究系统中具有的拓扑性质。通过一个非零对角元矩阵对原模型的哈密顿量进行相似变换,可以将变换后的哈密顿量在两个子空间中分别进行分析。利用变换后的拓扑等价模型哈密顿量的本征值,可以得出系统拓扑相变点的解析形式。本文还重新定义了拓扑等价模型的两个子空间中的缠绕数,得到了原模型拓扑不变量的解析形式以区分不同的拓扑相,并恢复了具有Dresselhaus型自旋轨道耦合的一维非厄米SSH模型的传统体边界对应关系,通过数值计算验证了我们的分析结果。构造拓扑等价模型的优点是消除了系统中存在的非厄米趋肤效应,可以得到解析解而不需要计算广义布里渊区,并确保了从非布洛赫体边界对应关系中恢复常规的体边界对应关系,使原体系的拓扑特性可通过其拓扑等价模型间接获得。该方法为研究非厄米系统的拓扑性质提供了另一种全新的思路。

关键词： 光自旋霍尔效应   各向异性   非线性  

摘要： 对于空间受限的线偏振光来说,当其在非均匀介质中传输时,会发生反射/折射。反射/折射过程中为了保证总角动量守恒,自旋-轨道会相互作用,从而导致反射光束/折射光束产生分裂,即所谓的光自旋霍尔效应。光自旋霍尔效应以其独特的物理性质在精密计量、微纳光子器件研究以及通信等方面都存在巨大的应用潜力,因此成为了光学领域研究的热点问题。本文基于各向异性介质中光自旋霍尔效应的特殊性质,分别研究了线性和非线性各向异性晶体中的光自旋霍尔效应。本文主要研究工作总结如下:(1)从理论和实验两方面证明了一种在空气-单轴晶体界面上的新型光自旋霍尔效应。首先,从理论上构建了水平偏振傍轴高斯光束在空气-各向异性晶体界面的反射模型,分析了在此模型上发生的光自旋霍尔效应。水平偏振光在晶体表面上反射时,晶体的各向异性使入射偏振态发生交叉偏振转换,其中转换效率与横向波矢K相关,反射光的线偏振角度随K矢量呈线性变化,而自旋方向相反的光子在入射面内空间分离,即产生光自旋霍尔相应。实验中测量了自旋位移与晶体光轴和光束入射角的关系,当入射角接近布鲁斯特角时,转动晶体光轴,得到最大自旋位移为29.5μm,约等于光束束腰的一半;且自旋位移方向会在光轴为90°时发生反转。因此,在这种由各向异性诱导的新型光自旋霍尔效应中,反射光束的自旋位移可以通过入射角和晶体光轴的方向进行调节,基于此方法可以实现对光自旋霍尔效应的灵活操控。(2)提出并观测了非线性各向异性晶体中的光自旋霍尔效应。首先,从耦合波方程入手,建立了光束在非线性各向异性晶体中传输的模型,分析了非线性光场自旋霍尔效应的产生过程,发现在线性自旋-轨道耦合和非线性倍频效应共同作用下,非线性光场的自旋分裂依赖于入射光焦点在晶体中的位置,不同于非线性光场,基频光场的自旋分裂现象与焦点的位置完全无关。当焦点从晶体的前端面移动到后端面时,非线性自旋光子的位移方向发生改变,自旋方向相反的非线性光子完全分离。在实验上,我们以BBO晶体的倍频效应为例验证了非线性自旋霍尔效应,其中晶体长度为20 mm。实验发现:当焦点位置从0变为20 mm时,倍频光中右旋圆偏振分量的质心位移从正值变为负值,左旋圆偏振分量的质心位移从负值变为正值;且当焦点位置从3 mm移动到19 mm时,倍频光中左右旋圆偏振分量的自旋位移随晶体的移动基本呈线性变化。而当焦点位置从0变为20 mm时,基频光的自旋位移没有任何变化。类似的实验结果在二维光束入射晶体的情况下也得到证实。实验结果与理论预期基本一致。以上研究工作及成果,加深了光自旋霍尔效应中自旋和轨道相互作用的理解,为实现对光自旋霍尔效应的操控提供了新的方法,进一步促进了光自旋霍尔效应的实际应用。

关键词： 磷烯   硼磷烯   第一性原理   纳米带   电场   自旋劈裂   自旋轨道耦合   磁近邻效应  

摘要： 新型二维材料由于具有独特的力学、热学、电学和光学性质,在未来电子器件等领域有重要应用前景,是国际重要前沿课题。然而,目前发现的大多数二维材料都是自旋简并的,并不能直接用于自旋电子学领域,因此探索如何在这类二维材料中引入自旋并进行调控具有重要的研究意义。磷基二维材料磷烯与硼磷烯具有合适的带隙和较高的载流子迁移率,克服了石墨烯零带隙和二硫化钼低迁移率的缺点,但其自旋简并的电子结构限制了它在自旋电子学领域的应用。本文围绕如何调控磷烯与硼磷烯的自旋劈裂的展开研究,采用第一性原理计算的方法,探讨了电场、杂质、及其异质结中的磁近邻效应和自旋轨道耦合对磷烯与硼磷烯的电子结构、自旋劈裂的影响。主要研究内容及结论如下:（1）研究了电场对扶手椅型蓝磷纳米带边缘态自旋劈裂的影响。结果表明,自旋劈裂与边缘态上的电子占据数密切相关,可以通过电场或电子掺杂进行调控。外加电场通过移动边缘态相对于费米能级的位置,改变边缘态上的电子占据数,从而使边缘态发生自旋劈裂。此外,通过电子掺杂也能改变费米能级的位置,调节边缘态上的电子占据数,从而使边缘态发生自旋劈裂。这种通过电场来使边缘态产生自旋劈裂的调控方法能够在不改变边缘构型的条件下使边缘自旋极化。（2）研究了B-掺杂的扶手椅型黑磷纳米带中杂质态自旋劈裂的电场调控。结果表明,外加电场可以使B原子引入杂质态发生自旋劈裂。没有外加电场时,B原子在费米能级之上引入的杂质态是自旋简并的。外加电场可以使B原子杂质态上的电子占据数增加,杂质态的局域性使自旋向上和自旋向下的电子之间存在较强的库仑排斥,为了降低体系的能量,电子趋向于优先填充同一种自旋的轨道,从而使相应的杂质态发生自旋劈裂。这一结果能够为电场调控非磁性杂质原子的自旋劈裂提供参考。（3）研究了扶手椅型硼磷烯纳米带中不同类型的杂质与空位的共同作用对自旋劈裂的影响。结果表明,两种不同缺陷共同作用对自旋劈裂的影响与缺陷能级之间的相对位置和占据数有关。当硼磷烯纳米带中的一个P原子被Al原子或S原子取代时,能带是自旋简并的。然而当纳米带中的两个P原子分别被Al原子和S原子同时取代时,Al原子引入的杂质态发生自旋劈裂。这是由于S原子的加入使Al的杂质带被部分占据,形成未配对的电子,使杂质态发生了自旋劈裂。这有助于进一步理解多缺陷体系中杂质态的自旋劈裂。（4）研究了单层黑磷和蓝磷与Cr I3形成的异质结中磁近邻效应对自旋劈裂的影响。结果表明,磁性Cr I3可以提供一个有效磁场,使黑磷或蓝磷发生自旋劈裂。这种劈裂可以通过电场和垂直应变进行调控。在蓝磷与Cr I3形成的异质结中,电场可以将异质结的能带转变为II型能带,同时,蓝磷价带和导带的自旋劈裂随着电场强度的增强逐渐减小。施加垂直应变减小层间距也可以将能带转变为II型能带,同时使价带产生明显的自旋劈裂。这对探索利用磁近邻效应调控其它二维材料的自旋劈裂具有借鉴意义。（5）研究了硼磷烯与Mo Se2形成的异质结中层间相互作用对硼磷烯自旋轨道耦合的影响。结果表明,层间相互作用使硼磷烯的导带底杂化了一部分Mo原子的d轨道,使导带底的自旋轨道耦合增强,产生13 me V的自旋劈裂,且自旋和能谷是锁定的。施加电场或改变层间距可以调节导带底的布洛赫态中的d轨道所占的比例,改变导带底自旋轨道耦合的强度,从而改变导带底自旋劈裂的大小。同时,硼磷烯的存在打破了Mo Se2的镜面对称性,使Mo Se2的能带在Γ点发生了明显的Rashba自旋劈裂。这对增强其它二维材料的自旋轨道耦合、实现自旋与能谷的锁定提供了思路。总之,对于边缘态和杂质态,可以通过电场或不同杂质原子共掺杂改变缺陷态或杂质态上的电子占据数,使相应的能带发生自旋劈裂。对于磷烯、硼磷烯本征的价带或导带,可以通过与磁性二维材料Cr I3或具有强自旋轨道耦合的过渡金属化合物Mo Se2形成异质结、在布洛赫态中杂化一部分d轨道来实现自旋劈裂。图64幅,表0个,参考文献333篇。

关键词： 磁各向异性   自旋轨道矩   电流诱导磁矩翻转   磁线二色  

摘要： 随着信息通信技术的不断创新,大数据、社交媒体、物联网和云计算等所产生的信息量迅速增长。“信息爆炸”使得尺寸更小、功耗更低、处理速度更快这三项指标成为引领电子产品发展的重要方向。与半导体器件相比,新型自旋电子学器件在信息存储方面具有非易失性、容量更大、速度更快、能耗更低等显著优势,可为满足上述需求提供更为广阔的前景,而作为其主要构成的磁性薄膜因此成为人们研究的热点。本论文以铁基单晶磁性薄膜为核心研究体系,分别以具有面内磁各向异性的单晶Fe/Co多层膜和具有垂直磁各向异性的L10-FePt合金薄膜为切入点,着眼于表面重构对体系磁性能的调控、外延结构FePt合金薄膜中的自旋输运特性与深紫外激发下的磁线二色效应等,围绕材料制备、机制探索和器件设计三个方面展开研究。主要工作内容和创新成果总结如下:(1)利用具有温度依赖特性的表面重构实现对单晶Fe/Co双层膜体系磁各向异性的调控。利用单晶Fe薄膜中的表面重构现象,系统地研究不同Co层厚度下表面重构对体系磁各向异性的影响,构建了磁各向异性与表面/界面重构的关联,并通过分离Fe/Co双层膜磁各向异性中的体贡献和界面贡献阐明了表面重构对Fe/Co界面各向异性的增强,进而实现体系磁各向异性的有效调控。(2)以外延L10-FePt/Cr薄膜作为核心体系,结合具有强轨道霍尔效应的3d金属Cr实现高效的电流诱导磁矩翻转。利用电流注入Cr层激发产生的轨道流,通过FePt层实现高效的轨道流-自旋流转化,从而驱动FePt自身磁矩翻转。实验证明,与具有强自旋霍尔效应的重金属相比,该结构中电流驱动磁矩翻转需要的电流密度降低了 69%。(3)在单晶L10-FePt单铁磁层结构体系中分别通过Cr元素掺杂以及局域电流退火的方式实现其不依赖于外磁场的电流驱动磁矩翻转。在保证L10有序结构的前提下,Cr掺杂后的L10-FeCrPt结构会诱导产生面内交换耦合场,打破器件面内反演对称性,进而通过自旋轨道矩效应实现磁矩不依赖于外磁场的定向翻转并结合理论计算对比相关物理机制予以阐明。通过局域电流退火的方法,设计出纵向Fe成分梯度反对称的器件构型,打破面内反演对称性,有效地实现L10-FePt单层膜结构无外磁场下的电流驱动磁矩翻转。这两部分工作为实现单铁磁层中自旋轨道矩在无外磁场下驱动磁矩翻转提供了思路,为高能效自旋电子学器件的构建提供了新的技术路线。(4)在具有(001)与(111)双取向外延结构的FePt薄膜中使用线偏振态的深紫外激光对其过渡区域的磁线二色效应进行研究。通过对比具有相同晶体结构、磁各向异性不同的CoPt与利用退火温度调控有序结构的形成证明了DUV磁线二色衬度的形成与自旋取向以及有序结构的形成存在重要关联。这对进一步理解价带电子激发中磁线二色效应的起源具有重要意义。

关键词： 损伤识别   小波包分解   递归图   卷积神经网络   模型试验  

摘要： 桥梁健康监测系统的有序运行,对保障桥梁结构在使用年限内安全服役和高效运营管养意义重大。其中,损伤识别是结构健康监测系统的重要目标之一,能否有效解读振动响应信号所蕴含的损伤信息至关重要。在既往学者信号分析处理技术研究的基础上,配合课题组桥梁健康监测系统开发需求,提出利用小波包分解和递归图(Recurrence Plot,RP)对信号进行多空间尺度上的表征和可视化,同时引入决策融合(Decision Fusion)机制用以提高卷积神经网络(Convolutional Neural Network,CNN)损伤识别分类的准确率。主要研究内容如下:(1)提出基于小波包分解和递归图的非平稳信号分析方法。从理论角度分别论述了小波包分解与递归图的优势及缺陷,指出多尺度分析的可行性和优点,并通过一组构造混合信号对其进行可行性验证。证实将小波包分解和递归图进行有机结合后,可在多空间尺度上表征和可视化损伤信号的动态特性,捕捉振动信号的非线性和非平稳行为。(2)以简支梁为研究对象,分别建立仿真模型和实验室模型,对多种损伤工况下所采集的加速度信号进行小波包分解和递归图处理,通过卷积神经网络对多个尺度的递归图进行损伤识别分类,使用决策级融合提高识别准确率;同时,将原始信号转换的递归图和卷积神经网络分类结果作为对照组。试验结果初步证实,该方法对于简支梁单一损伤下多尺度识别精度高于单尺度损伤识别方法,仿真试验识别精度高达96.45%,实验室试验精度为88.33%。(3)为进一步验证并优化该方法对复杂桥梁结构的损伤识别性能,在实验室斜拉桥模型进行损伤模拟,利用多尺度递归图和卷积神经网络对损伤进行识别分类。结果表明该方法能够识别复杂桥型不同构件损伤,且由于小波包分解重构后信号信噪比提高,多观测单元经多数票决(Majority Vote,MV)后有效降低了环境噪声和偶然误差对该方法的影响。

关键词： 对流扩散方程   涡量流函数方程   谱方法   格林函数   积分方程  

摘要： 对流扩散方程和涡量流函数方程是流体力学中常用的两类方程,对流扩散方程还广泛应用于传热学、化学和环境科学等领域,涡量流函数方程在研究粘性不可压缩流体的流动时起着重要作用。在实际问题中由于求解区域和边界条件的复杂性,很难求得这两类方程的解析解,数值求解便成为一种重要的方法,因此构造高效和稳定的数值方法有着重要的应用价值。基于谱方法的思想和积分方程理论,本文提出了一种改进的谱方法,用于数值求解对流扩散方程和涡量流函数方程。在应用改进谱方法求解稳态对流扩散方程时,对第一类齐次边界条件,可通过变量代换消去对流项中的一阶导数项。然后引入关于格林函数的辅助边值问题,把格林函数和未知函数用正弦级数展开,并求得格林函数表达式。再根据格林函数的性质,把对流扩散方程化为积分方程。最后根据正弦级数的正交性,把含有空间变量和级数系数的积分方程简化为只含有级数系数的积分方程组,求解该方程组就能求得原方程的级数有限和形式的近似解。应用改进谱方法求解了一维、二维稳态对流扩散问题的算例,计算结果表明该方法与有限体积法和QUICK格式相比,有着更高的精度并且不需要网格划分。与积分方程法相比,在保证同样精度的前提下,简化了推导和编程流程。对于非稳态对流扩散问题,方程中不仅有空间变量,还出现了时间变量。可用和前面介绍的稳态情形一样的方法离散空间变量,把关于空间和时间变量的积分方程简化为只关于时间变量的积分方程组。用四阶龙格-库塔法求解这一积分方程组,得到用级数有限和形式表示的原问题的近似解。最后用一维、二维非稳态对流扩散问题的算例检验了改进的谱方法,讨论了 Peclet数、截断项数、时间步长、计算时间以及不同源项对计算误差的影响。对于非线性涡量流函数方程,先引入关于格林函数的辅助初边值问题,并用格林函数的性质将涡量流函数方程转化为积分方程。然后对于周期边界条件和第一类齐次边界条件下的未知函数和格林函数,分别用傅里叶级数和正弦级数展开。再利用级数的正交性将积分方程转化成只含时间变量的积分方程组,用四阶龙格-库塔法求解该方程组,得到原方程的级数有限和形式的近似解。最后用不同边界条件下的算例检验了改进谱方法,发现其计算结果和解析解吻合得很好。

关键词： 自旋交叉   氢键   晶体堆积   配合物   MnⅢ  

摘要： 自旋交叉(SCO)现象广泛存在于3d-3d过渡金属配合物,是一个很有潜力的研究领域,应用范围包括超高密度存储器件、传感器、分子电子学和自旋电子学等。但这些应用要求配合物表现出接近室温、磁行为突变且存在较宽磁滞的自旋交叉行为,而大部分已报导Mn配合物都处于高自旋态(HS)。本论文旨在通过改变配体、阴离子等来调节Mn配合物的结构和性质,以获得目标产物,为SCO体系的发展做出了重要贡献,研究内容如下。第一章先简要介绍了自旋交叉现象和自旋交叉配合物的主要应用领域,其次,从物理和化学角度分别介绍了影响自旋交叉性质的几种因素。另外,重点介绍了MnSCO配合物的研究方向及其配体发展。最后简要叙述了本论文的选题依据及研究内容。第二章主要介绍了以大尺寸阴离子为研究对象的五个配合物:[Mn(naphth-sal-N-1,5,8,12)]BPh、[Mn(5-I-sal-N-1,5,8,12)]BPh、[Mn(5-NO-salk-N-1,5,8,12)]BPh、[Mn(5-OCH-sal-N-1,5,8,12)]BPh和[Mn(5-Br-3-OCH-sal-N-1,5,8,12)]BPh。通过晶体结构和磁学性质分析得出它们具有的不同磁性行为。其中配合物[Mn(naphth-sal-N-1,5,8,12)]BPh表现出渐进不完全的自旋交叉行为;[Mn(5-I-sal-N-1,5,8,12)]BPh具有两种Mn金属中心,但均没有表现出SCO行为;其余三个配合物均稳定在高自旋态。另外,结合电化学分析和分子间相互作用分析得出,配体场强度在一定程度上影响配合物的自旋交叉行为,并且和分子间相互作用共同影响了配合物的自旋态。第三章以较少见的水杨酮配体为基础,合成了[Mn(salk-N-1,5,8,12)]X(X=As F,BF,PF)系列配合物,但它们均处于HS态,而相似的配合物[Mn(sal-N-1,5,8,12)]As F表现出渐进的SCO行为,并具有18 K磁滞宽度。通过对比它们的超分子作用和Hirshfeld表面分析,发现配合物6-8一直处于HS的原因是分子间较弱的协同相互作用及紧密的晶体堆积。第四章主要探讨了阴离子效应对配合物自旋态的影响,选取了[Mn(5-t Bu-sal-N-1,5,8,12)]作为阳离子,以大小和性质都不相同的Cl、BPh和Cl O三个阴离为研究对象。当阴离子为体积最小的Cl离子时,[Mn(5-t Bu-sal-N-1,5,8,12)]Cl处于完全的LS态,当阴离子为体积较大的BPh和Cl O离子时,两个配合物始终保持在HS态。通过分析几个配合物的晶体结构,发现阴离子的体积会影响配合物的堆积方式,阴离子性质会影响分子间的相互作用,从而影响分子链的协同性,这是几个配合物具有不同磁性质的重要原因。第五章对本文研究的几种配合物进行了分析和总结,为设计SCO材料提供实验依据。