关键词:
自旋-轨道耦合
Rashba效应
自旋泵浦效应
各向异性阻尼
自旋电子学
摘要:
自旋-轨道耦合效应为磁性纳米结构体系带来了许多新奇的物理现象。在材料的界面或表面处,由于中心反演对称性破缺,产生Rashba类型的自旋-轨道耦合效应。而铁电半导体是一种体中心反演对称性破缺的体系,它们结合自身的电极化强度以及强自旋-轨道耦合效应,产生体Rashba自旋劈裂的现象。GeTe作为目前体Rashba系数最大且同时拥有表面Rashba效应的铁电半导体,它在自旋电子学方面拥有很大的发展空间。然而,在器件微型化的今天,当铁电半导体尺寸减小后是否还存在大的Rashba效应是一个亟待解决的问题。目前,已有相关工作证明当Fe与GeTe形成异质结后,Fe的能带会与GeTe表面态相互杂化,抑制GeTe的表面Rashba态,而该杂化态对磁动力学的影响还未知。由于GeTe自身会产生大量的Ge空位,导致费米面以下仅有一小部分表面态被电子占据。为了研究表面态的信息,需要进行掺杂,调整费米能。因此,本文利用分子束外延系统(MBE)生长GeTe薄膜,利用角分辨光电子能谱(ARPES)和铁磁共振(FMR),研究GeTe在维度、掺杂等方面对Rashba效应以及自旋动力学方面的影响,并取得了以下科研成果:1.本工作利用MBE和ARPES仔细研究了GeTe薄膜厚度依赖的能带结构。随着薄膜厚度降低,体Rashba系数不断减小,但在5.0 nm时,GeTe依旧保持较大的Rashba系数,约为2.12 e V(?),这有助于GeTe在器件微型化方面的应用。进一步地,实验结果证明Rashba系数随厚度的变化关系满足标度律,其临界指数指出GeTe薄膜中的电极化呈现出三维海森堡模型,呈现出短程相互作用。通过标度律拟合,得到体Rashba效应存在的极限厚度为2.1±0.5 nm,最后结合能带结构的信息,揭示Rashba系数的变化原因。2.利用MBE,在30 nm GeTe薄膜上沉积10 nm的Fe(111)薄膜。首先,本工作通过FMR的测量,发现它的阻尼具有六次旋转对称性。其次,我们通过在Fe和GeTe中插入铜层,隔绝Fe和GeTe的直接耦合,得到六次旋转对称性的阻尼因子。考虑到GeTe的薄膜厚度远大于自旋流在其中的扩散长度,得到的本征自旋混合电导呈现六次对称性,表明自旋流在GeTe中是各向异性注入的。最后,发现各向异性的自旋混合电导与GeTe中各向异性的能带劈裂相关,并且与铁磁层种类无关,具有普适性。3.利用MBE,生长不同Bi掺杂量的Ge1-xBixTe薄膜并利用ARPES原位测量。结果证明,随着Bi含量的增加,费米能级向价带顶方向移动,表面态在费米面处的占比越来越多,同时体态和表面态的Rashba劈裂大小几乎不变。接下来,在Ge1-xBixTe上沉积10 nm的Fe薄膜,利用FMR并结合第一性原理计算,发现Fe和GeTe表面态之间存在强烈的能带杂化,同时Fe的局域阻尼在x=0.03处达到极大值;除了局域的阻尼,自旋泵浦效应产生的非局域阻尼随着掺杂量的改变同样在x=0.03处达到最大值,此时的体态完全在费米面以下,且表面态的态密度最大。综合ARPES与FMR的结果,得到自旋泵浦部分的阻尼与费米面处的态密度相关。最后,利用磁输运测量,证明随着掺杂量的增加,GeTe薄膜的导电行为从体态导电逐渐过渡到表面态导电。博士期间工作给出新的阻尼因子调控手段,为自旋动力学过程增添新的物理理解。