课程文献中心 更多>>

关键词： X射线探测   无铅钙钛矿   暗电流   离子迁移   探测限  

摘要： X射线探测技术被广泛应用于医疗成像、安检成像、工业检测等领域。铋基无铅钙钛矿Cs2Ag Bi Br6因其环境友好特性,在X射线探测领域受到广泛关注。其多晶厚膜较单晶更适用于低成本、大面积的X射线探测场景。然而,Cs2Ag Bi Br6较小的离子迁移活化能,导致其较高的暗电流和严重的基线漂移特性。另外,多晶结构存在数目庞大的晶界,促使离子沿着晶界缺陷迁移,进一步增大了暗电流,加剧了信号噪声和基线漂移,严重影响了其探测性能。 为了抑制多晶铋基无铅钙钛矿的离子迁移,本论文通过在前驱体溶液中引入丁胺阳离子BA+（CH3CH2CH2CH2NH3+）,调控钙钛矿材料的维度,抑制层间离子迁移。在此基础上,研究聚乙烯吡咯烷酮（PVP）对钙钛矿晶体生长和晶粒尺寸的影响。通过改变前驱体溶液中PVP含量,制备出具有大尺寸晶粒的钙钛矿厚膜。基于该材料开发低成本、绿色环保、低暗电流密度及低探测限的X射线探测器。研究内容如下: （1）在钙钛矿前驱体溶液中加入BA+,构筑准二维结构,制备了不同n值（n代表被有机阳离子约束的无机卤化物八面体层数）的多晶厚膜,分析n值对离子迁移的抑制效果。结果表明,（BA）2Cs9Ag5Bi5Br31（即n=10）有较高的电阻率(约1.75×1010Ωcm),较低的暗电流密度(66 n A cm-2)和低的暗电流漂移值(0.016 p A cm-1 s-1 V-1);离子迁移活化能（Ea）达419 me V,较三维Cs2Ag Bi Br6钙钛矿提高约17%。在320 V mm-1电场下,基于（BA）2Cs9Ag5Bi5Br31多晶厚膜的X射线探测器展现出42.59μC Gyair-1 cm-2的灵敏度和139 n Gyair s-1的探测限水平。 （2）准二维（BA）2Cs9Ag5Bi5Br31钙钛矿晶粒尺寸较小,大量的晶界为卤素离子提供了迁移路径。提高多晶钙钛矿晶粒尺寸、降低晶界数量是抑制离子迁移的有效手段。在（1）的基础上,本工作引入PVP调控（BA）2Cs9Ag5Bi5Br31多晶钙钛矿厚膜的晶体生长过程,提高晶粒尺寸,协同抑制离子迁移现象,实现准二维钙钛矿暗电流进一步降低和探测性能的提升。研究发现,引入适量PVP能延缓晶粒成核速度,增大晶粒尺寸。改性后的钙钛矿平均电阻率达3.45×1010Ωcm,暗电流密度达44.53 n A cm-2,均优于改性前的器件特性。Ea提高至645 me V,较改性前提高54%。基于PVP改性后的（BA）2Cs9Ag5Bi5Br31 X射线探测器实现了108 n Gyair s-1的探测限,工作稳定性强,在低噪声、低剂量的X射线探测领域有可观的应用前景。

关键词： 纳米塑料   针铁矿   迁移   小分子有机酸   水溶性聚合物  

摘要： 塑料制品在土壤环境中广泛存在,并在外力作用下不断破碎,形成微塑料（MPs）甚至粒径更小纳米塑料（NPs）。相较于MPs,NPs具有更小的粒径,更大的比表面积和更丰富的表面官能团,更易在土壤环境中迁移扩散的同时,也会造成更强的生物毒性和生态风险。土壤环境组分是影响NPs在介质中迁移的重要因素。其中,铁氧化物和溶解性有机质（Dissolved organic matter,DOM）作为土壤中活性较强的组成成分,在影响NPs在土壤介质中的迁移和归趋上起到重要的作用。小分子有机酸（Low-molecular weight organic acids,LMWOAs）是土壤环境中一类重要的活性有机物,水溶性聚合物（Water-soluble polymers,WSPs）作为土壤改良和农药助剂则属于典型的外源性DOM,这两种易被忽视的DOM均在土壤环境中广泛存在,并且WSPs可以通过生物或光照等环境作用向LMWOAs转化,影响NPs在土壤环境中稳定性和迁移能力。目前,关于金属氧化物界面和DOM对NPs在土壤环境中迁移的影响机制仍不清晰,需要进一步探索。 本研究以官能团改性聚苯乙烯纳米塑料（PSNPs-COOH和PSNPs-NH2）作为模型NPs,以针铁矿改性石英砂（FOS）装填饱和砂柱用于模拟土壤金属氧化物界面环境,通过室内柱迁移模拟试验结合一维对流弥散方程（Convection dispersion equation,CDE）、胶体过滤理论（Colloidal filtration theory,CFT）、Derjaguin-Landau-Verwey-Overbeek（DLVO）/XDLVO理论等手段,揭示土壤中不同来源的DOM（LMWOAs和WSPs）对PSNPs在饱和多孔介质中迁移行为的影响及作用机理。研究结果将有助于进一步阐明NPs在地下环境介质中的迁移行为和归趋,为评估NPs在地下环境中的生态风险提供一定的科学支撑。主要研究结果如下: （1）不同理化条件下PSNPs在石英砂和FOS饱和多孔介质中的迁移能力存在差异。随着pH降低、离子强度增加和多价阳离子的降低,PSNPs在介质中的迁移能力逐渐降低。而在阴离子条件下,PSNPs在介质中的迁移能力遵循Hofmeister序列（离子特异性）。PSNPs在FOS中的保留普遍高于在石英砂中的保留。PSNPs在FOS中的迁移主要受到介质表面针铁矿的静电引力及粗糙度双重作用的影响。PSNPs-COOH在FOS饱和多孔介质中的迁移能力低于PSNPs-NH2,两种PSNPs除了均能通过静电引力附着在介质表面以外,PSNPs-COOH还可以通过羧基与金属离子配位的方式吸附在FOS的表面。 （2）LMWOAs的分子结构特征和相对分子质量是影响PSNPs在饱和多孔介质中迁移行为差异的主要影响因素。促进或抑制PSNPs在介质中迁移能力普遍遵循:柠檬酸>酒石酸>苹果酸。在pH和Na+条件下,LMWOAs通过络合作用吸附在FOS表面,通过静电排斥、空间位阻和竞争吸附表面位点等作用促进PSNPs在介质中的迁移。在低离子强度和中性条件下,PSNPs在介质中的迁移能力达到96.00%,并且由于空间排斥作用使得FOS的表面异质性作用失效。随着离子强度的增加,LMWOAs的结构特征、相对分子质量和分子尺寸对PSNPs迁移能力影响的差异性逐渐明显。多价阳离子可以将PSNPs和LMWOAs桥接在FOS表面形成多层吸附混合物,通过阻塞效应增加PSNPs在介质中的保留。多价阳离子条件下,PSNPs在介质中的回收率最低可达到5.92%。 （3）聚丙烯酸（PAA）和聚丙烯酰胺（PAM）均可以通过静电作用和竞争吸附的方式占据介质表面的沉积位点,从而促进PSNPs在FOS中迁移,也可以通过静电引力和疏水作用等增加PSNPs在石英砂介质中的保留。在NaCl溶液中,PAM促进PSNPs在FOS介质中的迁移的能力强于PAA。原因在于,PAM的酰胺基团可以同时通过氢键或络合作用吸附在FOS介质和PSNPs表面,通过竞争吸附提高PSNPs在介质中的迁移能力。在多价阳离子条件下,仅有PAA可以和PSNPs通过桥接作用形成微米级异质聚集体,通过物理应变阻止其在多孔介质中迁移。在阴离子条件下,PAA促进PSNPs在介质中迁移的规律遵循PO43->SO42->NO3-,PAM则遵循Hofmeister序列。由于酰胺基团的存在,PAM与PAA对PSNPs在饱和多孔介质中迁移的影响存在差异。此外,两种WSPs均可以与PSNPs-NH2形成异质聚集体,增加其弹性斥能,因此PSNPs-NH2的迁移能力普遍高于PSNPs-COOH。 （4）PSNPs在FOS饱和多孔介质中的迁移能力随WSPs光降解时间的增加出现先降低后增加再降低的变化规律。介质和PSN

关键词： 前进中的中国青年美展   中国油画   语言形态  

摘要： 本文通过历史文献、图像例证和图像解读试图探讨在艺术回归本体的论调中“前进美展”的油画创作，并归纳艺术家在油画语言领域所做的探索。20世纪80年代前期对艺术创作的反思促进创作观念的转变，对语言的边界探索则意味着思想气候的变化，反之，也正因为思想解放，使多样化艺术形态成为可能。作为一个前卫的官方美展，对它的研究不仅具有深刻的文化意义，也为这场视觉革命及以后的艺术和课题研究做出了有益的理论铺垫。

关键词： QCD求和规则   背景场理论   跃迁形状因子   分布振幅   衰变分支比  

摘要： 由于重味介子的衰变对标准模型的味结构非常敏感,并具有大质量,可以衰变到相当多不同的过程,保证了非常丰富的唯象学,从而使重味介子的预言具有可接受的精确度。许多大型对撞机都对重味介子的衰变进行了系统性的研究,来寻找标准模型以外的新物理,特别是LHCb、Belle-Ⅱ以及BESⅢ等实验组。尤其是近年来在我国主导的北京正负电子对撞机上,BESⅢ实验组对D和Ds介子的特性和衰变过程都进行了系统地测量,来寻找实验测量值与标准模型理论预言之间的差异。并且随着大型强子对撞机的升级和建设,我们有望在更高更大的能量范围内探测到新的粒子现象,也有可能观测到标准模型中还未发现的新效应。因此本文主要选取Ds+→K+v（?）和D→ρlv两个衰变道进行研究,在这两个过程中利用了光锥求和规则计算了Ds衰变到K、ρ介子的跃迁形状因子,根据相应的跃迁形状因子计算了对应过程的衰变宽度、衰变分支比。首先,我们基于背景场理论框架下的SVZ求和规则对分布振幅的矩进行了详细的计算,其中非微扰凝聚项考虑到了6维。在计算ρ介子领头twist纵向分布振幅的ξ矩的过程中,通过将第0阶ξ矩在合适的Borel窗口内归一确定连续态阈值s0=2.1 GeV,并要求连续态贡献不超过30%,六维凝聚项的贡献不能超过5%,由此给出了新的ξ矩求和规则公式,并计算到10阶,得到了在μ=1 GeV的前五个非零ξ矩,即（ξ2）2;ρ‖=0.220（6）、（ξ4）2;ρ‖=0.103（4）、（ξ6）2;ρ‖=0.066（5）、（ξ8）2;ρ‖=0.046（4）和（ξ10）2;ρ‖=0.035（3）。采用常雷老师和他的合作者提出的DSE模型来描述ρ介子领头twist纵向分布振幅。根据约束条件以及利用最小二乘法来进行拟合分布振幅矩得到相应的模型参数。将参数带入模型之后得到分布振幅φ2;ρ‖（x,μ）的行为。 其次,我们采用QCD光锥求和规则方法计算了半轻衰变过程Ds+→K+v（?）和D→ρlv的跃迁形状因子,将跃迁形状因子作为输入参数计算对应的衰变宽度和衰变分支比。其中,关于稀有衰变过程Ds+→K+v（?）的分支比,我们通过NSI模型分解到另一个半轻衰变过程Ds+→K0e+ve中进行计算的。半轻衰变Ds+→K0e+ve跃迁形状因子的端点值为f+Ds+→k0（0）=0.713-0.023+0.031,在基于z（t）展开的快速收敛级数解析延拓后,我们给出了半轻衰变Ds+→K0e+ve衰变宽度和衰变分支比,即BR（Ds+→K0e+ve）=3.54-0.25+0.40×10-3GeV,得到了两代夸克约束下Ds+→K+v（?）的衰变分支比为BR(Ds+→K+v（?）)=2.50-0.18+0.28×10-8和BR(Ds+→K+v（?）)=2.42-0.18+0.27×10-8。另外给出了左手流光锥求和规则下半轻衰变D→ρlv过程最大反冲区域的跃迁形状因子,即A1（0）=0.498-0.012+0.014、A2（0）=0.460-0.047+0.055和V（0）=0.800-0.014+0.015,和比值r2=0.923-0.119+0.133、r-V=1.607-0.071+0.071。在通过z（t）展开的快速收敛级数解析延拓后,我们给出了半轻衰变D→ρlv不依赖于|Vcd|的衰变宽度。最后,衰变分支比为Β（D0→ ρ-e+ve）=1.825-0.162+0.170±0.004×10-3、B（D+→ρ0e+ve）=2.299-0.204+0.214±0.011×10-3、B（D0→ρ-μ+vμ）=1.816-0.160+0.168±0.004×10-3、B（D+→ρ0μ+vμ）=2.288-0.201+0.212±0.011×10-3。 最后将我们的计算结果与其他文献进行了比较,并进行了讨论,为未来相关的实验测量和理论预测提供了一定的参考价值。

关键词： 非法吸收公众存款罪   限缩适用   民间借贷  

摘要： 由于非法集资的手段伴随着经济发展逐渐多样化、多元化,且案件数量飙升、涉案数额巨大,出于打击非法集资、保障公众资金安全的现实需要,司法机关将罪状本身宽泛模糊的非法吸收公众存款罪不断扩张。2010年最高人民法院发布《关于审理非法集资刑事案件具体应用法律若干问题的解释》规定了认定非法吸收公众存款罪的四个特征“非法性”、“公开性”、“营利性”、“社会性”,正式确立了非法吸收公众存款罪兜底性罪名的地位。但由于非法吸收公众存款罪的定罪边界与民间融资交融不清,处于发展中的民营企业在融资过程中极易陷入刑事风险中,相关案件层出不穷,非法吸收公众存款罪的案件量一路飙升。2022年公布的《最高人民法院关于修改<最高人民法院关于审理非法集资刑事案件具体应用法律若干问题的解释>的决定》对非法吸收公众存款罪的内容做了一些限缩,如将“批准”改为“许可”、提高个人犯罪数额标准等,但这并没有从根本解决非法吸收公众存款罪与民营经济发展间的核心问题。 对于非法吸收公众存款罪的限缩适用,本文主要从三个方面入手,第一部分主要是通过对不同的案例进行分析,提出争议焦点、引出相关的问题,第二部分主要结合实际案例从学理上对“非法性”的认定标准、“社会公众”的认定标准、集资款项用途对于定罪的作用以及民间借贷与非法吸收公众存款行为的界限进行分析,第三部分是案例研究结论及启示。

关键词： 伊利运河   休闲体育史   冰雪运动   运河开发  

摘要： 伊利运河的开通曾极大地推动了美国经济、社会的发展，然而随着河运的衰落，伊利运河的发展方式不得不进行转型。休闲冰雪运动在伊利运河具有悠久的历史和丰富的发展成果，在伊利运河转型过程中发挥了重要的作用，对当地旅游业的发展、历史文化的激活、社区的繁荣和人民生活幸福指数的提升都做出了应有的贡献。这也为我国的运河及大河流域转型开发，特别是以休闲体育为核心的转型提供了优质范例。

摘要： Progress in Laser powder bed fusion manufacturing has led to greater use of Additive Manufacturing in combustion chambers/nozzles. This allows for the creation of more intricate and efficient solutions, but generates the need for a better understanding of how surface roughness in micro-channels used for engine cooling relates to build angle and performance. The research presented in the framework of this thesis assesses the friction factors and internal surface roughness of 18 additively manufactured channels, through the means of flow testing and microscope inspection. Positive correlations between build angle and friction factors were found, and further investigation revealed relative roughness levels outside the applicability range of Moody charts. Comparison of open and closed contour channels confirmed roughness similarity, providing valuable input for the manufacturing of witness channels in cost/time sensitive applications. Finally, the relation between surface roughness parameters and sand-grain roughness were investigated, revealing their dependency on flow properties.

关键词： 超材料   手性超结构   圆二色性   过渡金属二硫族化合物   WSe2   激子   局域态激子  

摘要： 发现、制造和集成各种新材料是信息智能时代重要的前沿研究工作之一。在各种新材料之中,超材料具有独特且可调的电磁特性,过渡金属二硫族化合物(TMDs)半导体材料具有出色的电学和光学性能,两者已经成为材料科学和技术应用的研究重点。若将两者结合,利用超材料(特别是三维和手性超结构)可自由设计的电磁特性,实现对TMDs材料或器件光电性能的提升与调控,有望充分发挥两种材料各自的特点以及可能的协同效应,进而更好地拓展材料的功能。这是十分有趣且具备科学和应用价值的研究方向。在此背景下,本论文围绕三维超结构的设计与制备、三维手性超结构的性能调控、手性超结构调控单层WSe2的荧光光谱特性等三个方面,开展了较为系统的研究工作。论文的主要内容简介如下。 在第一章中,我们首先简要介绍了超材料的定义与分类,手性超结构的基本特征以及TMDs的光学性质;接着概述了三维电磁超结构的制备方法和等离激元手性超结构的应用;随后阐述了超结构调控TMDs光学性质的研究现状;最后说明了本文的研究目标与主要内容。 在第二章中,我们提出了一种基于软掩模光刻技术,制备具有高分辨率和高可靠性的三维超结构的新方法。该方法兼容传统光刻技术,具有高分辨率、设计灵活性和广泛适用性。通过精准控制光刻胶掩模与基底图案的位置及工艺参数,成功实现了复杂三维结构的可控构建。我们还提出一种利用牺牲层辅助的原位曝光技术,实现了三维超结构的小型化与高质量制备。我们研究了竖直开口谐振环阵列的红外反射光谱,分析了超结构的高度、宽度、周期和尺寸等结构参数对其红外反射共振峰的调控,发现在竖直开口谐振环阵列中引入间隙可以显著改变超结构的红外光学响应。该研究为三维超结构的可控制备与性能调控提供了新的方案。 在第三章中,我们提出了一种通过电偶极子与磁偶极子交叉耦合,诱导本征光学手性响应的三维手性超结构的制备方法。该方法将二维手性超表面精确投影到不同高度的三维硅基底图形上,通过刻蚀前光刻胶掩模的图形和刻蚀参数,调控超结构的几何构型参数,进而有效调节超结构中电偶极子与磁偶极子间的耦合,形成具有本征手性的三维手性超结构。我们研究了具有四重旋转对称的三维金属手性超结构,通过实验与模拟结合,分析了该结构产生圆二色性(CD)响应的机理,系统探究了超结构的形态对于CD响应的波长及强度的影响。该方法为研发高本征手性及可调光学手性响应的超结构提供了新的路径。 在第四章中,我们研究了手性超结构衬底对单层WSe2中的局域态激子发光的PL谱型、强度以及圆偏振性的调控。首先,我们制备了平面硅、凸起硅衬底及二维、三维手性超结构与单层WSe2的复合样品,并通过室温PL表征确认了其均匀性。然后,系统研究了不同超结构衬底对单层WSe2的PL光谱的调控效果,定性分析了不同PL谱型和强度产生的原因。利用二阶相关函数表征,证实了尖锐的WSe2局域态激子发光的单光子特性。圆偏振性测量表明,三维手性超结构上的WSe2局域态激子发光,在零磁场下也具有圆偏振度,最高可达42%。此外,我们还通过外加磁场实验,实现了局域态激子圆偏振度更大范围的调控,并揭示了光激发手性超结构能够产生感应磁场,进而实现无外磁场作用下WSe2局域态激子的圆偏振发光的机理。此研究为实现圆偏振单光子器件提供了新的思路。 在第五章中,我们分析了三维超结构的设计和制备以及利用手性超结构调控TMDs光学性质研究中依然存在的问题与挑战,并对未来可开展的工作进行展望。