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关键词： 永磁同步直线电机   矢量控制   软件设计   试验验证  

摘要： 由于旋转电机加滚珠丝杠的传统机械结构加入了中间传动环节,无法进一步提升使用性能,研究了永磁同步直线电动机矢量控制算法.针对永磁同步直线电动机开展矢量控制算法分析以及验证工作,在矢量控制系统框架下进行了硬件搭建与软件设计,搭建了永磁同步直线电机矢量控制验证平台,测试核心算法,经过试验,设计的软/硬件能够对永磁同步直线电机进行有效控制,有较好的鲁棒性.

关键词： 城轨车辆   速度传感器   MODBUS   变频器  

摘要： 使用三相异步电机模拟车辆不同行进速度,以检测城轨车辆速度传感器检测装置的性能。为克服在现场直接操控变频器造成的不便和危险,使用基于MODBUS协议的西门子V20变频器与工控机通信,实现远程操控。经验证,变频器通信顺畅且稳定可靠,能够满足现场测试要求。

关键词： PLC技术   变频器   节能控制系统   设计  

摘要： 变频器控制系统目前被广泛应用于各类电气设备,用于对电气设备的实时自动化控制。文章以PLC为基础,分别从硬件、软件、抗干扰3个方面,系统性阐述变频器节能控制系统的设计方法,重点阐明设计要点与注意事项。旨在最大限度发挥PLC技术的价值,搭建一套功能完善、运行稳定的变频器节能控制系统,提高系统的节能效果,为变频器提供良好运行条件。

关键词： 基波周期结温波动   简化结温曲线   IGBT   等效正弦半波损耗   等效热路法  

摘要： 文章基于离散积分原理实现对基波周期内的结温量化表达,开发了一种简化结温曲线方法,将包含详细结温信息的结温波动曲线转换为仅含关键结温信息的简化结温波动曲线,计算精度高,同时能够快速确定最大/最小结温及其出现时刻,极大地降低了计算负担。通过不同基波频率的结温仿真分析,文章所提方法能很好反映结温波动变化,计算精度高。相较于其他结温计算方法,文章所提方法的计算速度优势明显,适应于长时间尺度计算。最后,通过功率考核试验实测结温波动,验证了该方法的准确性。

关键词： 模块化机器人   自适应动态规划   位置-力控制   最优控制  

摘要： 针对模块化机器人系统与外界未知环境交互的控制任务,提出一种基于自适应动态规划的位置-力控制。首先,考虑模块化机器人系统受未知环境约束,对未知环境约束空间进行分析,并设计自适应估计算法近似未知约束参数向量,从而得到未知外部约束力转化为模块化机器人所受的近似约束力矩,设计融合位置和末端接触力跟踪误差的多指标性能指标函数,结合自适应动态规划思想和策略迭代算法,求解哈密尔顿方程,从而实现面向未知空间的模块化机器人最优位置-力控制。

关键词： 海上平台   凝析油外输泵   改造方案   变频器   选型  

摘要： 凝析油外输泵作为天然气处理平台中的关键设备,对气田群正常生产起着至关重要的作用。为了优选凝气田降压后凝析油外输泵改造方案,以具有代表性的南海某中心平台作为研究对象,在原改造方案的基础上进一步提出了三种改造选型和配置方案,并针对不同方案的凝析油外输泵各模式运行工况,评估了凝析油外输泵在工艺、仪表、电气等方面的改造措施,同时利用价值工程原理最终确定了老泵废弃单泵直接增压、回流控制、60 Hz变频泵为最佳改造方案,为天然气降压开采中凝析油外输泵的改造应用提供了解决方案。运行结果表明,所选用的改造方案较原设计方案减少60%能耗,每年将减少燃气消耗221.2×10^(4) m^(3),节能减排2570 tce。

关键词： PLC   变频器   恒压供水   设计  

摘要： 传统的供水方式多采用压力罐、楼顶水池等简易设施向居民供水,这些方式存在压力不稳定、能耗高、水池二次污染等缺点。在提倡绿色节能的新时代背景下,利用电气自动化新技术,推广新型供水系统成为必然趋势。文章使用PLC、变频器、远传压力表等元件,设计了一种灵活可靠、节能高效的多泵变频恒压供水系统。

关键词： IGCT   干熄焦   中压变频器   升级改造  

摘要： 介绍了IGCT(集成门极换流晶闸管)的特点及工作原理,结合炼焦干熄焦循环风机中压变频器,对比IGCT和IGBT技术,对IGCT在中压变频技术中的应用进行了详细说明,对掌握更多的IGCT维护知识有着积极的作用。

关键词： 异步电机   矢量控制   辅助教学  

摘要： 本文通过分析异步电机矢量控制原理的基础上,建立了异步电机矢量控制模型,并在MATLAB中搭建了异步电机矢量控制系统的仿真模型,并与转差频率控制模型进行对比,通过波形对比分析,验证了在平台中搭建的矢量控制模型的正确性,同时可以作为课堂辅助教学,增加学生对矢量控制思想的理解,培养学生对知识独立思考和理论联系实际问题的能力。

关键词： gallium nitride insulated gate bipolar transistor(GaN IGBT)   hole injection   trench gate   turn-off loss  

摘要： In this paper,a novel trench gate gallium nitride(GaN)insulated gate bipolar transistor(GaN IGBT),in which the collector is divided into multiple regions to control the hole injection efficiency,is designed and theoretically *** incorporation of a P+/P-multi-region alternating structure in the collector region mitigates hole injection within the collector *** the device is in forward conduction,the conductivity modulation effect results in a reduced storage of carriers in the drift *** a result,the number of carriers requiring extraction during device turn-off is minimized,leading to a faster turn-off *** results illustrate that the GaN IGBT with controlled hole injection efficiency(CEH GaN IGBT)exhibits markedly enhanced performance compared to conventional GaN IGBT,showing a remarkable 42.2%reduction in turn-off time and a notable 28.5%decrease in turn-off loss.