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关键词： 塔式起重机   变频器   涡流控制   应用设计  

摘要： 变频器是一种电子器件,用于调整电动机的电源频率,从而实现电机转速的调节。在塔式起重机上科学采用变频器技术,可以显著提升设备性能和操作灵活性。本文以集成了涡流控制的麦格米特MV600L变频器为研究对象,探究该变频器在塔式起重机上的应用。首先,详细介绍塔机的基本信息,然后围绕塔机三大机构中的驱动系统展开分析,详细阐述应用变频器后,相较传统驱动方式的优势。希望本文研究可以为塔式起重机设计优化提供参考,从而有效避免因负载波动或外界干扰而导致的设备振动和不稳定情况发生,进一步提升塔式起重机的安全性和可靠性。

关键词： 提升机   变频器   上位机管理界面   调速系统   软件设计  

摘要： 针对提升机控制设备陈旧、自动化水平低、无故障预警以及实时监控功能等问题进行了改造与设计。首先对系统的组成与技术要求进行简要分析,结合某煤矿提升机实际情况提出控制系统的总体设计方案;对调速系统变频器进行选型与参数分析,并搭建控制电路,经测试达预期效果;采用PLC与Win CC组态软件完成系统监控系统与软件的设计,实现实时监控,提升了自动化水平。最后,对变频调速控制系统的应用效果进行了综合验证。

关键词： 氧量控制   污染物排放   效果评估  

摘要： 随着我国污染物排放标准的更新与优化,当前火电厂的发展面临着极大挑战。在火电厂电能生产过程中,会产生大量烟气,如果没有对这些烟气进行有效处理,会引发严重的大气污染,影响我国生态文明建设效果,也不利于火电厂的长远可持续发展。因此,需要采取一定措施对烟气污染物排放进行控制。将氧量最优控制系统应用在火电厂污染物排放控制中,有突出效果。文章主要探讨氧量最优控制的重要性,并对氧量最优控制系统的设计原理和结构组成进行探索,明确在火电厂中,氧量最优控制系统设计的效果,为火电厂污染物排放控制管理提供新的方向。

关键词： 无人驾驶汽车   自主转向   智能控制系统   觉感知   模型预测控制  

摘要： 随着科技不断进步和人工智能的发展,无人驾驶汽车正逐渐变为现实。它能够自主感知周围环境、做出决策并控制车辆行驶。本文介绍了一个用于控制无人车辆自主转向的智能控制系统,采用非线性模型预测控制(MPC)方法,旨在辅助新手驾驶员安全出行。本文通过研究基于动力学模型的轨迹跟踪控制系统,并应用模型预测控制算法,提高了无人驾驶车辆在复杂工况和多速度情况下的轨迹跟踪准确性和稳定性,具有重要的应用价值。

关键词： 交流变频器   故障   原因   维修保养  

摘要： 在现代工业快速发展的背景下,交流变频器作为电机调速的重要装置,在工业自动化系统中起着至关重要的作用。但是随着交流变频器的广泛应用,其在运行过程中出现故障的可能性也逐渐增加。因此,对于交流变频器的故障分析、维修及保养,成为工程技术人员面临的重要课题。文章旨在深入探讨交流变频器的故障原因、维修方法及保养策略,对常见的交流变频器故障进行系统分析,探讨在故障发生时应采取的维修措施,并提出有效的保养措施,以确保交流变频器在长期运行中保持稳定可靠的性能。

关键词： 光纤光缆   国家知识产权局   散热基板   申请日期   金刚石   制备方法  

摘要： 据国家知识产权局公告,长飞光纤光缆股份有限公司申请一项名为“一种金刚石铝/铝针式IGBT散热基板的制备方法”,公开号CN117174671A,申请日期为2023年8月。

关键词： 自动泊车   最优控制   轨迹规划   仿真实验  

摘要： 随着汽车保有量的不断增加,导致停车场数量逐渐减少。对于新手驾驶员而言,难以熟练地完成泊车活动。基于此现象,自动泊车技术得到了迅速发展。论文主要对自动泊车的轨迹规划算法进行了研究,通过联立最优控制问题中的车辆运动学约束、起始点约束、车辆速度及加速度约束以及代价函数,完成轨迹规划命题的建模。在命题求解时,选用全联立正交配置有限元法将其离散化为NLP问题,并对代价函数参数进行优化。通过Matlab和AMPL联合仿真求解得出符合约束条件的变量,并使得代价函数最小。实验结果表明,代价函数的优化方法使得车辆在泊车时具有更小的车辆运动前轮转角角速度变化,具备更优的行驶平顺性。

关键词： IGBT   动态雪崩   失效机理   温度   电场  

摘要： IGBT在关断过程中所发生的动态雪崩现象是导致其失效的重要原因之一。为研究IGBT动态雪崩失效机理,利用Silvaco软件对其进行仿真分析。通过对动态雪崩击穿机制、电流密度分布和温度分布的仿真分析,得出动态雪崩可以产生移动的电流丝和移动十分缓慢或固定不动的“死丝”。引起器件失效的是动态雪崩形成的死丝,死丝会导致IGBT内局部温度的急剧增加,最终因局部温度过高烧毁器件导致IGBT的失效。在此基础上分析了死丝产生的原因并进一步提出防止IGBT动态雪崩失效的具体措施。

关键词： SiC IGBT   HV-H3TRB   Threshold-voltage instability   Mobile ions drift   Degradation mechanism  

摘要： The high voltage-high humidity-high temperature reverse bias (HV-H3TRB) test was utilized to evaluate the reliability of silicon carbide insulated gate bipolar transistors (SiC IGBTs). Moisture invasion often induces termination/passivation and metal corrosion. Therefore, the HV-H3TRB test is generally used to assess termination / passivation robustness. However, under the HV-H3TRB test conditions, gate quality degradation may occur. In this study, the dominant degradation mechanism of SiC IGBTs was investigated. The changes of the most sensitive static characteristics (e.g., threshold voltage, breakdown voltage, and leakage current) were recorded. The threshold voltage decreased and leakage current increased substantially after > 1000 h of HV-H3TRB tests under 85 celcius/85% RH climate conditions. Capacitance-voltage (C-V) curve measurements indicated that the mobile ions at the SiC/SiO2 interface or in the gate oxide likely caused the threshold-voltage instability in the SiC IGBTs after the HV-H3TRB tests. This instability can be recovered by applying a negative gate bias. Subsequent failure analysis confirmed no corrosion of metals or termination/passivation in the device, which indicates the robustness of the passivation (consisting of phosphor-silicate glass and Si3N4). Therefore, the gate quality appears to be a significant reliability risk for SiC IGBTs under high humidity, high temperature, and high voltage conditions.

关键词： distribution systems   tap-changing transformer   step voltage regulator   zero-voltage switching   IGBT  

摘要： The introduction of distributed generation (DG) into distribution systems is expanding due to carbon neutral policies. DG with intermittent output characteristics brings frequent voltage variations in distribution systems. Generally, a step voltage regulator (SVR) is installed in the long distribution line and controls its voltage, which has limits of stable voltage regulations due to the slow tap-changing rate, switching losses, and short life span. To solve those problems, this paper proposes an IGBT-based SVR using zero-voltage switching. It is verified that the stable operation can be obtained through simulation by PSCAD/EMTDC 4.6 software and empirical experiments.