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关键词： 风力发电   直接转矩控制   最大功率跟踪   自抗扰   风力机   永磁同步风力发电机  

摘要： 针对直接转矩控制的永磁直驱风力发电系统中系统未能较好地跟踪最大功率点的问题,提出将自抗扰控制策略加入风力发电系统机侧控制结构中以提高系统性能。基于风力机和永磁同步风力发电机数学模型,结合自抗扰控制的基本模型构建发电机自抗扰速度环,最后以Matlab/Simulink软件对所提控制策略进行仿真分析,对比传统PI控制直接转矩风电系统,自抗扰控制策略的引入可提升系统整体的抗干扰能力和跟踪性能。

关键词： 柴油加氢   节能   无级气量调节   变频器   热进料  

摘要： 河南丰利石化有限公司建有60万t·a^(-1)中芳烃加氢改质装置,设计操作压力为13.4MPa,设计能耗为每吨原料油20.29 kg标油,高于中石化同类装置的能耗定额(每吨原料油12 kg标油),其中电耗占该装置总能耗的60%。该装置通过投用热进料、新氢压缩机增加无级调节系统、循环氢压缩机增加无级调节系统、高压胺液泵加装变频器等节能措施,达到该装置节能降耗的目的,产生了良好的经济效益。

关键词： PLC自动控制技术   变频器   应用  

摘要： 在工业自动化进程中,可编程逻辑控制器(PLC)因其可靠性、灵活性及易于编程的特点,已广泛应用于各种控制系统中。变频器作为电机驱动的核心设备,其性能直接影响着生产线的效率和稳定性。近年来,随着电力电子和微电子技术的飞速发展,变频器的功能和控制精度得到了显著提升。将PLC自动控制技术应用于变频器,不仅可以实现对电机的精确控制,还能优化整个生产流程,提高企业的经济效益。本文重点探讨了PLC自动控制技术在变频器中的应用,旨在实现更高效、精确的电机控制。通过实际应用,本文证明了PLC与变频器的结合能够显著提高生产效率和设备性能。

关键词： 恒功率特性   主轴传动控制   变频器   调速原理  

摘要： 阐述数控车床主轴传动的转矩特性、数控车床主轴变频调速原理,探讨数控车床主轴变频调速传动控制设计方案,包括变频器选型设计、主轴传动控制设计、连接设计,从而提高数控机床控制效率。

关键词： 绝缘栅双极型晶体管器件绝缘   封装结构   芯片终端   电场计算模型   边值问题  

摘要： 随着高压直流输电技术的发展,高压大功率绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)器件被广泛应用于各类高压大容量电力换流和控制装备中。然而,在高压大功率IGBT器件的研制过程以及工程应用中,器件内部局部放电现象乃至击穿现象频繁发生,给器件绝缘设计带来巨大挑战。要想实现良好器件绝缘设计,就需要获得器件内部的电场分布,因此实现器件内部电场的准确计算至关重要。文中全面回顾器件内部绝缘结构的建模和计算方法的发展历程,从封装绝缘电场计算、芯片绝缘电场计算以及芯片和封装绝缘耦合电场计算3个方面介绍相关研究的发展历程、适用范围以及相应的不足,最后展望未来器件内绝缘结构电场计算的发展方向。

关键词： 多电平   高压变频器   带式输送机  

摘要： 针对在含甲烷、煤尘等爆炸性气体环境的煤矿井下的高压电气设备如何安全供电的问题,基于多电平技术理论、防爆理论,设计了一款防爆高压变频器,最终将其成功应用于带式输送机。此外,还给出了带式输送机用高压变频调速技术的解决方案。

关键词： 变频器   立井提升机   PI控制器   零速悬停控制策略   稳定性  

摘要： 为解决传统立井提升机所采用的PI控制策略在频繁启停、加速、减速过程中对电网造成较大冲击,稳定性较差的问题,在对立井提升机工况分析的基础上,为其匹配设计立井提升机的驱动电机,为后续变频器选型奠定基础;针对性地提出了零速悬停控制策略,并与传统控制策略的零速悬停控制策略的控制效果进行对比;对变频器在立井提升机的应用效果进行现场验证。

关键词： 谐振变换器   模型预测控制   变频控制   移相控制  

摘要： 针对CLLLC谐振变换器提出了一种基于分级寻优模型预测的混合控制策略。通过结合变频控制与移相控制的优点,在实现软开关的同时,能拓宽变换器的电压增益范围。该策略不仅减小了普通有限集模型预测控制(MPC)策略的计算量,还改善了PI控制存在的电压超调大和动态响应慢的问题,在稳态性能相近的情况下提升了变换器系统的动态性能。最后通过Matlab/Simulink仿真和实验证明了分级寻优MPC策略的有效性。

关键词： 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)   终端   VLD   击穿电压   功率器件  

摘要： 绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)器件的最重要参数之一是击穿电压(Breakdown Voltage,BV),影响IGBT器件BV的因素包括:平面工艺PN结扩散终端、界面电荷、杂质在Si、SiO2中具有不同分凝系数等。其中影响IGBT器件耐压能力的重要因素是芯片终端结构的设计,终端区耗尽层边界的曲率半径制约了BV的提升,为了能够减少曲率效应和增大BV,可以采取边缘终端技术。通过Sentaurus TCAD计算机仿真软件,采取横向变掺杂(Variable Lateral Doping,VLD)技术,设计了一款650 V IGBT功率器件终端,在VLD区域利用掩膜技术刻蚀掉一定的硅,形成浅凹陷结构。仿真结果表明,这一结构实现了897 V的耐压,终端长度为256μm,与同等耐压水平的场限环终端结构相比,终端长度减小了19.42%,且最大表面电场强度为1.73×10^(5)V/cm,小于硅的临界击穿电场强度(2.5×10^(5)V/cm);能在极大降低芯片面积的同时提高BV,并且提升了器件主结的耐压能力。此外,工艺步骤无增加,与传统器件制造工艺相兼容。

关键词： 前沿科技   逆变电路   半导体功率器件   能量转换   电力电子技术   电机拖动   电动汽车   核心角色  

摘要： 在当代电力电子技术领域,逆变电路扮演了一个不可或缺的核心角色,尤其是在新能源、智能电网、电动汽车等前沿科技领域中的应用,更是显示出其不可替代的价值。其中最具代表性的是三相电压型桥式逆变电路,凭借其卓越的表现和高效能的能量转换性能,在众多应用场景中得到了广泛的应用。PSIM是专门针对电力电子及电机拖动开发的专用仿真软件,它将半导体功率器件等效为理想开关,能够进行快速的仿真,对于初学者来说更容易掌握。本文深入讲解了三相电压型桥式逆变电路的结构和原理,并使用PSIM进行建模与仿真。