关键词:
RC-IGBT
电压回跳
高介电常数
背栅
导通压降
阻断特性
摘要:
针对传统RC-IGBT导通压降大、击穿电压低等问题,提出一种具有高介电常数(高K)背栅的RC-IGBT器件结构,其特点是位于底部集电极的背栅介质采用高介电常数材料。高K介质增大了正向导通时背栅周围的空穴浓度,不仅消除了电压回跳,还降低了导通压降。仿真结果表明:在高正向导通电流密度下(I_(CE)=925 A/cm^(2)),高K背栅RC-IGBT的导通压降为1.71 V,相比传统RC-IGBT降低了19.34%,相比氧化层背栅RC-IGBT降低了13.20%;另一方面,在阻断状态下,高K介质增强了背栅周围的电子积累,增大了击穿电压。高K背栅RC-IGBT的击穿电压为1 312 V,相较于氧化层背栅RC-IGBT提高了44.18%。此外,高K背栅RC-IGBT的反向导通压降相比传统RC-IGBT降低了43.43%,相比氧化层背栅RC-IGBT降低了13.85%。将所提出的高K背栅的RC-IGBT应用于高压、大功率的电子电力系统,可提高系统的可靠性并降低损耗。