关键词:
SiC
MOSFET
Si
IGBT
混合开关
开关损耗
信号调制
摘要:
SiC MOSFET和Si IGBT并联构成的混合开关(SiC/Si HyS)结构是一种优化效率和成本的综合解决方案。依靠SiC MOSFET的低导通时间构建Si IGBT的零电压开通和关断,并继承Si IGBT在高负载电流下的低导通损耗特性,从而提升系统整体效率。为了更简单高效地生成SiC/Si HyS的SiC MOSFET和Si IGBT驱动信号,该文提出一种针对最小SiC导通模式的信号调制电路,通过配置对应的RC缓冲电路中的电阻、电容值即可调节控制模式中的四个时间尺度,该方法具有灵活简单等优点。首先,理论分析最小SiC导通模式下的SiC/Si HyS结构损耗分布特性;其次,给出信号调制电路原理并介绍信号调制电路的工作原理,建立RC缓冲电路参数和时间尺度之间的函数方程;最后,基于搭建的SiC/Si HyS硬件平台,在双脉冲测试电路中验证最小SiC导通模式下的SiC/Si HyS损耗特性和所提信号调制电路的有效性,并在1.5 kW两电平逆变器中检验所提信号调制电路的动态运行特性。