关键词:
结电容
行为模型
双脉冲测试
动态性能
退化规律
摘要:
结电容作为绝缘栅双极型晶体管(IGBT)芯片重要寄生参数之一,与器件开关动态性能密切相关。通过建立IGBT开关动态数学模型,搭建基于IGBT器件级行为模型的双脉冲测试仿真电路,研究了器件内部结电容对IGBT动态性能的影响规律和机理。进一步地,对机车不同服役时间的IGBT样本的结电容进行测试分析,验证了仿真模型的有效性。结果表明,IGBT结电容随服役时间增长均出现一定程度退化,其中栅极-发射极电容退化最为显著,进而导致IGBT开关损耗增大。这可能与长时间复杂应力耦合作用造成的栅氧退化、湿气侵入甚至材料特性变化有关。在工程应用中,结电容退化性能检测可为器件品质评估、状态监测及可靠性分析工作提供参考。